什么是IBIS模型？

IBIS表示輸入/輸出緩沖器信息規(guī)格，它代表了IC供應商提供給客戶進行高速設計仿真的器件的數(shù)字引腳的特性或行為。這些模型使用IBIS開放論壇——負責管理和更新IBIS模型規(guī)范與標準的行業(yè)組織——所規(guī)定的參數(shù)模仿器件的I/O行為。IBIS模型使用ASCII文本文件格式，提供表格化的電壓-電流和電壓-時間信息。它們不包含專有數(shù)據(jù)，因為模型中沒有披露IC原理圖設計信息，如晶體管尺寸、緩沖器原理圖設計中使用的器件模型參數(shù)和電路等。此外，IBIS模型獲得了大部分EDA供應商的支持，可以在大多數(shù)行業(yè)級平臺中運行。

為何使用IBIS模型？

想象一款IC通過了測試。然后，使用該IC設計電路板，并且立即獲批進行制造。電路板制造出來后，發(fā)現(xiàn)其性能不達標，原因是一些信號完整性問題，其導致了串擾、信號過沖/欠沖或不匹配阻抗引起的反射。您認為接下來會發(fā)生什么？當然，電路板必須重新設計和制造。此時，增加了時間和成本。所有這一切都是因為有一個重要階段沒有進行：預仿真。在此階段中，系統(tǒng)設計人員使用仿真模型驗證設計的信號完整性，然后才會設計電路板。SPICE和IBIS等仿真模型現(xiàn)已廣泛開發(fā)用于仿真當中，幫助系統(tǒng)設計人員在預仿真階段預見到信號完整性問題，從而在制造之前予以解決。此階段有助于減少測試期間電路板失敗的可能。

歷史

20世紀90年代，隨著個人計算機日漸流行，Intel?開始為其工作頻率約為33 MHz的低功耗ASIC開發(fā)一種新的I/O總線。為此需要確保信號完整性沒有受到損害，IBIS因此而誕生。Donald Telian所領導的團隊提出了一個想法：為I/O緩沖器創(chuàng)建一個信息表，并使用此信息測試Intel的電路板。很快，Intel與其客戶共享這些信息表以幫助后者進行電路板設計，但不提供任何專有信息。為了能夠可靠地將紙張形式的表格中的信息傳送到客戶的仿真器，Intel決定與EDA供應商和其他計算機制造商合作。他們創(chuàng)建了IBIS開放論壇，以幫助標準化計算機可讀格式的緩沖器信息。IBIS最初稱為Intel緩沖器信息表，后來更改為I/O緩沖器信息規(guī)范。IBIS 1.0版于1993年發(fā)布。從那時起，IBIS開放論壇持續(xù)推廣IBIS，提供工具和文檔，并改進標準以增加專業(yè)領域的能力。2019年，IBIS 7.0版被批準。這表明，IBIS在不斷發(fā)展以滿足新技術要求。

如何生成IBIS模型？

IBIS模型一般模擬器件的接收器和驅(qū)動緩沖器行為，而不透露專有工藝信息。為此需要提取標準IBIS緩沖器元件的行為，并通過表格形式的V-I和V-t數(shù)據(jù)來表示它。

為了生成IBIS模型，數(shù)據(jù)收集通常是開發(fā)過程中的第一步。圖1顯示了生成IBIS模型的三個主要階段。

連接到引腳的兩個二極管負責在輸入超過工作范圍或緩沖器限值時保護緩沖器。根據(jù)設計工作方式，緩沖器限值可以是功率箝位基準值，通常為VDD，或是地箝位基準值，通常為地或-VDD。這些二極管用作ESD箝位保護，在需要時導通，而上拉和下拉元件負責高電平和低電平狀態(tài)期間的緩沖器驅(qū)動行為。因此，上拉和下拉數(shù)據(jù)是在緩沖器處于工作模式時獲得。

在模型中，這四個主要元素以電壓-電流(V-I)數(shù)據(jù)的形式表示，分別列在關鍵詞[Power Clamp]、[GND Clamp]、[Pullup]、[Pulldown]之下。I/O緩沖器的切換行為也以電壓-時間(V-t)的形式在模型中表示。

電壓-電流行為關鍵詞

?[Power Clamp]表示數(shù)字I/O引腳的功率箝位ESD保護二極管在高阻抗狀態(tài)期間的V-I行為，其相對于功率箝位基準電壓。

?[GND Clamp]表示數(shù)字I/O引腳的地箝位ESD保護二極管在高阻抗狀態(tài)期間的V-I行為，其相對于地箝位基準電壓。

?[Pullup]表示I/O緩沖器的上拉元件驅(qū)動高電平時的V-I行為，其相對于上拉基準電壓。

?[Pulldown]表示I/O緩沖器的下拉元件驅(qū)動低電平時的V-I行為，其相對于下拉基準電壓。

這些關鍵詞的數(shù)據(jù)是在-VDD至2×VDD的推薦電壓范圍內(nèi)和三個不同拐角（典型值、最小值和最大值）中獲得。典型值拐角表示緩沖器在標稱電壓、標稱工藝和標稱溫度下工作時的行為。最小值拐角表示緩沖器在最小電壓、最差工藝和最高工作結溫(CMOS)/最低工作結溫(BJT)下工作時的行為。最大值拐角表示緩沖器在最大電壓、最佳工藝和最低工作結溫(CMOS)/最高工作結溫(BJT)下工作時的行為。

對于引腳中掃過的每個電壓，測量其相應的電流，從而獲得根據(jù)IBIS規(guī)范對緩沖器進行建模所需的電壓-電流行為。圖3顯示了三個拐角中獲得的這四個V-I曲線的波形例子。

切換行為

除了V-I數(shù)據(jù)之外，V-t數(shù)據(jù)表中還包括上升（低至高輸出轉(zhuǎn)換）和下降（高至低輸出轉(zhuǎn)換）波形形式的I/O緩沖器切換行為。此數(shù)據(jù)在輸出連接測得。使用的負載通常為50Ω，代表典型的傳輸線路特性阻抗。此外，使用輸出緩沖器實際驅(qū)動的負載仍然是最好的。該負載與系統(tǒng)中使用的傳輸線路阻抗相關。例如，如果系統(tǒng)將使用75Ω走線或傳輸線，則獲得V-t數(shù)據(jù)所使用的推薦負載為75Ω。

對于標準推挽式CMOS，建議在IBIS模型中包含四類V-t數(shù)據(jù)：

?上升波形，負載以VDD為基準

?上升波形，負載以地為基準

?下降波形，負載以VDD為基準

?下降波形，負載以地為基準

兩個上升波形包含在模型關鍵詞[Rising Waveform]之下。它描述當負載分別連接到VDD和地時I/O緩沖器的低到高輸出轉(zhuǎn)換。另一方面，模型關鍵詞[Falling Waveform]之下的兩個下降波形描述當負載同樣分別連接到VDD和地時I/O緩沖器的高到低轉(zhuǎn)換。應當注意，由于輸出端連接有負載，輸出擺幅不會完全轉(zhuǎn)換。與電壓-電流行為一樣，電壓-時間數(shù)據(jù)也是在三個不同的拐角中獲得。這些轉(zhuǎn)換的例子如圖4所示。

在得到V-t表的同時，提取斜坡速率值。斜坡速率是電壓從一個狀態(tài)切換到另一個狀態(tài)的速率，取上升或下降轉(zhuǎn)換沿的20％至80％這一段。在IBIS模型中，斜坡速率以dV/dt比率的形式列在[Ramp]關鍵詞之下，通常顯示在V-t表之后。此值不包括封裝寄生效應的影響，因為它僅代表內(nèi)在輸出緩沖器的上升時間和下降時間特性。

IBIS模型還包括一些數(shù)據(jù)手冊規(guī)格，仿真以此為基礎進行，例如工作電壓和溫度范圍、輸入邏輯電壓閾值、時序測試負載值、緩沖器電容和引腳配置。模型中還有集總RLC封裝寄生效應，這在數(shù)據(jù)手冊中是找不到的，但對高速設計系統(tǒng)的走線仿真非常重要，因為這些寄生效應會給仿真帶來負載效應，從而影響通過傳輸線路的信號的完整性。

IBIS格式化

本節(jié)介紹第二階段，即構建模型，也稱為IBIS格式化。收集所有必要的數(shù)據(jù)之后，現(xiàn)在可以創(chuàng)建模型。IBIS模型主要包括三部分：主要頭文件、元件描述和緩沖器模型。

主要頭文件包含有關該模型的一般信息。它指定以下內(nèi)容：

?IBIS版本

模型關鍵詞：[IBIS Ver]

這是模型所基于的版本。它告訴仿真器的解析器檢查程序，文件中會出現(xiàn)什么類型的數(shù)據(jù)；因此，它對判斷模型能否通過解析器檢查發(fā)揮著重要作用。

?文件名

模型關鍵詞：[File Name]

文件的實際名稱，應為小寫形式，并使用正確的文件擴展名 .ibs。

?版本號

模型關鍵詞：[File Rev]

幫助跟蹤文件的修訂情況。

?日期

模型關鍵詞：[Date]

顯示模型的創(chuàng)建時間。

?注釋

模型關鍵詞：[Notes]

向客戶提供關于模型的參考信息，即數(shù)據(jù)是從仿真中獲得，還是從基準測量中獲得。

?來源

模型關鍵詞：[Source]

模型來自何處，或模型提供商是誰。

?免責聲明

模型關鍵詞：[Disclaimer]

?版權

模型關鍵詞：[Copyright]

請注意，主要頭文件下列出的前三項必須提供。其他項目不是必需的，但最好包括，以便提供有關該文件的其他細節(jié)。

作者簡介

Jermaine Lim于2014年10月加入ADI公司，擔任產(chǎn)品應用工程師。從那時起，她對ADI公司的貢獻都集中在為各種ADI產(chǎn)品開發(fā)IBIS模型上。Jermaine畢業(yè)于Pamantasan ng Lungsod ng Maynila，獲電子工程學士學位。

Keith Francisco-Tapan于2012年3月加入ADI公司，擔任模擬設計工程師。她最初為各種ADI產(chǎn)品開發(fā)IBIS模型，并在ADGT掌握了模型開發(fā)能力。她現(xiàn)在有一個新的角色，擔任AMS設計驗證工程師。她畢業(yè)于Mindanao State University-Iligan Institute of Technology，獲電子工程學士學位。