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Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性

針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的低RDSon、低尖峰和高效率進(jìn)行了優(yōu)化
2024-08-13
來(lái)源：Nexperia
關(guān)鍵詞： Nexperia MOSFET 電機(jī)控制

　　奈梅亨，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其N(xiāo)extPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS（on）和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

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　　許多MOSFET制造商在將其器件的開(kāi)關(guān)性能與其他產(chǎn)品進(jìn)行對(duì)比時(shí)，特別看重是否能通過(guò)低QG（tot）和低QGD實(shí)現(xiàn)高效率。然而，通過(guò)廣泛的研究，Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要，因?yàn)樗鼤?huì)影響尖峰表現(xiàn)，進(jìn)而影響器件開(kāi)關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）量。通過(guò)專(zhuān)注于研究該參數(shù)，Nexperia大大降低了其N(xiāo)extPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時(shí)也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶(hù)的應(yīng)用在后期未通過(guò)電磁兼容性（EMC）測(cè)試，而需要重新設(shè)計(jì)時(shí)，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶(hù)帶來(lái)顯著的益處。

　　與當(dāng)前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻（RDSon）降幅高達(dá)31%。Nexperia還計(jì)劃在今年晚些時(shí)候進(jìn)一步加強(qiáng)其N(xiāo)extPower 80/100 V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS（on），同時(shí)在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進(jìn)一步支持這些器件的設(shè)計(jì)導(dǎo)入和驗(yàn)證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，為工程師提供了全面且用戶(hù)友好的器件行為分析。




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