2025年4月1日，中國蘇州 — 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。

根據(jù)協(xié)議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯(lián)合開發(fā)計劃，并在未來幾年內(nèi)共同推動該技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領域得到廣泛應用的光明前景。此外，根據(jù)協(xié)議約定，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標是依托這種靈活的供應鏈布局，拓展各自的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性，從而滿足更廣泛的應用場景下的各種客戶需求。

意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發(fā)揮IDM這一模式的優(yōu)勢，為全球客戶創(chuàng)造價值。一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術部署，進一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合；另一方面，意法半導體也將通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶。”

英諾賽科董事長兼創(chuàng)始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關重要。英諾賽科率先實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領域市場。我們對于與意法半導體達成戰(zhàn)略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰(zhàn)略合作將進一步擴大和加速氮化鎵技術普及，雙方團隊將共同致力于開發(fā)下一代氮化鎵技術?！?/p>

氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉換、運動控制與驅動系統(tǒng)樹立了性能新標桿，可顯著降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源與光伏逆變器領域迅速普及，并因其顯著的輕量化優(yōu)勢，被積極應用于下一代電動汽車動力系統(tǒng)設計中。