由于眾所周知的原因，近期北方某國也無法再獲得光刻機供應，芯片進口也面臨阻礙，因此該國已計劃研發(fā)全新的芯片制造技術，無獨有偶日本企業(yè)其實早在去年就已研發(fā)不需光刻機的芯片制造技術，隨著芯片制造技術的變革，或許ASML的光刻機是時候被拋棄了。

據(jù)悉北方某國計劃以X射線進行光刻，它早就在研究無掩模X射線光刻機，此舉具有一定的可行性，因為它的波長比ASML所采用極紫外線還要短，X射線波長基于0．01nm至10nm之間，而EUV極紫外線波長長度為13．5nm，X射線光刻機無需光掩模就可以直接光刻，此舉可以大幅降低芯片制造成本，同時在精準度方面也更高。

與北方某國不同，日本研發(fā)無需ASML光刻機的芯片制造技術，則是因為EUV光刻機的成本太高了，一臺EUV光刻機的售價高達1．5億美元，而下一代更精準的EUV光刻機售價可望進一步提高到3億美元，昂貴的EUV光刻機讓日本企業(yè)難以接受，它們因此而在數(shù)年前就開始研發(fā)無需ASML光刻機的芯片制造技術。

日本的存儲大廠鎧俠Kioxia（東芝）早在數(shù)年前就已與日本半導體廠商大日本印刷株式會社（DNP）研發(fā)新的光刻技術，在2020年成功研發(fā)出納米壓印微影（NIL）技術，并已應用于Kioxia公司的NAND flash芯片生產中，它們預計該技術可以應用于5nm工藝，打破當下DUV光刻機只可以應用于最高7nm工藝的限制，而且成本更低。

中國則延續(xù)了當下的芯片制造技術方向，據(jù)悉中芯國際即將以DUV光刻機生產7nm工藝，這個技術其實已由臺積電實現(xiàn)，此前臺積電的第一代7nm工藝就是以DUV光刻機生產的，后來再升級至7nmEUV，7nm工藝將足以滿足中國多數(shù)芯片的需求。

除了以DUV光刻機生產7nm工藝之外，中國芯片企業(yè)華為海思還研發(fā)了芯片堆疊技術，該技術此前曾遭受一些質疑，不過隨著臺積電推出的3D WOW技術大幅提升了7nm工藝芯片的性能，性能提升幅度達到40％，超過5nm工藝的性能提升幅度；蘋果也通過特殊的聯(lián)結方式將兩顆M1芯片連接在一起而取得了性能倍增，都證明了芯片堆疊技術的可行性。

如此中芯國際的7nm工藝輔以芯片堆疊技術，業(yè)界預期此舉可以將性能提升至接近5nm更進一步滿足國內芯片行業(yè)的要求，而且此舉也有助于降低成本。

上述這些技術發(fā)展都說明了ASML的EUV光刻機將不會成為推進至7nm工藝以下的必然選項，芯片制造行業(yè)完全可以通過研發(fā)其他技術繞過EUV光刻機的限制，提升芯片的性能，甚至生產芯片的成本比EUV光刻機更低。

不僅如此，全球芯片供應緊張的狀況似乎已有緩解的跡象，手機芯片行業(yè)已出現(xiàn)過剩，射頻芯片庫存達到了較高的水平，導致手機企業(yè)不再搶購芯片。這是因為手機行業(yè)的出貨量其實已低于歷史最高水平，汽車、電視的出貨量也有所下降，2021年出貨量增長幅度較大的PC也在今年一季度顯著下滑，這都可能導致芯片產能過剩，芯片產能出現(xiàn)過剩的話，當前全球搶購光刻機的現(xiàn)象也就會緩解，甚至光刻機可能因此過剩。

可以說屬于ASML的高光時刻似乎正在過去，面對芯片技術的變革，以及芯片供應的變化，ASML賺得盆滿缽滿的時代可能一去不復返了，那時候ASML會不會改變當前銷售的諸多阻礙，而轉變態(tài)度希望客戶采購它的光刻機呢？