TrendForce集邦咨詢預計到2028年，MicroLED芯片的產(chǎn)值將達到58億美元，2023年至2028年的復合年增長率(CAGR)為84%。

Micro-LED技術被廣泛認為是下一代顯示技術，具有高亮度、高對比度和低功耗等優(yōu)勢。然而，在其生產(chǎn)過程中，由于刻蝕工藝導致的材料損傷問題，制約了Micro-LED芯片的效率和良率，嚴重影響了其在高端顯示市場的競爭力。刻蝕損傷不僅降低了材料的發(fā)光效率，還帶來了應力釋放、漏電及靜電放電（ESD）等一系列穩(wěn)定性問題，這些挑戰(zhàn)一直是推動Micro-LED產(chǎn)業(yè)提升的障礙。

Micro LED的像素單元在100微米(P0.1)以下，并被高密度地集成在一個芯片上。微縮化使得MicroLED具有更高的發(fā)光亮度、分辨率與色彩飽和度，以及更快的顯示響應速度，預期能夠應用于對亮度要求較高的增強現(xiàn)實(AR)微型投影裝置、車用平視顯示器(HUD)投影應用、超大型顯示廣告牌等特殊顯示應用產(chǎn)品，并有望擴展到可穿戴/可植入器件、虛擬現(xiàn)實(VR)、光通訊/光互聯(lián)、醫(yī)療探測、智能車燈、空間成像等多個領域。

顧名思義，Micro LED就是“微”LED，作為一種新顯示技術，與其它顯示技術，比如LCD，OLED，PDP，其核心的不同之處在于其采用無機LED作為發(fā)光像素。對于“Micro”這個概念，到底定義是多少呢?像素尺寸一般要到100μm以下。

LED并不是一個新事物，作為發(fā)光二極管，其在顯示上的應用本應該是順理成章的事情。但是很長一段時間，除了戶外廣告屏上的應用之外，LED顯示應用一直不能發(fā)展起來，其原因是：a.要做到手機屏/電視這種級別的顯示器，LED像素在尺寸上難以做小;b. LED外延晶片與顯示驅動工藝不兼容，且需考慮大尺寸顯示的問題，所以針對Micro LED需要開放合適的背板技術。c. 如何將“巨量”的三色微小LED轉移到制作好驅動電路的基底上去，即“巨量轉移”技術，也是決定Micro LED能否商業(yè)的關鍵。

由于像素單元低至微米量級，Micro LED顯示產(chǎn)品具有多項性能指標優(yōu)勢。Micro LED功率消耗量僅為LCD的10%、OLED的50%，其亮度可達OLED的10倍，分辨率可達OLED的5倍。

在設備兼容性方面，Micro LED有望承接液晶顯示高度成熟的電流驅動TFT技術，在未來顯示技術演進進程中具有一定優(yōu)勢。根據(jù)LEDinside預估，2022年Micro LED顯示的市場銷售額將達到6.94億美元，略高于Mini LED顯示。