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3dnand 相關(guān)文章(55篇)
三星3D NAND閃存工藝取得重大突破
發(fā)表于:11/27/2024 11:02:05 AM
NEO半導(dǎo)體推出3D X-AI芯片
發(fā)表于:8/16/2024 10:10:25 AM
鎧俠目標(biāo)2027年3D NAND閃存實現(xiàn)1000層堆疊
發(fā)表于:6/28/2024 8:55:00 AM
長江存儲起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁
發(fā)表于:6/21/2024 8:30:38 AM
美光 1.5TB microSD 卡開始上市,采用 176 層 NAND 閃存
發(fā)表于:2/8/2023 6:31:35 AM
長江存儲或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場
發(fā)表于:12/22/2022 9:12:37 AM
復(fù)享光學(xué)首次提出薄膜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 3D NAND多層薄膜量測獲突破
發(fā)表于:12/6/2022 9:08:04 PM
三星宣布,236層3D NAND量產(chǎn)
發(fā)表于:11/7/2022 11:55:37 AM
SK海力士宣布在中國新建3D NAND工廠
發(fā)表于:5/20/2022 5:48:09 AM
鎧俠將擴(kuò)建位于北上市的工廠, 以提高3D NAND閃存產(chǎn)量
發(fā)表于:3/23/2022 10:08:14 PM
鎧俠談3D NAND閃存技術(shù)的未來
發(fā)表于:9/29/2021 9:41:43 AM
兼具高速率和安全性:儒卓力提供宇瞻科技超高速工業(yè)PCIeSSD產(chǎn)品 PV140-25
發(fā)表于:6/9/2021 11:52:34 PM
183億美元!鎧俠擬斥巨資建造3D NAND工廠
發(fā)表于:5/16/2021 1:23:59 AM
SK海力士預(yù)測存儲未來:3D NAND600層以上,DRAM10nm以下
發(fā)表于:3/28/2021 7:42:09 PM
?SK海力士展示存儲未來:600層3D NAND,用EUV造DRAM
發(fā)表于:3/25/2021 1:54:12 PM
外媒:長江存儲今年將超越三星、美光
發(fā)表于:1/13/2021 1:12:41 PM
SK海力士發(fā)布176層3D NAND
發(fā)表于:12/8/2020 11:57:27 AM
中國芯片制造突圍之路在哪長,江存儲楊士寧一語點破
發(fā)表于:11/21/2020 11:22:47 PM
?TechInsights講述3D NAND閃存的發(fā)展方向
發(fā)表于:11/19/2020 10:02:24 AM
上海新陽擬定增募資,8.15億元用于光刻膠項目
發(fā)表于:11/4/2020 6:24:41 AM
投建3D NAND閃存主控芯片等項目,德明利創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理
發(fā)表于:10/17/2020 10:20:09 AM
泛林集團(tuán)推出先進(jìn)介電質(zhì)填隙技術(shù),推動下一代器件的發(fā)展
發(fā)表于:9/22/2020 11:06:46 AM
臺灣廠商大舉殺入3D NAND Flash市場
發(fā)表于:5/19/2020 11:23:31 AM
2021年NAND Flash市場競爭加劇
發(fā)表于:4/22/2020 9:51:51 AM
長江存儲宣布128層3D NAND閃存芯片研發(fā)成功
發(fā)表于:4/13/2020 11:15:00 AM
內(nèi)存SSD大漲價 為什么專家每次都說對了?
發(fā)表于:2/25/2020 6:26:05 PM
憑借BiCS5 3D NAND技術(shù),西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢
發(fā)表于:2/19/2020 2:15:49 PM
重大突破!中國首款64層3D NAND閃存量產(chǎn)
發(fā)表于:9/2/2019 4:24:42 PM
長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)
發(fā)表于:9/2/2019 9:04:57 AM
2019年全球半導(dǎo)體將迎來復(fù)蘇的一年
發(fā)表于:3/2/2019 6:00:00 AM
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