在近日舉辦的SPIE大會(huì)上，ASML新任CEO傅恪禮（Christophe Fouquet）發(fā)表了精彩的開幕/主題演講，重點(diǎn)介紹了High NA EUV光刻機(jī)。

很明顯，High NA EUV光刻機(jī)不太可能像最初的EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲。我們只能期待它相對(duì)快速地推出和采用，因?yàn)镠igh NA EUV光刻機(jī)更像是EUV光刻機(jī)的“升級(jí)款”，而不是一個(gè)全新的產(chǎn)品。

傅恪禮談到了組裝掃描儀子組件的新方法，即在客戶的現(xiàn)場(chǎng)組裝，而不是在ASML組裝后拆卸并再次在客戶的現(xiàn)場(chǎng)組裝設(shè)備。

這在處理相對(duì)簡(jiǎn)單的沉積和蝕刻工具以及類似的工具時(shí)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)結(jié)果，但對(duì)于高復(fù)雜度的光刻設(shè)備來說則是另一回事。但這將大大節(jié)省時(shí)間和成本。這將有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)展。

未來High NA EUV光刻機(jī)可混合搭配鏡頭組件

常規(guī)EUV光刻設(shè)備和High NA EUV光刻設(shè)備之間唯一真正的區(qū)別是鏡頭堆棧，因此如果您設(shè)計(jì)一個(gè)鏡頭堆棧位于中間的設(shè)備，則可以將常規(guī)EUV鏡頭、High NA鏡頭或Hyper NA鏡頭換到同一個(gè)基本工具中。

它具有大量的通用性、更多的成本節(jié)約、簡(jiǎn)單性等。ASML正在采取的模塊化方法支持這種方案。這顯然有助于降低成本、安裝時(shí)間，提升利潤(rùn)。

在演示中，傅恪禮還提到，ASML在圣地亞哥擁有穩(wěn)定的740瓦電源，并且有明確的途徑實(shí)現(xiàn)1000瓦的供電。

傅恪禮：采用大尺寸掩模將“不費(fèi)吹灰之力”

去年，英特爾在SPIE上認(rèn)真提出了將掩模尺寸從6英寸×6英寸增加一倍到6英寸×12英寸的想法。今年的會(huì)議上，這項(xiàng)技術(shù)得到了許多公司的大力支持，許多光掩?；A(chǔ)設(shè)施公司都參與其中。其中最主要也最關(guān)鍵的參與者是ASML，傅恪禮稱采用雙倍尺寸掩模對(duì)于行業(yè)來說是“不費(fèi)吹灰之力”的，ASML為這一變革付出了巨大的努力。

這對(duì)ASML來說也意義重大，因?yàn)樗兄诳朔﨟igh NA的芯片尺寸限制。40%的性能提升本身就值得進(jìn)行轉(zhuǎn)換。

Mark Phillips：英特爾已在波蘭特工廠安裝兩臺(tái)High NA光刻機(jī)

英特爾院士兼光刻總監(jiān)Mark Phillips緊隨傅恪禮之后繼續(xù)High NA的主題討論。英特爾現(xiàn)在在波特蘭工廠安裝了兩個(gè)High NA系統(tǒng)。

Mark Phillips展示了兩個(gè)系統(tǒng)的一些非常漂亮的圖像，這些圖像顯示了High NA EUV相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)EUV帶來的改進(jìn)，這可能比預(yù)期的要好。由于不斷學(xué)習(xí)，第二個(gè)系統(tǒng)的安裝比第一個(gè)更快。

值得注意的是，High NA所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施都已到位并開始運(yùn)行，High NA的光掩模檢查已經(jīng)開始運(yùn)行。因此，無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。

Mark Phillips還被問及關(guān)于CAR（化學(xué)放大光刻膠）與金屬氧化物光刻膠的問題，他說CAR目前還不錯(cuò)，但將來可能需要金屬氧化物光刻膠。這似乎大大推遲了對(duì)金屬氧化物光刻膠（如泛林集團(tuán)的干光刻膠）的需求，使其在更遠(yuǎn)的未來實(shí)現(xiàn)。這對(duì)日本JSR或泛林集團(tuán)來說不是好消息。

目標(biāo)插入點(diǎn)是英特爾的Intel 14A（1.4nm）工藝，大約需要3年時(shí)間，這可能再次比預(yù)期的要快。

（我們?cè)跁?huì)議上聽到的唯一關(guān)于High NA的小問題是，將巨大的High NA工具從拖車上運(yùn)到波特蘭的工廠時(shí)遇到了麻煩，因?yàn)橥宪囋跇O端的重量負(fù)荷下彎曲了?。?/p>

這種近乎完美的安裝對(duì)英特爾來說是個(gè)好消息，因?yàn)檫@是他們執(zhí)行計(jì)劃所需的“勝利”，尤其是在最初的EUV光刻機(jī)采用速度緩慢之后。

臺(tái)積電針對(duì)High NA努力談判，但將被迫跟進(jìn)

與其迅速接受最初的EUV光刻機(jī)推出相比，臺(tái)積電以成本為由，遲遲不肯接受High NA。在外界看來，這有點(diǎn)像臺(tái)積電的談判游戲，也許是在與ASML爭(zhēng)奪更好的條件。

但預(yù)測(cè)臺(tái)積電不會(huì)堅(jiān)持太久，特別是如果英特爾開始在High NA設(shè)備方面取得領(lǐng)先地位的話，臺(tái)積電將不得不屈服并繼續(xù)前進(jìn)。臺(tái)積電在英特爾倡導(dǎo)的掩模倍增方面也進(jìn)展緩慢，但最終也會(huì)跟進(jìn)，因?yàn)檫@對(duì)他們來說是免費(fèi)的性能提升。

會(huì)議上的傳言

消息稱，ASML的傅恪禮和英特爾的Anne Kelleher在會(huì)議開始前的周日會(huì)面……也許是為了討論他們?cè)谕瞥鯤igh NA方面的合作關(guān)系。

分析認(rèn)為，對(duì)于KLA（科磊）及其長(zhǎng)期推遲的Actinic掩模檢查計(jì)劃來說，可能會(huì)有一些好消息，這是非常需要的。

股票

分析認(rèn)為此次會(huì)議顯然對(duì)High NA EUV光刻機(jī)的推出和摩爾定律的整體技術(shù)進(jìn)步非常有利。

這對(duì)英特爾和ASML來說顯然都是利好消息。首先，這對(duì)英特爾來說無疑是好事，因?yàn)樗枰M可能多的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而High NA可能是該行業(yè)目前正在經(jīng)歷的最關(guān)鍵的技術(shù)變革。

對(duì)于ASML來說也是利好消息，因?yàn)樵摴镜墓蓛r(jià)一直不穩(wěn)定且承受壓力，這在很大程度上是由于中國市場(chǎng)問題掩蓋了High NA的更大技術(shù)進(jìn)步。

在更大的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上，一切都圍繞著人工智能（AI），其它的都不重要。由于一切都圍繞人工智能展開，因此后緣仍然較弱。