三星的3nm GAA被指是“面子工程”，臺(tái)積電的3nm FinFET同樣不太順利。

　　上周，業(yè)內(nèi)人士手機(jī)晶片達(dá)人爆料，因?yàn)榭蛻舳疾挥?，臺(tái)積電內(nèi)部決定放棄N3工藝，轉(zhuǎn)攻2023下半年量產(chǎn)成本更優(yōu)的N3E工藝。

　　根據(jù)臺(tái)積電路線圖，N3也就是公司的第一代3nm，N3E則是第二代。　　今日晚間（8月29日），同一個(gè)爆料人透露，從蘋果員工那里了解到，他們對(duì)3nm第一個(gè)項(xiàng)目Ibiza效能不滿，所以取消了N3 Ibiza，短期內(nèi)是看不到3nm的M3終端產(chǎn)品了。

　　一方面，這進(jìn)一步證實(shí)了臺(tái)積電N3工藝現(xiàn)在是無(wú)米下鍋，另一方面也暗示，無(wú)論是A16處理器還是M2 Pro/Ultra等，鐵定是無(wú)緣3nm，而是4nm。

　　如今，7nm以下的先進(jìn)工藝實(shí)質(zhì)上只有三星、臺(tái)積電和Intel三家能生產(chǎn)制造，可是隨著摩爾定律放緩，納米晶體管逼近物理極限，進(jìn)展看起來(lái)越來(lái)越不樂(lè)觀。

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