2024年3月14日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。

CoolSiC MOSFET 750 V G1技術(shù)的特點(diǎn)是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優(yōu)值（FOM），在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中均具有超高的效率。其獨(dú)特的高閾值電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低QGD/QGS比率組合具有對(duì)寄生導(dǎo)通的高度穩(wěn)健性并且實(shí)現(xiàn)了單極柵極驅(qū)動(dòng)，不僅提高了功率密度，還降低了系統(tǒng)成本。所有半導(dǎo)體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術(shù)，在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設(shè)計(jì)加上英飛凌的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)保證了長(zhǎng)期穩(wěn)定的性能。

全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列在25°C時(shí)的RDS(on)為8至140 mΩ，可滿足廣泛的需求。其在設(shè)計(jì)上具有較低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，大幅提升了整體系統(tǒng)效率。創(chuàng)新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優(yōu)化電路內(nèi)功率環(huán)路電感，在實(shí)現(xiàn)高功率密度的同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。值得一提的是，該產(chǎn)品系列采用了先進(jìn)的QDPAK頂部冷卻封裝。

供貨情況

適用于汽車應(yīng)用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝；適用于工業(yè)應(yīng)用的CoolSiC MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封裝。