9月8日消息，據(jù)彭博社引述消息人士的話報(bào)道稱，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開(kāi)始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠良率相當(dāng)。臺(tái)積電表示，項(xiàng)目照計(jì)劃進(jìn)行，并且進(jìn)展良好。

根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm制程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠。此前由于缺乏熟練工人等問(wèn)題，導(dǎo)致晶圓一廠的量產(chǎn)時(shí)間從2024年推遲到了2025年，晶圓二廠的量產(chǎn)時(shí)間也由原定的2026年推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過(guò)400億美元。

此外，臺(tái)積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

臺(tái)積電這三座晶圓廠的總投資將會(huì)達(dá)到650億美元。為此，美國(guó)政府已經(jīng)承諾將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》為臺(tái)積電提供66億美元補(bǔ)貼。

根據(jù)此前的傳聞顯示，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓一廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開(kāi)始接電并投入第一批晶圓試產(chǎn)。而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來(lái)看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問(wèn)題。

另外，按照晶圓一廠從試產(chǎn)到量產(chǎn)約6.5個(gè)月、驗(yàn)證一個(gè)月估算，臺(tái)積電有機(jī)會(huì)在今年底就完成量產(chǎn)所有準(zhǔn)備，那么明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。預(yù)計(jì)屆時(shí)蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD、高通等美國(guó)芯片設(shè)計(jì)大廠都將會(huì)下單。