在經(jīng)歷了2021-2022的寒冬后，存儲市場彌漫著一股悲觀的情緒，何時止跌，何時回暖，成為了大家在2023年最為關(guān)注的問題。
機構(gòu)與廠商表示，存儲價格預(yù)計在今年第二季度到達谷底，市場有望在第三季度觸底反彈。如火如荼的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車和工業(yè)機器人，AI算力提升的需求，以及ChatGPT的拉動，有望讓存儲市場在2023年下半年一掃陰霾，迅速回暖增長。
市場轉(zhuǎn)暖，需求再度旺盛，價格回抬，這正是國產(chǎn)廠商難得的一場的機遇，而廠商能否把握機會，借助這股東風(fēng)，乘勢而起，迎來發(fā)展的第二春呢？
恰好聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的東芯半導(dǎo)體，其于近日發(fā)布了2022年財報，在這份財報中，或許我們可以一瞥國產(chǎn)存儲廠商的信心所在。
市場與產(chǎn)品布局
4月14日，東芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱東芯，證券代碼688110）了發(fā)布2022年度業(yè)績報告。報告顯示，在2022年財年，公司實現(xiàn)營業(yè)總收入為11.46億元，比上年同期1.03% 。歸屬于上市公司股東的凈利潤為 1.85 億元，歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為1.65億元。
雖然從利潤上看，在行業(yè)現(xiàn)狀的影響下，公司也不能置身事外。但正如東芯在財報中說，公 司積極應(yīng)對挑戰(zhàn)，不斷精進研發(fā)技術(shù)實力，持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，加強品質(zhì)與服務(wù)管理，開拓新市場與新應(yīng)用，總體發(fā)展穩(wěn)中有進。
“公司高度重視并始終保持高水平研發(fā)投入，堅持技術(shù)創(chuàng)新，保證公司產(chǎn)品的技術(shù)先進性。2022 年公司堅持開發(fā)新產(chǎn)品和技術(shù)升級?！睎|芯在財報中強調(diào)。
作為國內(nèi)少有的具備多種存儲芯片技術(shù)儲備的企業(yè)，東芯的存儲產(chǎn)品布局可以用豐富來形容，從NAND到NOR再到DRAM，較為全面的橫向布局讓東芯在成熟產(chǎn)品的細(xì)分市場實現(xiàn)了填補和替代效應(yīng)，與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)形成了差異化競爭。
首先看NAND Flash方面，如財報中所說，東芯股份的SLC NAND Flash 量產(chǎn)產(chǎn)品以中芯國際 38nm、24nm，力積電 28nm 的制程為主。在存儲容量方面則覆蓋了 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，廣泛應(yīng)用于如 5G 通訊模塊和集成度要求較高的終端系統(tǒng)運行模塊。
此外，東芯還在 28nm 及 24nm 的制程上持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，不斷擴充 SLC NAND Flash 產(chǎn)品線，報告期內(nèi)部分新產(chǎn)品已達到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。公司先進制程的 1xnm NAND Flash 產(chǎn)品已完成首輪晶圓流片，并已完成功能性驗證。
據(jù)東芯在財報中介紹，公司自主設(shè)計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋 64Mb 至 1Gb，并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式， 普遍應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、移動終端等領(lǐng)域。從技術(shù)構(gòu)成上看，公司的 NOR Flash 產(chǎn)品在力積電的 48nm 制程上持續(xù)進行更高容量的新產(chǎn)品開發(fā)，目前 512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 產(chǎn)品都已有樣品可提供給客戶。
與此同時，東芯還在中芯國際的 NOR Flash 產(chǎn)品制程從 65nm 推進至 55nm，目前該制程產(chǎn)線已完成首次晶圓流片。公司將持續(xù)在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上為客戶提供更多樣化的、高可靠性的產(chǎn)品選擇。
來到DRAM方面，東芯方面表示，公司研發(fā)的 DDR3(L)系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的 DRAM 產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時等特點，在通訊設(shè)備、移動終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛;公司針對移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求，自主研發(fā)的 LPDDR 系列產(chǎn)品具有低功耗、高傳輸速度等特點，適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用。
“公司設(shè)計研發(fā)的 LPDDR4X 及 PSRAM 產(chǎn)品均已完成工程樣片并已通過客戶驗證，公司將繼續(xù)在 DRAM 領(lǐng)域進行新產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計，助力公司產(chǎn)品多樣性發(fā)展?！睎|芯在財報中強調(diào)。
作為一家IC設(shè)計企業(yè)，東芯自成立以來一直采取 Fabless 模式，專注于集成電路設(shè)計及最終銷售環(huán)節(jié)，將晶圓制造、封裝和測試等環(huán)節(jié)外包給專門的晶圓代工、封裝及測試廠商。
進入2022年中，東芯持續(xù)優(yōu)化著自身產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，在加強與中芯國際及力積電兩家國際一流大廠的合作范圍與合作深度的同時，封裝測試方面也已經(jīng)與宏茂微、華潤安盛、南茂科技、AT Semicon 等境內(nèi)外知名封測廠建立穩(wěn)定的合作關(guān)系，在可預(yù)見的未來，東芯所構(gòu)筑的健全全球化供應(yīng)鏈，能滿足不同客戶的更多需求，在市場中形成自身的優(yōu)勢。
同時，為了更好地推進市場銷售，東芯產(chǎn)品銷售還采用“經(jīng)銷、直銷相結(jié)合”的銷售模式。經(jīng)銷模式下，公司與經(jīng)銷商之間采用買斷式銷售；直銷模式下，終端客戶直接向公司下訂單。在經(jīng)銷模式下，作為上下游產(chǎn)業(yè)的紐帶，經(jīng)銷商在開拓市場、提供客戶維護、加快資金流轉(zhuǎn)等方面具有優(yōu)勢，二者互相結(jié)合，有效帶動了東芯的銷售增長。
專利與技術(shù)研發(fā)
從財報中我們可以看到，能夠在競爭激烈的國內(nèi)市場獲得突圍，東芯半導(dǎo)體具有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)是公司突圍的根本。據(jù)介紹，東芯掌握了NAND/NOR/DRAM相關(guān)多類核心技術(shù)，而通過自身研發(fā)團隊，目前已形成較為完善的技術(shù)矩陣。依托自主技術(shù)，東芯可以根據(jù)客戶的特定需求提供 NAND、NOR、DRAM 等存儲芯片定制化的設(shè)計服務(wù)和整體解決方案，提升業(yè)務(wù)豐富度和客戶黏性。
針對市場需求的變化，公司也在加大研發(fā)方面的投入，為新一輪的市場變化做好充分準(zhǔn)備。據(jù)東芯在財報中披露，公司2022年研發(fā)投入1.10億元，同比增長47.46%，占當(dāng)期營業(yè)收入9.63%。
為了保證產(chǎn)品的輸出，東芯在2022年還結(jié)合社招、校招、內(nèi)部推薦等多種方式吸納人才， 報告期內(nèi)公司員工數(shù)量從 184 人增加至 234 人，增長 27.17%，其中研發(fā)與技術(shù)人員從 87 人增加 至 130 人，大幅增長 49.43%，研發(fā)人員占比從 47.28%增加至 55.56%。
在這個富有競爭實力的團隊支持下，東芯在很多技術(shù)上實現(xiàn)了創(chuàng)新。如如公司設(shè)計研發(fā)的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均為我國領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，實現(xiàn)了國內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。當(dāng)中的NAND Flash 產(chǎn)品，公司的核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲陣列、ECC 模塊與接口模塊統(tǒng)一集成 在同一芯片內(nèi)，有效節(jié)約了芯片面積，降低了產(chǎn)品成本，提高了公司產(chǎn)品的市場競爭力。
截止去年年底，公司的在研項目涵括了1xnm NAND Flash 系列產(chǎn)品、24nm NAND Flash 系列產(chǎn)品、28nm NAND Flash 系列產(chǎn)品、48nm NOR Flash 系列產(chǎn)品、55nm NOR Flash系列產(chǎn)品、25nm 4Gb LPDDR4X。此外，公司還在投入到DRAM產(chǎn)品和車規(guī)產(chǎn)品的研發(fā)。
據(jù)介紹，東芯股份基于中芯國際 38nm 工藝平臺的 SLC NAND Flash和基于力積電 48nm 工藝平臺打造的NOR Flash已經(jīng)通過 AEC-Q100 測試，適用于要求更為嚴(yán)苛的車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境。
東芯在2022年財報周期內(nèi)申請了63項發(fā)明專利、1 項軟件著作權(quán)、13項集成電路布圖設(shè)計權(quán)。
截至報告期末，東芯共擁有境內(nèi)外有效專利 70 項、軟件著作權(quán) 13 項、集成電路布圖設(shè)計權(quán) 68 項、注冊商標(biāo) 11 項，累計申請境內(nèi)外專利 150 項，獲得專利授權(quán) 69 項，專利涉及 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存儲芯片的設(shè)計核心環(huán)節(jié)，企業(yè)厚積薄發(fā)之勢愈發(fā)明顯。
基于這些自主完整的知識產(chǎn)權(quán)，東芯還能根據(jù)客戶需求定制其所需要的存儲芯片定制化的設(shè)計服務(wù) 和整體解決方案，幫助客戶降低產(chǎn)品開發(fā)時間和成本，提高產(chǎn)品開發(fā)效率。而在為客戶進行定制化產(chǎn)品過程中，東芯不斷深入了解市場需求，接收客戶反饋，已經(jīng)建立了 “研發(fā)-轉(zhuǎn)化-創(chuàng)新”的技術(shù)發(fā)展循環(huán)，有利于公司進一步增強技術(shù)研發(fā)實力。
展望未來，東芯表示，首先，公司將持續(xù)微縮產(chǎn)品制程，堅持穩(wěn)定的供應(yīng)鏈布局。
據(jù)介紹，公司將在現(xiàn)有的存儲芯片設(shè)計能力的基礎(chǔ)上，持續(xù)與中芯國際合作開發(fā)生產(chǎn) 1xnm NAND Flash 芯片，實現(xiàn)國內(nèi)存儲芯片先進制程技術(shù)的進一步突破，從而為將來設(shè)計更高容量、更具成 本優(yōu)勢的產(chǎn)品打開空間，提供先進工藝制程的保障。
其次，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，開拓多元化市場。在目前的產(chǎn)品線基礎(chǔ)上，東芯將憑借強大的研發(fā)能力，不斷推陳出新，及時迭代提升產(chǎn)品關(guān)鍵性能，涵蓋市場主流的中小容量存儲芯片產(chǎn)品。
例如在 SLC NAND Flash 方面，公司將不斷提升 2xnm 產(chǎn)品良率;在 NOR Flash 產(chǎn)品方面公司將逐 步實現(xiàn) 55nm 工藝產(chǎn)品全面量產(chǎn);DRAM 方面公司將持續(xù)開發(fā)更先進工藝制程下的 DRAM 產(chǎn)品，進一步擴大公司存儲器產(chǎn)品的種類與規(guī)模。
公司還將聚焦高附加值產(chǎn)品，順應(yīng)汽車產(chǎn)業(yè)在智能網(wǎng)聯(lián)功能的布局，大力發(fā)展在工藝技術(shù)、使用環(huán)境、抗振能力、可靠性等方面比傳統(tǒng)消費電子類存儲芯片要求更高的車規(guī)級存儲芯片，實現(xiàn)車規(guī)級閃存產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)。
國產(chǎn)存儲的新機遇
如何在發(fā)生波動的存儲市場中抓住國產(chǎn)替代的機會，在行業(yè)大趨勢下，實現(xiàn)半導(dǎo)體“區(qū)域化”“自主化”的轉(zhuǎn)變，這不僅是國家層面的問題，也是國產(chǎn)存儲廠商面臨的一場新挑戰(zhàn)。
而東芯半導(dǎo)體作為細(xì)分市場的新生力量，憑借強大的研發(fā)能力和穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系，在2022年的寒冬里站住了腳跟，它所發(fā)布的2022年財報無疑是一份讓投資人滿意的高分答卷。
目前國內(nèi)集成電路需求依舊旺盛，而自給量不足，這種情況下集成電路產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代大有可為，而聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的東芯，從創(chuàng)立之初，就堅定了自己的方向，通過差異化競爭成功在市場中站穩(wěn)腳跟，在2022年財報中，我們可以看到東芯依舊保持銳意進取之意，在研發(fā)技術(shù)方面保持高額投入，持續(xù)鞏固自己的獨特優(yōu)勢。
在新能源汽車迅速發(fā)展的2023年，已經(jīng)開始布局車規(guī)芯片市場的東芯，會給我們帶來什么樣的驚喜，這非常值得期待。
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