無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。
DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，在設計上具有靈活性。在頂部尤其是雙側冷卻配置中，性能優(yōu)于常用的TOLT封裝。DHDFN-9-1封裝采用雙極引腳設計，有助于優(yōu)化PCB布局和簡單并聯(lián)，使客戶能夠輕松處理高達6千瓦的應用。
BHDFN-9-1（底部散熱器 DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。其熱阻為0.28 K/W，比肩或優(yōu)于其他領先設備。BHDFN的外形尺寸為10x10 mm，雖然比常用的 TOLL 封裝更小，但具有相似封裝布局，因此也可以使用 TOLL 封裝的 GaN 功率 IC 進行通用布局，便于使用和評估。
Nare Gabrielyan | CGD 產品市場經理
“新型封裝是我們戰(zhàn)略的一部分，為了使客戶將我們的 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 用于服務器、數(shù)據(jù)中心、逆變器/電機驅動器、微型逆變器和其他工業(yè)應用，獲得它們帶來的更高的功率密度和效率優(yōu)勢。這些應用不僅對設備的要求更高、同時要求設備堅固可靠、易于設計。新型封裝支持并擴展了ICeGaN? 產品系列的這些固有特性?！?
提高熱阻性能有以下好處：第一，在相同的RDS(on)下可以實現(xiàn)更多的功率輸出。設備在相同功率下也能以較低的溫度運行，因此需要較少的散熱，從而降低了系統(tǒng)成本。第二，更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。最后，如果應用需要更低的成本，設計者可以使用具有較高RDS(on)的低成本產品來實現(xiàn)所需的功率輸出。
采用新型封裝的 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝產品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產品。
結語
關于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發(fā)與商業(yè)化，以實現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案，將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術經證明適合大批量生產，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè)，孵化自劍橋大學。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產權組合做支撐，這也是公司努力創(chuàng)新的結晶。CGD 團隊在技術和商業(yè)方面的專業(yè)知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現(xiàn)，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。
