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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET

器件占位面積小，采用BWL設(shè)計(jì)，ID高達(dá)795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能
2024-12-31
來(lái)源：VISHAY
關(guān)鍵詞： Vishay MOSFET SiJK140E

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。

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　　日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0.34 mW，最大限度減少了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時(shí)通過(guò)低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設(shè)計(jì)人員使用一個(gè)器件（而不用并聯(lián)兩個(gè)器件）實(shí)現(xiàn)相同的低導(dǎo)通電阻，從而提高了可靠性，并延長(zhǎng)了平均故障間隔時(shí)間（MTBF）。

　　MOSFET采用無(wú)線鍵合（BWL）設(shè)計(jì)，最大限度減少了寄生電感，同時(shí)最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A，而SiJK140E可提供高達(dá)795 A的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時(shí)提供強(qiáng)大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2，可節(jié)省27 %的PCB空間，同時(shí)厚度減小50 %。

　　SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電動(dòng)工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人和3D打印機(jī)。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通，標(biāo)準(zhǔn)級(jí)FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測(cè)試。

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SiJK140E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，訂貨周期為36周。




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