全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)，從而擴展其在電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務(wù)范圍。

Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞薩CEO柴田英利

作為碳中和的基石，對高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加。為了應(yīng)對這一趨勢，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過渡。這些先進材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩已宣布建立一條內(nèi)部SiC生產(chǎn)線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。

瑞薩現(xiàn)目標(biāo)是利用Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識進一步擴展其WBG產(chǎn)品陣容。GaN是一種新興材料，可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優(yōu)勢使客戶的系統(tǒng)具有更高效、更小、更輕的結(jié)構(gòu)以及更低的總體成本。也因此，根據(jù)行業(yè)研究，GaN的需求預(yù)計每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應(yīng)用的解決方案。

瑞薩首席執(zhí)行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由來自加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經(jīng)驗豐富的團隊所領(lǐng)導(dǎo)的公司。Transphorm GaN技術(shù)的加入增強了我們在IGBT和SiC領(lǐng)域的發(fā)展勢頭。它將推動和擴大我們的關(guān)鍵增長支柱之一的功率產(chǎn)品陣容，使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案?！薄?nbsp;

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人、總裁兼首席執(zhí)行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Umesh Mishra博士表示：“結(jié)合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶關(guān)系，我們很高興能為WBG材料的行業(yè)廣泛采用鋪平道路，為其顯著增長奠定基礎(chǔ)。這項交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展服務(wù)，并為我們的股東帶來可觀的即時現(xiàn)金價值。此外，它將為我們杰出的團隊提供一個強大的平臺，以進一步發(fā)展Transphorm卓越的GaN技術(shù)和產(chǎn)品?！?/p>

交易明細

Transphorm董事會已一致批準(zhǔn)最終協(xié)議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準(zhǔn)合并。在簽署最終協(xié)議的同時，持有Transphorm約38.6%已發(fā)行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協(xié)議以支持本次交易。

該交易預(yù)計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準(zhǔn)、監(jiān)管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。更多信息您可點擊文末閱讀原文訪問查看。

關(guān)于Transphorm, Inc.

Transphorm, Inc.是GaN革新的全球引領(lǐng)者，為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計和制造高性能和高可靠性的GaN半導(dǎo)體。Transphorm擁有超過1,000項自有或許可專利的功率GaN IP產(chǎn)品組合，生產(chǎn)業(yè)界首款符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高壓GaN半導(dǎo)體器件。Transphorm的垂直整合設(shè)備業(yè)務(wù)模式允許在每個開發(fā)階段進行創(chuàng)新：設(shè)計、制造、設(shè)備和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子技術(shù)突破了硅的限制，實現(xiàn)了超過99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系統(tǒng)成本。Transphorm總部位于加利福尼亞州戈利塔，并在日本會津和戈利塔設(shè)有制造工廠。