4月16日消息，三星計劃在本月晚些時候開始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，可用的堆疊層數(shù)達290層，相比現(xiàn)在的236層只增加不到23％。
這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu)，底部是CMOS層加邏輯電路，上邊是145層閃存陣列，再上邊又是145層閃存陣列。
這種方法雖然更復(fù)雜，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以輕松進一步拓展。
按照三星的規(guī)劃，2025年下半年將量產(chǎn)第十代V-NAND，進一步堆疊到430層。
更遙遠的未來，三星可能會在2030年左右做到1000層。
中國長江存儲可能會在今年下半年量產(chǎn)300層，SK海力士計劃明年初量產(chǎn)321層，鎧俠號稱2031年量產(chǎn)1000多層！
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。