3 月 21 日消息，美光在發(fā)布季度財報后舉行了電話會議。在該會議上美光 CEO 桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，相對于傳統(tǒng)內(nèi)存，HBM 對晶圓量的消耗明顯更高。

美光表示，在同一節(jié)點生產(chǎn)同等容量的情況下，目前最先進的 HBM3E 內(nèi)存對晶圓量的消耗是標準 DDR5 的三倍，并且預計隨著性能的提升和封裝復雜度的加劇，在未來的 HBM4 上這一比值將進一步提升。

參考以往報道，這一高比值有相當一部分原因在 HBM 的低良率上。HBM 內(nèi)存采用多層 DRAM 內(nèi)存 TSV 連接堆疊而成，一層出現(xiàn)問題就意味著整個堆棧報廢。目前 HBM 的良率僅有約 2/3，明顯低于傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品。

目前，由于 AI 領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，熱門產(chǎn)品 HBM 一直處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能已經(jīng)售罄，三星也早已完成了今年大部分產(chǎn)能的配額談判。梅赫羅特拉此次更是進一步表示，美光的 HBM 產(chǎn)能連明年的都基本被預定完畢。

HBM 的高需求，加之其對晶圓的高消耗，擠壓了其他 DRAM 的投片量。美光表示非 HBM 內(nèi)存正面臨供應(yīng)緊張的局面。

此外，美光宣稱其 8Hi HBM3E 內(nèi)存已開始大批量出貨，可在截至 8 月末的本財年中貢獻數(shù)億美元的收入。

對于 12 層堆疊 36GB HBM3E，梅赫羅特拉表示這一未來產(chǎn)品已于本月初完成采樣，目標到 2025 年實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。