眾所周知，目前最頂尖的光刻機(jī)是ASML的EUV光刻機(jī)，能夠制造3nm的芯片。且在ASML的規(guī)劃中，到2024年或2025年會(huì)交付全新一代的High－NA極紫外光刻機(jī)。

這種EUV光刻機(jī)，數(shù)值孔徑變?yōu)?．55NA，也就是解析度（精度）為8nm，可以制造2nm，以及1．8nm的芯片。

至于1．8nm以下，用什么光刻機(jī)？反正ASML現(xiàn)在還沒(méi)規(guī)劃，因?yàn)?．8nm后，技術(shù)又會(huì)怎么樣變化，誰(shuí)也不清楚。

但近日，美國(guó)一家公司Zyvex，利用一種完全不同于EUV光刻機(jī)的技術(shù)，制造出了768皮米，也就是0．7nm的芯片。

而0．7nm，差不多相當(dāng)于2個(gè)硅原子的寬度，也是理論上硅基芯片的最高精度，所以很多人認(rèn)為，當(dāng)芯片精度達(dá)到了1．8nm以后，可能EUV光刻機(jī)也不行了，要使用Zyvex公司研發(fā)出的這種光刻技術(shù)了。

Zyvex公司的光刻技術(shù)，是啥技術(shù)？其光刻系統(tǒng)命名為為ZyvexLitho1，是基于STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL電子束光刻方式，與極紫外線沒(méi)有任何關(guān)系，稱之為電子束光刻機(jī)，可能更合適一點(diǎn)。

按照Z(yǔ)yvex的說(shuō)法，這臺(tái)ZyvexLitho1是可以商用的，還可以接受別人的訂單，具體多少錢一臺(tái)，不清楚，但機(jī)器對(duì)方可以在6個(gè)月內(nèi)出貨。

雖然可以對(duì)外出貨，但國(guó)廠商，想要買到它，可能就千難萬(wàn)難了，基本不太可能，畢竟EUV光刻機(jī)都買不到，更不要說(shuō)精度更高的電子束光刻機(jī)了。

當(dāng)然，硅基芯片，也不需要這種電子束光刻機(jī)，這么高的精度更多還是用于量子計(jì)算芯片，制造出一些高精度的量子器件，納米器材等。

另外就是，EBL電子束光刻機(jī)，產(chǎn)能非常低，至少在目前大規(guī)模制造芯片也不現(xiàn)實(shí)，只能小規(guī)模的制造量子計(jì)算的芯片，至于未來(lái)能不能技術(shù)改進(jìn)，提高產(chǎn)能，進(jìn)而取代EUV光刻機(jī)，還不清楚。

但這或許也意味著在EUV光刻機(jī)后，EBL電子束光刻機(jī)是一個(gè)新的方向，你覺(jué)得呢？

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