《電子技術(shù)應(yīng)用》
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傳三星電子考慮對DRAM內(nèi)存和NAND閃存產(chǎn)品提價3%~5%

2025-04-07
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 存儲 DRAM NAND

4 月 7 日消息,韓媒《每日經(jīng)濟(jì)》當(dāng)?shù)貢r間 3 日報道稱,三星電子正同全球主要客戶就對 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存的產(chǎn)品價格上調(diào) 3%~5% 進(jìn)行商討,部分新合同的談判已然啟動。

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由于存儲半導(dǎo)體此前面臨庫存水平高企、需求回升放緩等一系列不利因素,三星電子一段時間以來對 DRAM 和 NAND 保守定價。但由于全球貿(mào)易最近出現(xiàn)的重大風(fēng)險因素,三星更改了價格策略。

美國新一屆政府此前宣布對全球加征進(jìn)口關(guān)稅,雖然初步清單不包含半導(dǎo)體,但該類別處于下一步開征額外關(guān)稅的列表中。這意味著下游客戶需在近期大批量下單,提前備貨,以延緩貿(mào)易政策變動對運(yùn)營成本的影響。

另一方面,各大存儲原廠近期的減產(chǎn)、AI 技術(shù)的滲透也在供需兩端加劇了目前的緊張態(tài)勢。


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