據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。

除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相），這家韓國(guó)科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。

雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引腳 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 級(jí)晶圓代工節(jié)點(diǎn)的 Symmetric-Mosaic 架構(gòu)設(shè)計(jì)，專門針對(duì) DRAM 產(chǎn)品量身定制。

IT之家注意到，三星電子內(nèi)存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 產(chǎn)品時(shí)表示：“憑借我們的 12nm 級(jí) 32Gb DRAM，我們已經(jīng)獲得了一種解決方案，可以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1TB (TB) 的 DRAM 模塊，使我們能夠理想地滿足人工智能 (AI) 和大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)高容量 DRAM 的日益增長(zhǎng)的需求。我們將繼續(xù)通過(guò)差異化的工藝和設(shè)計(jì)技術(shù)開發(fā) DRAM 解決方案，突破內(nèi)存技術(shù)的極限。”

之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要硅通孔 (TSV) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產(chǎn) 128GB 模塊，三星表示這將使功耗降低約 10%。對(duì)于目前正在與人工智能不斷增長(zhǎng)的能源需求作斗爭(zhēng)的數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)受歡迎的解決方案。

三星最新的 DDR5 技術(shù)允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創(chuàng)建 32 GB 和 48 GB DIMM，還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。