在經(jīng)歷了2021-2022的寒冬后，存儲(chǔ)市場(chǎng)彌漫著一股悲觀的情緒，何時(shí)止跌，何時(shí)回暖，成為了大家在2023年最為關(guān)注的問(wèn)題。

　　機(jī)構(gòu)與廠商表示，存儲(chǔ)價(jià)格預(yù)計(jì)在今年第二季度到達(dá)谷底，市場(chǎng)有望在第三季度觸底反彈。如火如荼的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車和工業(yè)機(jī)器人，AI算力提升的需求，以及ChatGPT的拉動(dòng)，有望讓存儲(chǔ)市場(chǎng)在2023年下半年一掃陰霾，迅速回暖增長(zhǎng)。

　　市場(chǎng)轉(zhuǎn)暖，需求再度旺盛，價(jià)格回抬，這正是國(guó)產(chǎn)廠商難得的一場(chǎng)的機(jī)遇，而廠商能否把握機(jī)會(huì)，借助這股東風(fēng)，乘勢(shì)而起，迎來(lái)發(fā)展的第二春呢？

　　恰好聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的東芯半導(dǎo)體，其于近日發(fā)布了2022年財(cái)報(bào)，在這份財(cái)報(bào)中，或許我們可以一瞥國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商的信心所在。

　　市場(chǎng)與產(chǎn)品布局

　　4月14日，東芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱東芯，證券代碼688110）了發(fā)布2022年度業(yè)績(jī)報(bào)告。報(bào)告顯示，在2022年財(cái)年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入為11.46億元，比上年同期1.03% 。歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為 1.85 億元，歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)為1.65億元。

　　雖然從利潤(rùn)上看，在行業(yè)現(xiàn)狀的影響下，公司也不能置身事外。但正如東芯在財(cái)報(bào)中說(shuō)，公 司積極應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，不斷精進(jìn)研發(fā)技術(shù)實(shí)力，持續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，加強(qiáng)品質(zhì)與服務(wù)管理，開(kāi)拓新市場(chǎng)與新應(yīng)用，總體發(fā)展穩(wěn)中有進(jìn)。

　　“公司高度重視并始終保持高水平研發(fā)投入，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，保證公司產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性。2022 年公司堅(jiān)持開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品和技術(shù)升級(jí)?！睎|芯在財(cái)報(bào)中強(qiáng)調(diào)。

　　作為國(guó)內(nèi)少有的具備多種存儲(chǔ)芯片技術(shù)儲(chǔ)備的企業(yè)，東芯的存儲(chǔ)產(chǎn)品布局可以用豐富來(lái)形容，從NAND到NOR再到DRAM，較為全面的橫向布局讓東芯在成熟產(chǎn)品的細(xì)分市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了填補(bǔ)和替代效應(yīng)，與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)形成了差異化競(jìng)爭(zhēng)。

　　首先看NAND Flash方面，如財(cái)報(bào)中所說(shuō)，東芯股份的SLC NAND Flash 量產(chǎn)產(chǎn)品以中芯國(guó)際 38nm、24nm，力積電 28nm 的制程為主。在存儲(chǔ)容量方面則覆蓋了 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，廣泛應(yīng)用于如 5G 通訊模塊和集成度要求較高的終端系統(tǒng)運(yùn)行模塊。

　　此外，東芯還在 28nm 及 24nm 的制程上持續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，不斷擴(kuò)充 SLC NAND Flash 產(chǎn)品線，報(bào)告期內(nèi)部分新產(chǎn)品已達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。公司先進(jìn)制程的 1xnm NAND Flash 產(chǎn)品已完成首輪晶圓流片，并已完成功能性驗(yàn)證。

　　據(jù)東芯在財(cái)報(bào)中介紹，公司自主設(shè)計(jì)的 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)容量覆蓋 64Mb 至 1Gb，并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式， 普遍應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域。從技術(shù)構(gòu)成上看，公司的 NOR Flash 產(chǎn)品在力積電的 48nm 制程上持續(xù)進(jìn)行更高容量的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，目前 512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 產(chǎn)品都已有樣品可提供給客戶。

　　與此同時(shí)，東芯還在中芯國(guó)際的 NOR Flash 產(chǎn)品制程從 65nm 推進(jìn)至 55nm，目前該制程產(chǎn)線已完成首次晶圓流片。公司將持續(xù)在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上為客戶提供更多樣化的、高可靠性的產(chǎn)品選擇。

　　來(lái)到DRAM方面，東芯方面表示，公司研發(fā)的 DDR3(L)系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的 DRAM 產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛;公司針對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求，自主研發(fā)的 LPDDR 系列產(chǎn)品具有低功耗、高傳輸速度等特點(diǎn)，適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用。

　　“公司設(shè)計(jì)研發(fā)的 LPDDR4X 及 PSRAM 產(chǎn)品均已完成工程樣片并已通過(guò)客戶驗(yàn)證，公司將繼續(xù)在 DRAM 領(lǐng)域進(jìn)行新產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)，助力公司產(chǎn)品多樣性發(fā)展。”東芯在財(cái)報(bào)中強(qiáng)調(diào)。

　　作為一家IC設(shè)計(jì)企業(yè)，東芯自成立以來(lái)一直采取 Fabless 模式，專注于集成電路設(shè)計(jì)及最終銷售環(huán)節(jié)，將晶圓制造、封裝和測(cè)試等環(huán)節(jié)外包給專門(mén)的晶圓代工、封裝及測(cè)試廠商。

　　進(jìn)入2022年中，東芯持續(xù)優(yōu)化著自身產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，在加強(qiáng)與中芯國(guó)際及力積電兩家國(guó)際一流大廠的合作范圍與合作深度的同時(shí)，封裝測(cè)試方面也已經(jīng)與宏茂微、華潤(rùn)安盛、南茂科技、AT Semicon 等境內(nèi)外知名封測(cè)廠建立穩(wěn)定的合作關(guān)系，在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，東芯所構(gòu)筑的健全全球化供應(yīng)鏈，能滿足不同客戶的更多需求，在市場(chǎng)中形成自身的優(yōu)勢(shì)。

　　同時(shí)，為了更好地推進(jìn)市場(chǎng)銷售，東芯產(chǎn)品銷售還采用“經(jīng)銷、直銷相結(jié)合”的銷售模式。經(jīng)銷模式下，公司與經(jīng)銷商之間采用買斷式銷售；直銷模式下，終端客戶直接向公司下訂單。在經(jīng)銷模式下，作為上下游產(chǎn)業(yè)的紐帶，經(jīng)銷商在開(kāi)拓市場(chǎng)、提供客戶維護(hù)、加快資金流轉(zhuǎn)等方面具有優(yōu)勢(shì)，二者互相結(jié)合，有效帶動(dòng)了東芯的銷售增長(zhǎng)。

　　專利與技術(shù)研發(fā)

　　從財(cái)報(bào)中我們可以看到，能夠在競(jìng)爭(zhēng)激烈的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)獲得突圍，東芯半導(dǎo)體具有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)是公司突圍的根本。據(jù)介紹，東芯掌握了NAND/NOR/DRAM相關(guān)多類核心技術(shù)，而通過(guò)自身研發(fā)團(tuán)隊(duì)，目前已形成較為完善的技術(shù)矩陣。依托自主技術(shù)，東芯可以根據(jù)客戶的特定需求提供 NAND、NOR、DRAM 等存儲(chǔ)芯片定制化的設(shè)計(jì)服務(wù)和整體解決方案，提升業(yè)務(wù)豐富度和客戶黏性。

　　針對(duì)市場(chǎng)需求的變化，公司也在加大研發(fā)方面的投入，為新一輪的市場(chǎng)變化做好充分準(zhǔn)備。據(jù)東芯在財(cái)報(bào)中披露，公司2022年研發(fā)投入1.10億元，同比增長(zhǎng)47.46%，占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入9.63%。

　　為了保證產(chǎn)品的輸出，東芯在2022年還結(jié)合社招、校招、內(nèi)部推薦等多種方式吸納人才， 報(bào)告期內(nèi)公司員工數(shù)量從 184 人增加至 234 人，增長(zhǎng) 27.17%，其中研發(fā)與技術(shù)人員從 87 人增加 至 130 人，大幅增長(zhǎng) 49.43%，研發(fā)人員占比從 47.28%增加至 55.56%。

　　在這個(gè)富有競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的團(tuán)隊(duì)支持下，東芯在很多技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新。如如公司設(shè)計(jì)研發(fā)的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均為我國(guó)領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。當(dāng)中的NAND Flash 產(chǎn)品，公司的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲(chǔ)陣列、ECC 模塊與接口模塊統(tǒng)一集成 在同一芯片內(nèi)，有效節(jié)約了芯片面積，降低了產(chǎn)品成本，提高了公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　截止去年年底，公司的在研項(xiàng)目涵括了1xnm NAND Flash 系列產(chǎn)品、24nm NAND Flash 系列產(chǎn)品、28nm NAND Flash 系列產(chǎn)品、48nm NOR Flash 系列產(chǎn)品、55nm NOR Flash系列產(chǎn)品、25nm 4Gb LPDDR4X。此外，公司還在投入到DRAM產(chǎn)品和車規(guī)產(chǎn)品的研發(fā)。

　　據(jù)介紹，東芯股份基于中芯國(guó)際 38nm 工藝平臺(tái)的 SLC NAND Flash和基于力積電 48nm 工藝平臺(tái)打造的NOR Flash已經(jīng)通過(guò) AEC-Q100 測(cè)試，適用于要求更為嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境。

　　東芯在2022年財(cái)報(bào)周期內(nèi)申請(qǐng)了63項(xiàng)發(fā)明專利、1 項(xiàng)軟件著作權(quán)、13項(xiàng)集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán)。

　　截至報(bào)告期末，東芯共擁有境內(nèi)外有效專利 70 項(xiàng)、軟件著作權(quán) 13 項(xiàng)、集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán) 68 項(xiàng)、注冊(cè)商標(biāo) 11 項(xiàng)，累計(jì)申請(qǐng)境內(nèi)外專利 150 項(xiàng)，獲得專利授權(quán) 69 項(xiàng)，專利涉及 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)核心環(huán)節(jié)，企業(yè)厚積薄發(fā)之勢(shì)愈發(fā)明顯。

　　基于這些自主完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，東芯還能根據(jù)客戶需求定制其所需要的存儲(chǔ)芯片定制化的設(shè)計(jì)服務(wù) 和整體解決方案，幫助客戶降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本，提高產(chǎn)品開(kāi)發(fā)效率。而在為客戶進(jìn)行定制化產(chǎn)品過(guò)程中，東芯不斷深入了解市場(chǎng)需求，接收客戶反饋，已經(jīng)建立了 “研發(fā)-轉(zhuǎn)化-創(chuàng)新”的技術(shù)發(fā)展循環(huán)，有利于公司進(jìn)一步增強(qiáng)技術(shù)研發(fā)實(shí)力。

　　展望未來(lái)，東芯表示，首先，公司將持續(xù)微縮產(chǎn)品制程，堅(jiān)持穩(wěn)定的供應(yīng)鏈布局。

　　據(jù)介紹，公司將在現(xiàn)有的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)能力的基礎(chǔ)上，持續(xù)與中芯國(guó)際合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn) 1xnm NAND Flash 芯片，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片先進(jìn)制程技術(shù)的進(jìn)一步突破，從而為將來(lái)設(shè)計(jì)更高容量、更具成 本優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品打開(kāi)空間，提供先進(jìn)工藝制程的保障。

　　其次，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，開(kāi)拓多元化市場(chǎng)。在目前的產(chǎn)品線基礎(chǔ)上，東芯將憑借強(qiáng)大的研發(fā)能力，不斷推陳出新，及時(shí)迭代提升產(chǎn)品關(guān)鍵性能，涵蓋市場(chǎng)主流的中小容量存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。

　　例如在 SLC NAND Flash 方面，公司將不斷提升 2xnm 產(chǎn)品良率;在 NOR Flash 產(chǎn)品方面公司將逐 步實(shí)現(xiàn) 55nm 工藝產(chǎn)品全面量產(chǎn);DRAM 方面公司將持續(xù)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)工藝制程下的 DRAM 產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大公司存儲(chǔ)器產(chǎn)品的種類與規(guī)模。

　　公司還將聚焦高附加值產(chǎn)品，順應(yīng)汽車產(chǎn)業(yè)在智能網(wǎng)聯(lián)功能的布局，大力發(fā)展在工藝技術(shù)、使用環(huán)境、抗振能力、可靠性等方面比傳統(tǒng)消費(fèi)電子類存儲(chǔ)芯片要求更高的車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片，實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)閃存產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)。

　　國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的新機(jī)遇

　　如何在發(fā)生波動(dòng)的存儲(chǔ)市場(chǎng)中抓住國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)，在行業(yè)大趨勢(shì)下，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體“區(qū)域化”“自主化”的轉(zhuǎn)變，這不僅是國(guó)家層面的問(wèn)題，也是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商面臨的一場(chǎng)新挑戰(zhàn)。

　　而東芯半導(dǎo)體作為細(xì)分市場(chǎng)的新生力量，憑借強(qiáng)大的研發(fā)能力和穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系，在2022年的寒冬里站住了腳跟，它所發(fā)布的2022年財(cái)報(bào)無(wú)疑是一份讓投資人滿意的高分答卷。

　　目前國(guó)內(nèi)集成電路需求依舊旺盛，而自給量不足，這種情況下集成電路產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)替代大有可為，而聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的東芯，從創(chuàng)立之初，就堅(jiān)定了自己的方向，通過(guò)差異化競(jìng)爭(zhēng)成功在市場(chǎng)中站穩(wěn)腳跟，在2022年財(cái)報(bào)中，我們可以看到東芯依舊保持銳意進(jìn)取之意，在研發(fā)技術(shù)方面保持高額投入，持續(xù)鞏固自己的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

　　在新能源汽車迅速發(fā)展的2023年，已經(jīng)開(kāi)始布局車規(guī)芯片市場(chǎng)的東芯，會(huì)給我們帶來(lái)什么樣的驚喜，這非常值得期待。

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