7 月 11 日消息，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心研究團(tuán)隊在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型 e-GaN 電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。
研究團(tuán)隊攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化鎵）緩沖層外延、p-GaN 柵 HEMTs 設(shè)計與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產(chǎn)技術(shù)，成功開發(fā)出閾值電壓超過 2V、耐壓達(dá) 3000V 的 6 英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型 e-GaN HEMTs 晶圓。該研究發(fā)表在《IEEE Electron Device Letters》上并入選封面 highlight 論文。
▲ 6 英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型 e-GaN HEMTs 晶圓
在該項目的研究中，研究團(tuán)隊還成功研發(fā)了 8 英寸 GaN 電力電子芯片，首次證明了 8 英寸藍(lán)寶石基 GaN HEMTs 晶圓量產(chǎn)的可行性，并打破了傳統(tǒng) GaN 技術(shù)難以同時兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，被國際著名半導(dǎo)體行業(yè)雜志《Semiconductor Today》專題報道。
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