2025年2月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于易沖半導(dǎo)體（ConvenientPower）WB8118芯片的MPP Qi2無(wú)線模組方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于易沖半導(dǎo)體產(chǎn)品的MPP Qi2無(wú)線模組方案的展示板圖
Qi2是WPC（無(wú)線充電聯(lián)盟）推出的新一代無(wú)線充電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，旨在提供更好的充電體驗(yàn)，為未來(lái)無(wú)線充電產(chǎn)品與增強(qiáng)功能開(kāi)發(fā)鋪平道路。Qi2標(biāo)準(zhǔn)在Qi無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)中引入基于蘋(píng)果MagSafe磁吸充電技術(shù)的MPP（Magnetic Power Profile）技術(shù)，相較于BPP和EPP，MPP增加一個(gè)磁鐵環(huán)，可實(shí)現(xiàn)最佳的定位對(duì)準(zhǔn)。在此技術(shù)的驅(qū)動(dòng)下，大聯(lián)大世平基于易沖半導(dǎo)體WB8118芯片推出MPP Qi2無(wú)線模組方案，可加快符合Qi2標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線充電產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
圖示2-大聯(lián)大世平基于易沖半導(dǎo)體產(chǎn)品的MPP Qi2無(wú)線模組方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖
WB8118是一款高效的磁感應(yīng)無(wú)線電源發(fā)射器IC，支持Qi2 15W無(wú)線快充，具有3.3V~18V的寬輸入電壓范圍。該IC兼容無(wú)線電源接收器（ASK）通信，擁有固定的通信接口端口，同時(shí)內(nèi)置可靠的過(guò)壓、過(guò)電流及溫度保護(hù)方案。在IC內(nèi)部集成穩(wěn)壓器、全橋和驅(qū)動(dòng)器，并可通過(guò)I?C界面與其他設(shè)備進(jìn)行通信。
外觀設(shè)計(jì)上，WB8118采用環(huán)保的無(wú)鉛工藝以及緊湊的QFN 24腳封裝形式，尺寸為3mm×4mm×0.55mm。此外，該芯片的額定工作溫度范圍寬廣，能夠耐受-40℃至105℃的極端溫度變化。
圖示3-大聯(lián)大世平基于易沖半導(dǎo)體產(chǎn)品的MPP Qi2無(wú)線模組方案的?支持死區(qū)時(shí)間調(diào)整；
在無(wú)線充電領(lǐng)域，易沖半導(dǎo)體占據(jù)著重要地位。此次大聯(lián)大世平與其合作推出的MPP Qi2無(wú)線模組方案，能夠簡(jiǎn)化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)認(rèn)證流程，加速新產(chǎn)品上市的速度，從而幫助客戶在無(wú)線充電市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中建立優(yōu)勢(shì)。
核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
支持WPC 2.0 15W/三星快充/蘋(píng)果快充；
輸入電壓范圍：3.3V至18V；
整合核心、256字節(jié)內(nèi)部RAM、3K字節(jié)外部RAM、32KB MTP和32KB ROM；
高速構(gòu)架，標(biāo)準(zhǔn)模式下為8MHz~48MHz，PWM模塊為288MHz；
整合2個(gè)高達(dá)288MHz的PWM（帶FSK PHY的PWMA和帶有FSK周期中斷的PWMB）；
低RDSON HS/LS:19mQ；
支持死區(qū)時(shí)間調(diào)整；
電壓和電流模式解調(diào)；
支持2個(gè)I2C接口；
支持2個(gè)UART接口；
支持睡眠模式和待機(jī)模式；
過(guò)壓/過(guò)流/過(guò)溫保護(hù)；
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鹵素、無(wú)鉛。
方案規(guī)格：
輸入電壓：5V/9V +/-5%；
額定輸入電流：3A@5V，2.22A@9V；
輸入文波要求：<150mVp-p；
支持協(xié)議類(lèi)型：DC、PD3.1；
靜態(tài)功耗：<0.3W；
輸出協(xié)議：Qi-BPP5W/Qi-MPP15W/7.5W蘋(píng)果快充；
最大輸出功率：15W（14V/1.07A）；
系統(tǒng)效率：83.5% max @15W（T70）；
充電高度：磁吸手機(jī)4mm、非磁吸手機(jī)5mm；
充電半徑：磁吸手機(jī)4mm、非磁吸手機(jī)6mm；
保護(hù)功能：輸入過(guò)欠壓保護(hù)、線圈過(guò)溫保護(hù)、芯片過(guò)溫保護(hù)、線圈峰值電壓保護(hù)、逆變橋輸入過(guò)流保護(hù)、過(guò)功率保護(hù)。
本篇新聞主要來(lái)源自大大通：
基于易沖半導(dǎo)體（CPS） WB8118 高集成無(wú)線充電充電發(fā)射IC MPP Qi2 模組方案
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