本文來(lái)自方正證券研究所2022年4月05日發(fā)布的報(bào)告《半導(dǎo)體周期處于什么階段？還缺芯嗎？》，欲了解具體內(nèi)容，請(qǐng)閱讀報(bào)告原文，陳杭S1220519110008

國(guó)產(chǎn)替代帶來(lái)的半導(dǎo)體成長(zhǎng)還處于早期階段，國(guó)產(chǎn)板塊的空間巨大！

半導(dǎo)體的研究框架分為兩個(gè)階段：2018年之前，和2018年之后。

2018年之前，全球包括中國(guó)大陸都遵循一個(gè)半導(dǎo)體研究框架：基于供需的庫(kù)存周期與創(chuàng)新周期的雙波疊加模型。 2018年之后，中國(guó)大陸半導(dǎo)體研究的底層邏輯已經(jīng)發(fā)生重大變化，已經(jīng)脫離了全球傳統(tǒng)框架，決定國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要矛盾已經(jīng)從供需變成了國(guó)產(chǎn)替代。

為此我們提出了半導(dǎo)體研究的三波疊加：

1、短期看：價(jià)格周期，又稱為庫(kù)存周期，由供給主導(dǎo)，一般為2年左右

2、中期看：創(chuàng)新周期，一般由3～5年的底層創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，比如4G、5G、智能手機(jī)、智能電車

3、長(zhǎng)期看：國(guó)產(chǎn)替代，這是中國(guó)半導(dǎo)體公司的最主要矛盾和未來(lái)增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力，預(yù)計(jì)將維持10年左右。

結(jié)論是：

一、按照庫(kù)存周期律：由于臺(tái)積電／三星／Intel都在先進(jìn)工藝14／7／5在最近兩年投入巨額capex，而以大陸為主的晶圓廠主要擴(kuò)產(chǎn)在成熟工藝，所以根據(jù)供需的匹配關(guān)系，后續(xù)芯片庫(kù)存將陸續(xù)出現(xiàn)三個(gè)拐點(diǎn)：

1）先進(jìn)工藝12寸的芯片（14／7／5nm），將在2022年上半年逐步出現(xiàn)緩解，原因是全球巨額CAPEX＋手機(jī)／電腦需求疲軟。

2）成熟工藝12寸的芯片（28／45／65nm），將在2022年下半年逐步出現(xiàn)緩解，但是跟智能電車相關(guān)需求的拐點(diǎn)會(huì)晚半年～1年。

3）成熟工藝8寸的芯片（130／90／mos／IGBT／SiC），將在2023年逐步出現(xiàn)緩解，因?yàn)槟茉锤锩男枨筮€處于早期，產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)度因?yàn)樵O(shè)備交期延期而延后。 

二、按照創(chuàng)新周期律：2008年～2018年十年的智能手機(jī)大周期又分成了3／4G大周期和5G小周期等多個(gè)創(chuàng)新周期疊加，目前創(chuàng)新已經(jīng)由手機(jī)轉(zhuǎn)移到電車為抓手的能源革命，又分為兩個(gè)階段：油車電動(dòng)化＋電車智能化。

 1、電動(dòng)化：電動(dòng)化最大的增量是電控，電控中最大壁壘和成本來(lái)自于功率半導(dǎo)體。

1）傳統(tǒng)硅基：IGBT和傳統(tǒng)MOS，將持續(xù)在中低壓和傳統(tǒng)場(chǎng)景占據(jù)主導(dǎo)地位。由于缺芯疊加行業(yè)景氣度加速，新能源相關(guān)的IGBT和MOSFET將迎來(lái)機(jī)遇期。

2）碳化硅：SiC將在高壓平臺(tái)和高端應(yīng)用場(chǎng)景發(fā)力。外延、襯底、制造、設(shè)備、IDM領(lǐng)域都將迎來(lái)行業(yè)景氣＋國(guó)產(chǎn)替代＋份額提升的三重推動(dòng)。

2、智能化：

1）傳統(tǒng)座艙：本質(zhì)是手機(jī)的衍生，是非實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)在三屏合一趨勢(shì)下的場(chǎng)景擴(kuò)張，傳統(tǒng)SoC廠商將繼續(xù)主導(dǎo)座艙市場(chǎng)，目前主要玩家還是集中于海外巨頭。 

2）智能駕駛：本質(zhì)上全新的異質(zhì)計(jì)算架構(gòu)，實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將結(jié)合FPGA＋GPU＋ASIC＋CPU異構(gòu)芯片，共同實(shí)現(xiàn)無(wú)人駕駛，目前對(duì)半導(dǎo)體供需影響還處于早期階段。 

三、按照國(guó)產(chǎn)替代：2020年～2030年是我國(guó)又一次大級(jí)別的產(chǎn)業(yè)升級(jí)，從傳統(tǒng)的OEM／拼裝／貼牌，到核心半導(dǎo)體元器件的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，2018年之后的科技封鎖加速了這個(gè)過(guò)程，國(guó)產(chǎn)化逐步深化，分為四個(gè)階段：

1）國(guó)產(chǎn)1．0：2019年5月，限制華為終端的上游芯片供應(yīng)，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了對(duì)國(guó)產(chǎn)模擬芯片、國(guó)產(chǎn)射頻芯片、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片、國(guó)產(chǎn)CMOS芯片的傾斜采購(gòu)，這是第一步。

2）國(guó)產(chǎn)2．0：2020年9月，限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴(yán)重依賴美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備（PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、測(cè)試機(jī)等），海思只能轉(zhuǎn)移到備胎代工鏈，直接帶動(dòng)了中芯國(guó)際等國(guó)產(chǎn)晶圓廠和封測(cè)廠的加速發(fā)展。

3）國(guó)產(chǎn)3．0：2020年12月，中芯國(guó)際進(jìn)入實(shí)體名單，限制的是芯片上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。想要實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全，必須做到對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的逐步突破，由于DUV不受美國(guó)管轄，此階段的關(guān)鍵是針對(duì)刻蝕等美系技術(shù)的替代。

4）國(guó)產(chǎn)4．0：零部件、原材料、EDA／IP，面對(duì)繼續(xù)的科技封鎖，在半導(dǎo)體前道核心工藝設(shè)備／材料的自給化加強(qiáng)的基礎(chǔ)上，會(huì)衍生到設(shè)備上游零部件和材料上游原材料。

半導(dǎo)體設(shè)備：將在2022年實(shí)現(xiàn)1－10的放量，優(yōu)先關(guān)注成熟工藝國(guó)產(chǎn)化設(shè)備（130／90／65／40／28nm）。

芯片材料：將在設(shè)備后，接力進(jìn)行0－1的突破，優(yōu)先推薦黃光區(qū)材料和具備材料上游制備能力的相關(guān)公司。

EDA／IP：將登陸資本市場(chǎng)，成為底層硬科技的全新品類。

設(shè)備零部件：國(guó)產(chǎn)化的縱向推進(jìn)使得產(chǎn)業(yè)地位凸顯，板塊將迎來(lái)歷史級(jí)的發(fā)展窗口。

建議聚焦以國(guó)產(chǎn)化為核心的半導(dǎo)體細(xì)分板塊：半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料和原料、設(shè)備零部件、EDA／IP、車規(guī)級(jí)芯片、FPGA、CPU／GPU等。 

風(fēng)險(xiǎn)提示：1、國(guó)產(chǎn)晶圓廠進(jìn)度低于預(yù)期；2、下游需求低于預(yù)期；3、國(guó)產(chǎn)化上游進(jìn)度低于預(yù)期。