三星今天宣布，它已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其 大概為 236 層的 3D NAND 存儲器，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新 IC 具有 2400 MTps 的傳輸速度，當與高級控制器結合使用時，它們可以實現(xiàn)傳輸速度超過 12 GBps 的客戶端級 SSD。

　　新的第 8 代 V-NAND 設備具有 1Tb 容量（128GB），三星稱其為業(yè)界最高的位密度，但沒有透露 IC 的尺寸或?qū)嶋H密度。該 IC 還具有 2400 MTps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，這對于  配備 PCIe 5.0 x4 接口 的最佳 SSD至關重要， 一旦與適當?shù)目刂破髋鋵Γ瑢⑻峁@人的12.4 GBps （或更高?。?/p>

　　三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存 IC 相比，其新一代 3D NAND 存儲器的每晶圓生產(chǎn)率將提高 20%，這降低了公司的成本（在良率相同的情況下），這可能意味著更便宜的 SSD 。

　　同時，該公司沒有提及該設備的架構，但根據(jù)提供的圖片，我們假設我們談論的是雙平面 3D NAND IC。

　　“隨著市場對更密集、更大容量的存儲需求推動更高的 V-NAND 層數(shù)，三星采用其先進的 3D 縮放技術來減少表面積和高度，同時避免通常在按比例縮小時發(fā)生的單元間干擾，”三星電子閃存產(chǎn)品和技術執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 說?！拔覀兊牡诎舜?V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們能夠更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，這將是未來存儲創(chuàng)新的基礎?！?/p>

　　三星尚未宣布任何基于其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存的實際產(chǎn)品，但我們可以推測第一批設備將迎合客戶應用。

　　三星236層閃存，終于要來了！

　　據(jù)外媒介紹，三星正準備開始量產(chǎn)其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存，該內(nèi)存將具有 200 多層，并為固態(tài)存儲設備帶來更高的性能和位密度。

　　報道指出，三星在 2013 年憑借 24 層 V-NAND 閃存領先競爭對手數(shù)年，其他公司花了相當長的時間才趕上。但從那以后，這家韓國巨頭變得更加謹慎，因為構建數(shù)百層的 NAND 變得越來越困難。今年，美光和 SK 海力士憑借 232 層和 238 層 3D TLC NAND 設備擊敗了三星。但據(jù)韓國商業(yè)報道，V-NAND 開發(fā)商并沒有停滯不前，正準備開始批量生產(chǎn) 236 層的 3D NAND 存儲器（當然，將被命名為 V-NAND。.

　　三星在 2021 年年中生產(chǎn)了首批超過 200 層的 V-NAND 內(nèi)存樣品，因此它現(xiàn)在應該有足夠的技術經(jīng)驗來啟動此類設備的批量生產(chǎn)。不幸的是，目前很難判斷三星即將推出的第 8 代 V-NAND 芯片的容量。盡管如此，我們確信該公司的下一代 NAND 內(nèi)存目標之一將是更快的接口速度和其他性能特征，以實現(xiàn)下一代最佳 SSD。

　　為了為即將推出的具有 PCIe Gen5 接口的臺式機和筆記本電腦以及支持 UFS 3.1 和 4.0 接口的智能手機構建具有競爭力的固態(tài)存儲解決方案，三星需要具有高速接口的 NAND 設備。今天三星的 V7-NAND 已經(jīng)具有高達 2.0 GT/s 的接口速度，但我們預計該公司將進一步提高其 V8-NAND 的接口速度。

　　三星第 8 代 V-NAND 的另一項期望是增加程序塊大小并減少讀取延遲，從而優(yōu)化大容量 3D NAND 設備的性能。但不幸的是，確切的特征是未知的。

　　雖然增加 NAND 層的數(shù)量有時被認為是閃存擴展的一種簡單方法，但事實并非如此。使 NAND 層更?。ㄒ虼?NAND 單元更?。┬枰褂眯虏牧蟻砜煽康卮鎯﹄姾?。此外，由于蝕刻數(shù)百層具有挑戰(zhàn)性（并且在經(jīng)濟上可能不可行），3D NAND 制造商需要采用串堆疊等技術來構建具有數(shù)百層的 3D NAND。三星尚未在其 176 層 V7-NAND 中采用串堆疊，但該技術是否會用于 236 層 V8-NAND 還有待觀察。

　　NAND Flash競爭，三星掉隊

　　NAND是一個競爭激烈、不斷進步的市場。制造和出貨的 NAND 位數(shù)以每年 30% 到 35% 的速度增長，每 2 到 3 年翻一番。最初的看法是，這需要大量資金專門用于新設備，但 NAND 行業(yè)從 2017 年到 2022 年每年僅在晶圓制造設備上花費了150億到200億美元，盡管呈指數(shù)級增長，但生產(chǎn)NAND的成本迅速下降。

　　幾十年前，類似的成本縮放改進在 DRAM 和邏輯等其他半導體技術中很常見，但這些子行業(yè)會認為這種改進速度在后摩爾定律宇宙中是不可持續(xù)的。生產(chǎn)力的提高主要是由 Lam Research 蝕刻和沉積工具的改進以及制造商開發(fā)的工藝節(jié)點推動的。

　　從歷史上看，當半導體行業(yè)進行如此快速的創(chuàng)新時，許多公司在技術上被拋在了塵埃中。行業(yè)整合出現(xiàn)。只出現(xiàn)了幾個強者。3D NAND 今天也處于類似的位置，該行業(yè)的未來經(jīng)濟狀況也在不斷變化。英特爾賣掉了他們的NAND業(yè)務，鎧俠和西部數(shù)據(jù)出現(xiàn)了很大的動蕩。

　　在本報告中，我們希望對三星、SK 海力士、美光、Solidigm、長江存儲、西部數(shù)據(jù)和鎧俠的工藝技術進行狀態(tài)檢查?？焖倏偨Y是，美光、SK 海力士和 YMTC 領先于其他公司。與此同時，三星在幾年前還是 NAND 技術的絕對領導者，卻奇怪地落后了。而來自中國的長江存儲現(xiàn)在出貨密度最高的3D NAND。

　　SemiAnalysis和Angstronomics編制了下表。它有許多細微差別，將在下文中解釋。

　　長江存儲

　　YMTC 對他們的新一代 NAND 非常低調(diào)，該系列新產(chǎn)品搭載了公司新一代的Xtacking 3.0 技術。在官方新聞稿中，他們沒說明新產(chǎn)品的層數(shù)。官方的路線并沒有將 Xtacking 3.0 作為業(yè)界最密集的 1Tb TLC NAND 進行推廣。

　　但在SemiAnalysis 看來，Xtacking 3.0 是密度最大的商用 1Tb TLC NAND，15.2Gbit/mm2；在層數(shù)上，據(jù)分析，長存產(chǎn)品的層數(shù)“超過230層”；我們相信232層；在性能上，該產(chǎn)品可與美光的 232 層 NAND 媲美，采用類似的 6 平面架構，數(shù)據(jù)速率為 2.4Gbps。最后，它已經(jīng)送樣給合作伙伴。

　　我們通過在Angstronomics的虛擬幫助下測量物理die來確定這些事實。可以訪問物理die也使我們能夠確認它是 6 平面。我們在第 3 方臺灣公司的展位上發(fā)現(xiàn)了他們采用 SSD 封裝的新 NAND。他們很高興告訴我們其他一些細節(jié)，包括發(fā)貨時間。

　　據(jù)報道，長江存儲在新產(chǎn)品上還用上了很多新技術，例如陣列上的混合鍵合 CMOS、中心驅(qū)動器 XDEC，以及從前端深溝工藝到后端源連接 (BSSC) 的過渡。YMTC 還計劃為內(nèi)存處理實現(xiàn)進一步的邏輯，包括采用堆疊 CMOS 技術的神經(jīng)形態(tài)類型計算。

　　長江存儲不是模仿者。他們正在構建自己的創(chuàng)新和獨特的產(chǎn)品，他們在 NAND 領域憑借本土創(chuàng)新領先于其他玩家。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 的制造和技術開發(fā)方面進行了合作，因此它們被組合在一起。他們估計，Zettabyte 的 NAND 將在 2022 年出貨。他們的閃存峰會演講涵蓋了 3D NAND 縮放的一些權衡?？s放有 4 個主要向量，垂直縮放、橫向縮放、架構縮放和邏輯縮放。

　　上面是一張關于 SLC、MLC、TLC、QLC 和 PLC 縮放的有趣幻燈片。隨著越來越多的位存儲在一個單元中，讀取延遲會增加，并且程序擦除周期的耐久性會降低。鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探索使用每個單元 4.5 位或每個 NAND 單元 3.5 位來增加密度和降低成本，同時不犧牲盡可能多的延遲和耐用性。

　　在 3D NAND 中，工程選擇通常取決于性能、成本和耐用性。對于同等容量的 SSD 而言，更大的容量更具成本效益，但性能較差。較大的單元尺寸性能更好，但由于難以擴展到更高的層數(shù)，因此制造成本更高。

　　PCIe 多年來一直停留在 3.0 上，但近年來代際改進加速。這導致了許多創(chuàng)新，以使可用帶寬完全飽和。鎧俠和西部數(shù)據(jù)表示，他們的 NAND 接口帶寬每一代都增加了 30%。此外，他們引入了異步獨立平面讀取，這使得每個平面中的讀取可以更有效地打包（大多數(shù)競爭對手引入了這一點或?qū)⒃谒麄兊囊淮羞@樣做）。由于這些創(chuàng)新，隨機讀取性能顯著提高。

　　西部數(shù)據(jù)和鎧俠的路線圖包括擴展層以及非層數(shù)相關技術。晶圓鍵合被列為下一個被采用作為提高單元陣列效率的技術。這是長江存儲第三次迭代的 Xtacking 3.0 的技術。PLC NAND也在考慮之中。Western Digital 告訴我們，他們甚至在實驗室中試驗了高達 7 位/單元（128 個電壓等級）。它存在于他們的實驗室中，但需要由液氮維持的極低溫度。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)是僅有的在其路線圖中使用 PLC 電荷陷阱存儲器的公司。CMOS 縮放和單元間距縮放也在路線圖上。他們討論的最后一項技術是多堆疊。CMOS 陣列和多個 NAND 陣列都將采用順序混合鍵合方法進行堆疊。理論上，這項技術的成本改進很小，但密度增益將是巨大的。

　　鎧俠和西部數(shù)據(jù)還開發(fā)了第二代存儲級內(nèi)存，他們將其作為 XL-Flash-2 銷售。由于成本較高，它是否會增加產(chǎn)量還有待觀察，但由于使用 16 平面和 MLC NAND，它的速度要快得多。這僅適用于延遲較低的 CXL 總線上的大規(guī)模部署，但 DRAM 池/共享通常更適合這些工作負載。

　　三星

　　長期以來，三星在 NAND 市場占有率最高。正如《非易失性存儲，輝煌70年！》所示，它們在歷史上引領了許多技術轉型。這種技術領先存在于他們的 128 層技術，這是世界上容量最大的 NAND 工藝節(jié)點。

　　3D NAND 中最關鍵的工藝步驟是通過多層 NAND 的高縱橫比蝕刻和隨后的沉積步驟。雖然業(yè)內(nèi)幾乎每個人都在這些關鍵步驟中使用 Lam Research 的工具，但三星是唯一一家同時蝕刻超過 120 層的公司。其他公司在其 100 層以上的 NAND 架構上使用多個decks，但三星 128 層僅使用 1 層。例如，Solidigm 在其 144 層 NAND 上使用 3 層decks。每個deck額外增加成本。

　　盡管在 128 層方面處于領先地位，但三星多年來一直沒有推出新的 NAND 工藝技術。他們的 176 層和 >200 層 NAND 工藝技術尚未被逆向工程公司或拆解在任何 SSD 中發(fā)現(xiàn)。盡管他們聲稱會在 2021 年出貨 176 層消費級 SSD，但迄今沒有看到。雖然官方原因尚未披露，但據(jù)報道很可能源于文化問題引發(fā)的工藝問題。

　　三星仍然表示，第 7 代 V-NAND，176 層 512Gb TLC，2Gbps，是 2021 年的技術。他們還注意到 176 層 1Tb QLC 即將推出。第 8 代 V-NAND 超過 200 層。三星表示，它將是 2.4Gbps 的 1Tb TLC 裸片，將于 2022 年發(fā)貨。第 8 代將同時進行橫向收縮、更多層和外圍收縮。三星還在 2023 年推出了第 9 代 V-NAND。鑒于第 7 代 V-NAND 的表現(xiàn)，我們對他們的說法持懷疑態(tài)度。

　　三星處于不穩(wěn)定的境地，曾經(jīng)落后的公司現(xiàn)在正在競相領先，并開始實現(xiàn)更好的成本結構。層數(shù)并不是 NAND 擴展的全部，許多其他因素都會影響最終的每比特成本。根據(jù)我們的成本模型，三星仍然擁有第二最具成本效益的 NAND 工藝技術，因為它具有高資本效率和良率以及長期存在的 128 層工藝節(jié)點。我們的理論是三星避免增加其 176 層 NAND，因為由于轉向 2 層架構，它的成本效益低于 128 層。

　　如果三星繼續(xù)推遲其新的工藝節(jié)點，他們就有可能進一步落后。順便說一句，我們在閃存峰會上與來自競爭公司的許多工藝工程師進行了交談，他們對三星在 NAND 工藝節(jié)點轉換方面發(fā)生的事情感到非常困惑。

　　SK 海力士和 Solidigm

　　SK海力士在相對定位上一直在提升。他們在第四季度開始大規(guī)模生產(chǎn) 176 層 1Tb QLC，從而迅速提升了 176 層 TLC。我們的成本模型將 SK 海力士列為第三最具成本效益的 NAND 工藝技術，他們甚至可能很快與三星交換位置。

　　SK海力士238層明年上半年開始量產(chǎn)，512Gb TLC裸片。SK 海力士表示，新的 NAND 技術將在每個晶圓上多生產(chǎn) 34% 的比特，提高 50% 的 IO 速度，提高 10% 的程序性能，以及提高 21% 的讀取功率效率。這個 NAND 速度快到 2.4Gbps。美光和 YMTC 僅計劃在其 232 層數(shù)技術中使用 1Tb 裸片，但 SK 海力士可以使用更小的 512Gb 裸片實現(xiàn)相同的速度，并且僅使用 4 平面而不是 6 平面。

　　SK海力士提出的未來路線圖非常有趣。SK 海力士表示，他們計劃在 238 層一代之后繼續(xù)使用 Array NAND 下的 CMOS 再發(fā)展 3 代。特別是，接下來的 xxx 層 NAND 工藝將有更顯著的層數(shù)增加和更快的過渡。

　　SK 海力士因其長期的創(chuàng)新而有一個可怕的營銷名稱——4D^2。這些涉及共享位線和更多行。他們討論了使用串聯(lián)的 2 個單元來存儲超過 6 位的數(shù)據(jù)，而不是獨立的單元和存儲 8 個電壓電平用于每個單元 3 位的數(shù)據(jù)。所有這些技術的重點似乎是每層封裝更多位。

　　轉向 Solidigm（以前是英特爾的 NAND 業(yè)務），NAND 架構有所不同。Solidigm 使用浮柵架構，而 SK Hynix 使用電荷陷阱。SK 海力士計劃將其內(nèi)部電荷陷阱用于性能和主流，而 Solidigm 將用于價值和 HDD 更換領域。SK 海力士與英特爾之間的部分交易條款涉及工藝技術人員在幾年內(nèi)從英特爾轉移，而不是立即轉移。Solidigm 大連中國工廠將在英特爾開發(fā)的工藝技術上運行至少幾年。

　　下一代 Solidigm 浮柵節(jié)點為 192 層。我們相信這是一個 4 層設計，每層deck有 48 層。對于 TLC 架構，該過程的成本效益將備受爭議。通過在每個單元中使用更多位可以緩解這種成本劣勢，這是浮動柵極架構相對于電荷陷阱架構的優(yōu)勢。雖然大多數(shù)電荷陷阱體積是 TLC（每個單元 3 位），但 Solidigm 節(jié)點專注于 QLC 的體積。

　　192 層 QLC 將配備 1.33Tb 芯片容量。由于必須準確地保持 16 個電壓電平以每個單元存儲 4 位，QLC 一直受到性能不佳的困擾，但新節(jié)點聲稱可以解決其中的許多問題。第 4 代 QLC 有一些非常出色的聲明，即程序?qū)懭霑r間提高 2.5 倍，隨機讀取提高 5 倍，在第 99 個百分位時讀取延遲提高 1.5 倍。這些改進將使 Solidigm 192 層 QLC 性能更接近電荷陷阱 TLC。

　　更令人興奮的變化是，192 層工藝將成為第一批具有 1.67Tb 裸片容量的 PLC NAND。使用 PLC，單元必須能夠準確地保持 32 個電壓電平，以便每個單元存儲 5 位。這將每個晶圓制造的位數(shù)提高了 25%，但犧牲了性能。鑒于 SK 海力士將 PLC NAND 作為 HDD 替代技術，性能受到的影響可能很大。作為一個有趣的噱頭，Solidigm 的團隊在使用 192 層 PLC NAND 的外部 SSD 上運行演示文稿。

　　美光

　　美光一直是 NAND 行業(yè)的一顆冉冉升起的新型。幾年前，他們在 IMFT 合資企業(yè)中與英特爾結下了不解之緣。他們使用了浮動柵極架構，與電荷陷阱相比，它的每比特成本或性能較差。他們在 DRAM 工藝技術方面也落后于三星幾年。

　　美光做出了一些根本性的改變，現(xiàn)在他們是內(nèi)存行業(yè)的領導者。Sanjay Mehrotra 是 SanDisk 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官，該公司以190億美元的價格賣給了 Western Digital。不久之后，他被任命為美光的首席執(zhí)行官。英特爾合資公司（IMFT）解散，NAND架構從浮柵過渡到電荷陷阱，3D XPoint 內(nèi)存開發(fā)也停止了。

　　修復了美光的一些潛在工藝和培養(yǎng)問題。美光從 3D NAND 中最差的成本結構變成了 3D NAND 中最好的成本結構。同樣，它們從密度最低、成本最高的工廠到每比特 DRAM 的晶圓廠，再到成本結構第二好的出貨密度最高的 DRAM。

　　美光的大部分產(chǎn)能是 176 層，他們正在加速和出貨 232 層 NAND。美光的策略是保持晶圓開工率基本相同，并專注于更好的工藝技術以增加位出貨量。這使他們能夠降低資本支出，但仍保持市場份額。由于“芯片飯”，該策略可能會改變，因為在美國可能會發(fā)生總計400億美元的制造投資。

　　美光的 6 平面 2.4Gbps 1Tb TLC 232 層 NAND 出現(xiàn)在多個 SSD 和控制器公司的展位上。這些第 3 方公司告訴我，他們預計增長速度會很快，232 層將成為美光明年產(chǎn)量的主要部分。

　　三星分享存儲芯片最新路線圖

　　本周，三星 Safe 活動隆重舉行。第一個主題演講來自晶圓業(yè)務發(fā)展團隊執(zhí)行副總裁 Moonsoo Kang。第二場演講由系統(tǒng) LSI 業(yè)務產(chǎn)品團隊負責人 Hyeokman Kwon 和內(nèi)存銷售 Jim Elliot 主持。在我看來，三星今年最令人難忘（雙關語）的演講來自內(nèi)存組。

　　“1 萬億 GB 是三星自 40 多年前創(chuàng)立以來所制造的內(nèi)存總量，但僅在過去三年，三星就生產(chǎn)了其中的一版，這表明數(shù)字化轉型的進展速度有多快，”三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務負責人 Jung-bae Lee 說。“隨著內(nèi)存帶寬、容量和功率效率的進步使新平臺成為可能，而這些反過來又刺激了更多的半導體創(chuàng)新，我們將在數(shù)字共同進化的過程中越來越多地推動更高水平的集成?！?/p>

　　Jim Elliot 從事內(nèi)存業(yè)務已有 25 年，其中有 20 年在三星。僅這一點在硅谷就是一項令人印象深刻的壯舉。Jim 很投入，并為內(nèi)存業(yè)務的發(fā)展提供了美好的前景。

　　Jim 強調(diào)了 PC、手機以及我們今天所處的數(shù)據(jù)驅(qū)動（可用性和可靠性）時代的行業(yè)驅(qū)動力。據(jù)報道，世界上 90% 的數(shù)據(jù)是在過去兩年中創(chuàng)建的，并且這種高速增長將繼續(xù)下去。

　　對于增長趨勢，Jim 提到了元宇宙、汽車和人工智能機器人。我認為，對于內(nèi)存和邏輯，人工智能都將成為大多數(shù)半導體細分市場的潛在增長驅(qū)動力，并且需要大量先進的內(nèi)存和邏輯。需要明確的是，人工智能將觸及大量的芯片，這些芯片永遠不會有足夠的邏輯或內(nèi)存性能和密度。

　　一個價值七千億美元的問題是：“內(nèi)存技術能否跟上數(shù)據(jù)爆炸的需求？” 答案當然是肯定的，Jim 解釋了原因。

　　根據(jù) Jim 的說法，內(nèi)存節(jié)點轉換已從 90nm 推進到10nm。為了應對即將到來的挑戰(zhàn)，Jim 更詳細地談到了三星內(nèi)存。

　　三星推出了其第五代 10nm 級 DRAM 以及第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND)。今天，三星有 567 個 DRAM 訂單和 617 個 NAND 訂單。讓我們面對現(xiàn)實吧，三星是排名第一的半導體公司是有原因的，而內(nèi)存是三星半導體王朝背后的驅(qū)動力，所以我認為這種情況不會很快發(fā)生變化。

　　Jim 的演講涵蓋了合作伙伴關系、替代商業(yè)模式以及即將到來的開放式創(chuàng)新三星內(nèi)存研究中心。他還介紹了 DRAM 和 NAND 的路線圖：

　　Jim 總結了關于移動、服務器、云以及汽車發(fā)展（車輪上的服務器）的應用說明。三星目前有 400 個汽車項目正在進行中，并與 60 多家汽車客戶進行量產(chǎn)。

　　全球芯片需求放緩，三星利潤三年來首次下滑

　　三星電子宣布近三年來首次出現(xiàn)利潤下滑，這表明隨著電子設備需求的消退，行業(yè)衰退正在加深。

　　這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機生產(chǎn)商周五估計，截至 9 月底的三個月營業(yè)利潤為 108 億韓元（77 億美元），同比下降 32%。

　　這遠低于彭博社對 Won12.1tn 的估計，這標志著自 2020 年以來利潤首次下降。銷售額為 Won76tn，同比增長 3%。

　　在美國芯片制造商美光科技和日本鎧俠控股削減支出以應對供應過剩之后，該利潤指引低于預期。美國芯片制造商 Advanced Micro Devices 周四將其第三季度收入預期從 8 月份的預期下調(diào)了約 11 億美元。

　　“由于宏觀經(jīng)濟逆風，智能手機、個人電腦和電視需求下降的速度非?？臁Ｓ捎趲齑娓?，削減芯片訂單的速度更快，”新韓證券分析師 Choi Do-yeon 表示。

　　但本周早些時候，三星一位高管在美國告訴記者，公司目前還沒有考慮減產(chǎn)。

　　該公司的半導體業(yè)務負責人 Kyung Kye-hyun 預計內(nèi)存市場將持續(xù)低迷，直到明年年底。據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道，他最近在一次內(nèi)部活動中告訴員工，三星將其下半年的芯片銷售預期從 4 月份的預測下調(diào)了 32%。

　　今年迄今為止，悲觀的前景已推動三星股價下跌約 30%。但摩根士丹利本周升級了半導體板塊，推高了三星和 SK 海力士的股價，因預期明年下半年市場會反彈。

　　Kiwoom Securities 分析師 Park Yuak 表示：“在對經(jīng)濟前景日益擔憂的情況下，客戶突然調(diào)整庫存，令半導體行業(yè)感到不安。” “盡管庫存調(diào)整可能在明年第一季度結束，但下半年的芯片價格將遠低于預期?！?/p>

　　地緣政治風險是芯片制造商關注的另一個領域。預計華盛頓將于周五宣布對中國存儲芯片制造商的新限制，以遏制北京的技術進步。

　　然而，分析師表示，此舉可能會影響韓國公司在中國的業(yè)務。

　　三星在西安市擁有一家 Nand 閃存芯片工廠，而 SK 海力士在無錫擁有一家 Dram 芯片工廠，在大連擁有一家兩年前從英特爾購買的 Nand 工廠。

　　作為喬·拜登總統(tǒng)《芯片與科學法案》的一部分，韓國公司最近宣布了一系列在美國建造新工廠的交易。

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