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GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

帶寬達(dá) GDDR6 兩倍,AMD、英偉達(dá)均將支持
2024-03-06
來源:IT之家

3 月 6 日消息,固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDEC 今日正式發(fā)布 JESD239 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)(Graphics Double Data Rate),JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍,每臺設(shè)備最高可達(dá) 192 GB/s。

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據(jù)介紹,JESD239 GDDR7 是第一個使用脈幅調(diào)制(Pulse Amplitude Modulation,PAM)接口進(jìn)行高頻操作的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) DRAM。其 PAM3 接口提高了高頻操作的信噪比(SNR),同時提高了能源效率。通過使用 3 個級別(+1,0,-1)在 2 個循環(huán)上傳輸 3 個比特,而傳統(tǒng)的 NRZ(不歸零)接口在 2 個周期上傳輸 2 個比特,PAM3 提供了更高的每循環(huán)數(shù)據(jù)傳輸速率,從而提高了性能。

JESD239 GDDR7 的其他高級功能包括:

具有眼圖掩蔽和錯誤計(jì)數(shù)器的核心獨(dú)立 LFSR(線性反饋移位寄存器)訓(xùn)練模式,可提高訓(xùn)練準(zhǔn)確性,同時減少訓(xùn)練時間。

獨(dú)立通道數(shù)量翻倍,從 GDDR6 中的 2 個增加到 GDDR7 中的 4 個。

支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度,包括支持 2 通道模式以使系統(tǒng)容量加倍。

通過整合最新的數(shù)據(jù)完整性功能,包括帶實(shí)時報(bào)告的片上 ECC(ODECC)、數(shù)據(jù)中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(yàn)(CAPARBLK),滿足 RAS(可靠性、可用性、可維護(hù)性)的市場需求。

JEDEC 董事會主席 Mian Quddus 表示:“JESD239 GDDR7 標(biāo)志著高速顯存設(shè)計(jì)的重大進(jìn)步。隨著向 PAM3 信號的轉(zhuǎn)變,顯存行業(yè)有了一條新的途徑來擴(kuò)展 GDDR 設(shè)備的性能,并推動圖形和各種高性能應(yīng)用的不斷發(fā)展?!?/p>

JEDEC GDDR 小組委員會主席 Michael Litt 說道:“GDDR7 是首款不僅專注于帶寬,而且通過整合最新數(shù)據(jù)完整性功能來滿足 RAS 市場需求的 GDDR,這些功能使 GDDR 設(shè)備能夠更好地服務(wù)云游戲和計(jì)算等現(xiàn)有市場,并擴(kuò)展到 AI。”

從公告中獲悉,AMD、美光、英偉達(dá)、三星、SK 海力士都對該標(biāo)準(zhǔn)表示了支持。此外,三星和美光都已經(jīng)制定了下一代 GDDR7 模塊的開發(fā)計(jì)劃。三星的目標(biāo)是 32 Gbps 速度,實(shí)現(xiàn) 1.6 倍的性能提升;而美光的目標(biāo)也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的路線圖中還表示,到 2026 年,將推出高達(dá) 36 Gbps 和 24Gb+ 的顯存芯片。


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