從納米到埃米，芯片制造商正在竭盡全力縮小電路的尺寸。但對于人們?nèi)找嬖鲩L的算力需求，一項涉及更大尺寸（數(shù)百或數(shù)千納米）的技術(shù)在未來五年內(nèi)可能同樣重要。

這項技術(shù)稱為直接混合鍵合（Hybrid Bonding），可在同一封裝中將兩個或多個芯片堆疊在一起，構(gòu)建所謂的 3D 芯片。盡管由于摩爾定律逐漸崩潰，晶體管縮小的速度正在變慢，但芯片制造商仍然可以通過其他方式增加處理器和內(nèi)存中的晶體管數(shù)量。

今年 5 月，在丹佛舉行的 IEEE 電子元件和技術(shù)會議（ECTC）上，來自世界各地的研究小組公布了該技術(shù)的各種來之不易的改進，其中一些結(jié)果顯示，3D 堆疊芯片之間的連接密度可能達到創(chuàng)紀錄的水平：每平方毫米硅片上大約有 700 萬個連接。

英特爾的 Yi Shi 在 ECTC 大會上報告說，由于半導(dǎo)體技術(shù)的新進展，所有這些連接都是必需的。摩爾定律現(xiàn)在受一個稱為系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）的概念支配，即芯片的功能（例如緩存、輸入 / 輸出和邏輯）分別使用最先進工藝制程制造。然后可以使用混合鍵合和其他先進封裝技術(shù)來組裝這些子系統(tǒng)，以便讓它們像單個硅片一樣工作。但這只有在存在高密度連接的情況下才能實現(xiàn)，這些連接可以在幾乎沒有延遲或能耗的情況下在單獨的硅片之間傳送數(shù)據(jù)。

在所有先進封裝技術(shù)中，混合鍵合提供了最高密度的垂直連接。因此，它是先進封裝行業(yè)增長最快的領(lǐng)域，Yole Group 技術(shù)和市場分析師 Gabriella Pereira 表示，到 2029 年，該方向的市場規(guī)模將增長兩倍以上，達到 380 億美元。預(yù)計到那時，混合鍵合將占據(jù)約一半的市場。

在混合鍵合中，銅 pad 建立在每個芯片的頂面上。銅被絕緣層（通常是氧化硅）所包圍，pad 本身略微凹進絕緣層的表面。在對氧化物進行化學(xué)改性后，將兩個芯片面對面壓在一起，使每個凹陷的 pad 對齊。然后慢慢加熱這個夾層，使銅膨脹到間隙處并熔合，從而連接兩個芯片。

1、混合鍵合從兩個晶圓或一個芯片和一個晶圓相對開始。配合面覆蓋有氧化物絕緣層和略微凹陷的銅墊，銅墊與芯片的互連層相連。

2、將晶圓壓在一起，在氧化物之間形成初始鍵合。

3、然后緩慢加熱堆疊的晶圓，使氧化物牢固連接，并使銅膨脹以形成電連接。

a、為了形成更牢固的鍵合，工程師需要壓平氧化物的最后幾納米。即使是輕微的凸起或翹曲也會破壞密集連接。

b、銅必須從氧化物表面凹陷到恰到好處的程度。太多就無法形成連接，太少就會把晶圓推開。研究人員正在研究如何將銅控制到單個原子層的水平。

c、晶圓之間的初始連接是弱氫鍵。退火后，連接變成強共價鍵。研究人員預(yù)計，使用不同類型的表面，如碳氮化硅，則會有更多位置可以形成化學(xué)鍵，將使晶圓之間的連接更牢固。

d、混合鍵合的最后一步可能需要數(shù)小時，并且需要高溫。研究人員希望降低溫度，縮短工藝時間。

e、雖然兩片晶圓上的銅壓在一起形成電連接，但金屬的晶粒邊界通常不會從一側(cè)穿過另一側(cè)。研究人員正試圖使邊界上形成大的單晶銅顆粒，以提高電導(dǎo)率和穩(wěn)定性。

混合鍵合既可以將一種尺寸的單個芯片連接到一個裝滿更大尺寸芯片的晶圓上，也可以將兩個相同尺寸的整片晶圓鍵合在一起。當(dāng)然，后一種工藝比前一種更成熟，部分原因是它在相機芯片中的應(yīng)用。例如，歐洲微電子研究機構(gòu) Imec 的工程師已經(jīng)創(chuàng)造了一些有史以來最密集的晶圓對晶圓鍵合，鍵合距離（或間距）僅為 400 納米。但 Imec 僅實現(xiàn)了 2 微米的芯片對晶圓鍵合間距。

這相比當(dāng)今在生產(chǎn)的先進 3D 芯片有了很大的改進（連接間距約為 9 微米）。而且它比前一代技術(shù)有了更大的飛躍：「微凸塊」（microbumps）焊料，其間距為幾十微米。

「在設(shè)備可用之后，將晶圓與晶圓對齊比將芯片與晶圓對齊更容易。大多數(shù)微電子工藝都是針對整片晶圓進行的，」法國研究機構(gòu) CEA Leti 集成與封裝科學(xué)負責(zé)人 Jean-Charles Souriau 說道。但芯片對晶圓（或芯片到晶圓）技術(shù)在高端處理器中可以大放異彩，例如 AMD 的處理器，他們把新技術(shù)用于組裝其先進 CPU 和 AI 加速器中的計算核心和緩存。

為了推動兩種情況下的間距越來越緊密，研究人員專注于使表面更平坦，使綁定的晶圓更好地粘合在一起，并減少整個過程的時間和復(fù)雜性。做好這件事可能會徹底改變芯片的設(shè)計方式。

WoW，降低間距

最近的晶圓對晶圓（WoW）研究實現(xiàn)了最緊密的間距 —— 約 360 納米到 500 納米 —— 這有關(guān)在一件事上付出的大量努力：平整度。要以 100 納米級的精度將兩個晶圓結(jié)合在一起，整個晶圓必須幾乎完全平坦。如果它稍微彎曲或扭曲，整個部分就無法連接。

晶圓的平坦化需要一項稱為化學(xué)機械平坦化（CMP）的工藝。它對芯片制造至關(guān)重要，尤其是對于生產(chǎn)晶體管上方的互連層。

「CMP 是我們必須控制的混合鍵合關(guān)鍵參數(shù)，」Souriau 表示。ECTC 上展示的結(jié)果顯示 CMP 被提升到了另一個水平，不僅使整個晶圓平坦化，而且還將銅墊之間的絕緣層的圓度降低到納米級，以確保更好的連接。

其他一些研究人員則致力于確保這些扁平部件能夠足夠牢固地粘合在一起。他們嘗試使用不同的表面材料，例如用碳氮化硅代替氧化硅，并使用不同的方案來化學(xué)激活表面。最初，當(dāng)晶圓或芯片被壓在一起時，它們通過相對較弱的氫鍵固定在一起，人們擔(dān)心的是，在進一步的加工步驟中它們是否能保持原位。連接之后，晶圓和芯片會慢慢加熱，這一過程稱為退火，旨在形成更強的化學(xué)鍵。這些鍵到底有多強 —— 甚至如何弄清楚 —— 是 ECTC 上展示的大部分研究的主題。

最終的鍵合強度部分來自銅連接。退火步驟使銅在間隙處膨脹，形成導(dǎo)電橋。三星的 Seung Ho Hahn 解釋說，控制間隙的大小是關(guān)鍵。膨脹太小銅就不會熔合，膨脹太多晶圓就會被推開。這是納米級的問題，Hahn 報告了一種新化學(xué)工藝的研究，他希望通過一次蝕刻掉一個原子層的銅來實現(xiàn)這一點。

連接的質(zhì)量也很重要。芯片互連中的金屬不是單晶；而是由許多晶粒組成，這些晶粒朝向不同的方向。即使在銅膨脹后，金屬的晶粒邊界通常也不會從一側(cè)跨越到另一側(cè)。這種跨越應(yīng)該會降低連接的電阻并提高其可靠性。日本東北大學(xué)的研究人員報告了一種新的冶金方案，最終可以生成跨越邊界的大型單晶銅?！高@是一個巨大的變化，」日本東北大學(xué)的副教授福島譽史（Takafumi Fukushima） 說。「我們現(xiàn)在正在分析其背后的原因?！?/p>

ECTC 討論的其他實驗側(cè)重于簡化鍵合過程。一些人試圖降低形成鍵合所需的退火溫度（通常約為 300 °C），以盡量減少長時間加熱對芯片造成損壞的風(fēng)險。Applied Materials 的研究人員介紹了一種方法的進展，該方法可以大大減少退火所需的時間 —— 從幾小時縮短到僅 5 分鐘。

效果出色的 CoW

Imec 使用等離子蝕刻來切割芯片并賦予它們 chamfered corners。該技術(shù)消除了可能干擾粘合的機械應(yīng)力（mechanical stress）。

目前，晶圓上芯片 (CoW) 混合鍵合對于高級 CPU 和 GPU 制造商來說更有用：它允許芯片制造商堆疊不同尺寸的小芯片，并在將每個芯片綁定到另一個芯片之前對其進行測試，以確保它們不會出現(xiàn)問題。畢竟，一個有缺陷的部件就注定了整個昂貴 CPU 的命運。

但是 CoW 具有 WoW 的所有困難，并且緩解這些困難的選項較少。例如，CMP 旨在平坦化晶圓（flatten wafers），而不是單個芯片。一旦從源晶圓上切下芯片并進行測試，就可以采取更少的措施來提高其鍵合準備情況。

盡管如此，英特爾的研究人員報告了具有 3 μm 間距的 CoW 混合鍵合，并且如上所述，Imec 的一個團隊成功實現(xiàn)了 2 μm 間距，主要是通過使轉(zhuǎn)移的 die 非常平坦，同時它們?nèi)匀桓街诰A上并在整個過程中保持它們清潔。

兩個團隊都使用等離子蝕刻來切割芯片，而不是使用常用的鋸切法（ blade）。與鋸切法不同，等離子蝕刻不會導(dǎo)致邊緣碎裂，從而產(chǎn)生可能干擾連接的碎片。它還允許 Imec 團隊對芯片進行塑形，制作 chamfered corners，以減輕可能破壞連接的機械應(yīng)力。

ECTC 的幾位研究人員表示，CoW 混合鍵合對于高帶寬存儲器 (HBM) 的未來至關(guān)重要。HBM 是控制邏輯芯片頂部的 DRAM die 堆棧（目前有 8-12 個 die 高）。HBM 通常與高端 GPU 放置在同一封裝中，對于處理運行 ChatGPT 等大型語言模型所需的海量數(shù)據(jù)至關(guān)重要。如今，HBM die 采用微凸點（microbump）技術(shù)進行堆疊，因此每層之間都有被有機填料包圍的微小焊球。

但隨著 AI 進一步提高內(nèi)存需求，DRAM 制造商希望在 HBM 芯片中堆疊 20 層或更多層。微凸點占據(jù)的體積意味著這些堆棧很快就會變得太高而無法正確裝入 GPU 封裝中?；旌湘I合會縮小 HBM 的高度，并且更容易從封裝中去除多余的熱量，因為層之間的熱阻會更小。

在 ECTC 上，三星工程師展示了混合鍵合可以產(chǎn)生 16 層 HBM 堆棧。三星高級工程師 Hyeonmin Lee 表示：「我認為使用這項技術(shù)可以制造 20 層以上的堆棧?！蛊渌碌?CoW 技術(shù)也有助于將混合鍵合引入高帶寬存儲器。

Souriau 表示，CEA Leti 的研究人員正在探索所謂的自對準（self-alignment）技術(shù)。這將有助于確保僅使用化學(xué)工藝即可實現(xiàn)良好的 CoW 連接。每個表面的某些部分將被制成疏水性的，而其他部分將被制成親水性的，從而導(dǎo)致表面會自動滑入到位。

在 ECTC 上，來自東北大學(xué)和雅馬哈機器人公司的研究人員報告了類似方案的工作，利用水的表面張力來對齊實驗 DRAM 芯片上的 5-μm pad，精度優(yōu)于 50-nm。

混合鍵合的上限

研究人員幾乎肯定會繼續(xù)減小混合鍵合連接的間距。臺積電 pathfinding systems 項目經(jīng)理 Han-Jong Chia 表示：「200 nm WoW 間距不僅是可能的，而且是理想的。」臺積電計劃在兩年內(nèi)推出一種稱為背面供電（backside power delivery）的技術(shù)。英特爾計劃在今年年底實現(xiàn)同樣的目標。這項技術(shù)將芯片的電力傳輸互連置于硅表面下方而不是上方。

臺積電研究人員計算出，通過排除這些電源管道（conduit），最上層可以更好地連接到較小的混合鍵合 pad。使用 200 nm 鍵合 pad 的背面供電傳輸將大大降低 3D 連接的電容，以至于能量效率和信號速度的測量結(jié)果將比使用 400 nm 鍵合 pad 實現(xiàn)的效果好 8 倍。

晶圓上芯片混合鍵合比晶圓上晶圓鍵合更有用，因為它可以將一種尺寸的 die 放置到更大 die 的晶圓上。然而，可實現(xiàn)的連接密度低于晶圓上晶圓鍵合。

Chia 表示，在未來的某個時候，如果鍵合間距進一步縮小，「折疊（fold）」電路塊可能會變得實用。塊內(nèi)現(xiàn)在的一些長連接可能能夠采用垂直捷徑，從而加快計算速度并降低功耗。

并且，混合鍵合可能不限于硅。CEA Leti 的 Souriau 表示：「如今，硅對硅晶圓取得了很大進展，但我們也在尋求氮化鎵與硅晶圓和玻璃晶圓之間的混合鍵合…… 一切皆有可能?！顾麄兩踔撂岢隽肆孔佑嬎阈酒旌湘I合，其中涉及對準和鍵合超導(dǎo)鈮，而不是銅。