據(jù)韓國媒體Business Korea報導，三星電子已于第四季度在平澤P2廠建立10nm級（1d）的第七代DRAM測試線。業(yè)界也將此測試線稱為“單路徑線”（one path），預期明年第一季度將完全建成。

報道稱，測試產(chǎn)線是測試新半導體產(chǎn)品量產(chǎn)潛質(zhì)的設施，一旦下一代芯片性能在研發(fā)階段時確定，就會在此引進晶圓，開始提高量產(chǎn)良率。目前還不確定三星平澤10nm級第七代DRAM廠房的規(guī)模，但通常安裝測試產(chǎn)線每月可處理約1萬片晶圓。

三星今年3月在美國舉行的“MemCon 2024”活動中曾宣布，計劃在2026年前量產(chǎn)第七代DRAM，至于其前身第六代（1c）DRAM，計劃明年（2025年）量產(chǎn)。因此，這條第七代測試線與第六代DRAM量產(chǎn)的準備工作同步進行。

三星計劃明年初開始以平澤P4廠為中心引進半導體設備，生產(chǎn)10nm級第六代DRAM，并加快良率提升的腳步，目標是明年5月前取得內(nèi)部量產(chǎn)認證（PRA）。此外，為了順利第六代DRAM量產(chǎn)，三星還將DRAM相關人員從華城廠調(diào)派至平澤廠。

也就是說，三星在第六代DRAM還沒進入量產(chǎn)階段前，就已經(jīng)開始為第七代DRAM建置廠房。外界認為，三星此舉是為明年重奪優(yōu)勢而提前進行投資。

做為全球DRAM制造龍頭大廠，三星這兩年遭遇很大的打擊，特別是在AI所需的HBM（高帶寬內(nèi)存）市場，SK海力士的市場份額大幅領先于三星。此外，在10nm級第六代DRAM的開發(fā)速度上，三星也落后于SK海力士。

對于三星來說，如果要奪回領導地位，必須加快產(chǎn)品的開發(fā)速度，這從三星的新人事變動可以窺見一斑。

三星電子副董事長全永鉉（Jeon Young-hyun）從半導體業(yè)務的設備解決方案（DS）負責人改為CEO，同時兼任內(nèi)存業(yè)務和三星綜合技術院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）負責人。他以強大驅(qū)動力著稱，預期將大膽推動三星技術開發(fā)和投資。

業(yè)界人士解釋，全永鉉現(xiàn)在可以更密切地參與三星DRAM技術，預計他會從主力產(chǎn)品DRAM開始強力創(chuàng)新。

三星電子也加速投資另一種內(nèi)存NAND閃存，最近該公司在平澤一廠安裝業(yè)界第一條400層NAND（V10）測試線，并在平澤四廠NAND廠房添置286層V9設備。