1 月 16 日消息，韓國媒體《朝鮮日報》今日報道稱，DRAM 內(nèi)存巨頭之一的美光也將加入 16-Hi（注：即 16 層堆疊）HBM3E 內(nèi)存的競爭，已在進行最終設(shè)備評估，計劃年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。
▲ 美光現(xiàn)有 12Hi HBM3E
三大 DRAM 原廠中 SK 海力士在 2024 年 11 月率先宣布了其 48GB 16-Hi HBM3E 產(chǎn)品，并表示該型內(nèi)存相較此前的 12Hi 32GB HBM3E 在 AI 訓(xùn)練方面性能提升了 18%。推理上的改進更是達到了 32%。另一家企業(yè)三星電子也是在今年量產(chǎn) 16-Hi HBM3E。
美光曾表示該企業(yè)的目標是將其在 HBM 細分市場的占有率從此前的低個位數(shù)百分比提升至與整體 DRAM 領(lǐng)域相當?shù)?20%。為此美光正積極在全球擴張產(chǎn)能：就在今年初，美光宣布其位于新加坡的 HBM 內(nèi)存先進封裝工廠動工，目標是 2026 年投運。
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