12 月 22 日消息，據(jù)外媒 Wccftech 今日報道，美光發(fā)布了其 HBM4 和 HBM4E 項目的最新進展。

具體來看，下一代 HBM4 內(nèi)存采用 2048 位接口，計劃在 2026 年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而 HBM4E 將會在后續(xù)幾年推出。

HBM4E 不僅會提供比 HBM4 更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，還可根據(jù)需求定制基礎芯片，這一變化有望推動整個行業(yè)的發(fā)展。

據(jù)了解，定制的邏輯芯片將由臺積電使用先進工藝制造，能夠集成更多的緩存和邏輯電路，從而提升內(nèi)存的性能和功能。

美光總裁兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示：“HBM4E 的推出將改變存儲行業(yè)，它將提供定制邏輯基礎芯片的選項，借助臺積電先進的工藝，美光將能夠為特定客戶提供定制化解決方案。這項創(chuàng)新將推動美光財務表現(xiàn)的提升?！?/p>

美光表示，HBM4E 的開發(fā)進展順利，已經(jīng)與多家客戶展開合作，預計不同客戶將采用不同配置的基礎芯片。

據(jù)了解，美光的 HBM4 將采用 1β 工藝（第五代 10nm 技術）生產(chǎn)的 DRAM，置于一個 2048 位接口的基礎芯片上，數(shù)據(jù)傳輸速率約為 6.4GT/s，理論帶寬高達每堆棧 1.64TB/s。

美光還透露，針對英偉達的 Blackwell 處理器，8-Hi HBM3E 設備的出貨已全面展開，12-Hi HBM3E 堆棧正在進行測試，主要客戶反饋良好。