據(jù)外媒Phonearena報(bào)道，三星代工廠是僅次于巨頭臺(tái)積電的全球第二大獨(dú)立代工廠。換句話說(shuō)，除了制造自己設(shè)計(jì)的 Exynos 芯片外，三星還根據(jù)高通等代工廠客戶的第三方公司提交的設(shè)計(jì)來(lái)制造芯片。

　　Snapdragon 865 應(yīng)用處理器 (AP) 由臺(tái)積電使用其 7nm 工藝節(jié)點(diǎn)構(gòu)建。到了5nm Snapdragon 888 芯片組，高通回到了三星，并繼續(xù)依靠韓國(guó)代工廠生產(chǎn) 4nm Snapdragon 8 Gen 1。這是目前為三星、小米、摩托羅拉制造的高端 Android 手機(jī)提供動(dòng)力的 AP。

　　三星代工繼續(xù)在良率上苦苦掙扎

　　但在 2 月份，有報(bào)道稱三星 Foundry 在其 4nm 工藝節(jié)點(diǎn)上的良率僅為 35%。這意味著只有 35% 的從晶圓上切割下來(lái)的芯片裸片可以通過(guò)質(zhì)量控制。相比之下，臺(tái)積電在生產(chǎn) 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 時(shí)實(shí)現(xiàn)了 70% 的良率。換句話說(shuō)，在所有條件相同的情況下，臺(tái)積電在同一時(shí)期制造的芯片數(shù)量是三星代工的兩倍。

　　這就導(dǎo)致臺(tái)積電最終收到高通的訂單，以構(gòu)建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片組以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我們還假設(shè)臺(tái)積電將獲得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的許可，即使高通需要向臺(tái)積電支付溢價(jià)以讓該芯片組的獨(dú)家制造商在短時(shí)間內(nèi)制造足夠的芯片。

　　盡管三星最近表示其產(chǎn)量一直在提高，但《商業(yè)郵報(bào)》的一份報(bào)告稱，三星 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)量仍遠(yuǎn)低于公司的目標(biāo)。雖然三星代工廠的全環(huán)柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)首次推出其 3 納米節(jié)點(diǎn)，使其在臺(tái)積電（臺(tái)積電將推出其 2 納米節(jié)點(diǎn)的 GAA 架構(gòu)）上處于領(lǐng)先地位，但三星代工廠在其早期 3 納米生產(chǎn)中的良率一直處于10% 至 20%的范圍 。

　　這不僅是三星需要改進(jìn)的極低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所經(jīng)歷的上述 35% 良率還要糟糕。

　　Wccftech 表示，據(jù)消息人士稱，三星將從明年開(kāi)始向客戶發(fā)貨的 3nm GAA 芯片組的第一個(gè)“性能版本”實(shí)際上可能是新的內(nèi)部 Exynos 芯片。據(jù)報(bào)道，三星一直在為其智能手機(jī)開(kāi)發(fā)新的 Exynos 芯片系列，但現(xiàn)階段尚不清楚它們是否會(huì)使用 3nm GAA 工藝節(jié)點(diǎn)制造。

　　臺(tái)積電和三星在制程領(lǐng)導(dǎo)力方面很快就會(huì)有新的挑戰(zhàn)者

　　臺(tái)積電和三星很快就會(huì)有新的挑戰(zhàn)者，因?yàn)橛⑻貭栐硎?，其目?biāo)是在 2024 年底之前接管行業(yè)的制程領(lǐng)導(dǎo)地位。它還率先獲得了更先進(jìn)的極紫外 (EUV) 光刻機(jī)。

　　第二代 EUV 機(jī)器被稱為High NA 或高數(shù)值孔徑。當(dāng)前的 EUV 機(jī)器的 NA 為 0.33，但新機(jī)器的 NA 為 0.55。NA 越高，蝕刻在晶圓上的電路圖案的分辨率就越高。這將幫助芯片設(shè)計(jì)人員和代工廠制造出新的芯片組，其中包含的晶體管數(shù)量甚至超過(guò)了當(dāng)前集成電路上使用的數(shù)十億個(gè)晶體管。

　　它還將阻止代工廠再次通過(guò) EUV 機(jī)器運(yùn)行晶圓以向芯片添加額外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 機(jī)器產(chǎn)生的更高分辨率圖案將提供更高的分辨率將使芯片特征小 1.7 倍，芯片密度增加 2.9 倍。

　　通過(guò)首先獲得這臺(tái)機(jī)器，英特爾將能夠朝著從臺(tái)積電和三星手中奪回制程領(lǐng)導(dǎo)地位的目標(biāo)邁出一大步。