3 月 19 日消息，英偉達今日發(fā)布了地表最強的 AI 加速卡--Blackwell GB200，采用臺積電 4NP 工藝制程，配備 192 HBM3E 內(nèi)存，共有 2080 億個晶體管，推理大語言模型性能比 H100 提升 30 倍，成本和能耗降低 96%。

SK 海力士今日發(fā)布新聞稿宣布其最新的超高性能 AI 內(nèi)存產(chǎn)品 HBM3E 已開始量產(chǎn)，并將從本月下旬起向客戶供貨，距離去年 8 月宣布開發(fā)僅隔了 7 個月。

據(jù)介紹，SK 海力士是首家實現(xiàn)量產(chǎn) HBM3E 供應商，HBM3E 每秒可處理 1.18TB 數(shù)據(jù)，相當于在 1 秒內(nèi)可處理 230 部全高清（FHD）級電影。

由于 AI 對內(nèi)存的運行速度要求極高，HBM3E 相比前幾代產(chǎn)品更注重散熱方面的表現(xiàn)。SK 海力士表示，其 HBM3E 采用先進的 MR-MUF 技術，散熱性能較上一代產(chǎn)品提高了 10%，從而在散熱等所有方面都達到了全球最高水平。

MR-MUF 是一種將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。

SK 海力士 HBM 業(yè)務擔當副社長柳成洙表示，“公司通過全球首次 HBM3E 投入量產(chǎn)，進一步強化了領先用于 AI 的存儲器業(yè)界的產(chǎn)品線”，還表示，“以至今積累的 HBM 業(yè)務成功經(jīng)驗為基礎，將進一步夯實與客戶的關系，并鞏固‘全方位人工智能存儲器供應商’的地位?！?/p>

除 SK 海力士外，其競爭對手三星電子和美光也已經(jīng)在向 Nvidia 提供 HBM3E 樣品，但它們還需要完成最終的質量認證測試，以確保產(chǎn)品能夠達到出貨質量要求，而 SK 海力士比預先安排的檔期提前了至少兩個月。

目前，NVIDIA 已經(jīng)占據(jù) AI GPU 市場 90% 以上的份額；而在存儲領域，SK 海力士已經(jīng)占據(jù)全球 HBM 市場一半以上的份額，更是 100% 壟斷了 128GB DDR5 這類大容量 DRAM 產(chǎn)品市場。