4月9日消息，據(jù)韓國《朝鮮日報》報導，三星電子半導體部門計劃將把晶圓代工業(yè)務的部分制造人員，轉移到存儲制造技術中心，以提高包括第六代高頻寬內存（HBM4）在內的下一代HBM生產能力。

市場人士指出，三星電子半導體部門在4月2日發(fā)布的定期招聘公告顯示，針對晶圓代工業(yè)務的制程、設備、制造領域的員工，預計將有超過兩位數(shù)的人員調往存儲制造技術中心、半導體研究院以及全球制造及基礎設施總部。

報道表示，三星此次人事調整主要是為了加強HBM業(yè)務的競爭力。存儲制造技術中心宣布正在招募人才，以加強競爭力為主，搶占下一代HBM市場。而半導體研究所則將加強研發(fā)，強化HBM和封裝技術的領先地位為重點。至于，全球制造和基礎設施總部將以加強HBM和新產品的測試、分析和設備技術發(fā)展為主。

對此，熟悉三星電子情況的一位業(yè)內市場人士告訴《朝鮮日報》記者，三星電子以緊急招募的方式，針對HBM及下一代DRAM等新內存產品生產人員進行招聘，預計將進一步加速HBM4等下一代產品的生產。

此次轉變被視為三星電子增強HBM市場競爭力的一項動作。目前，三星電子的競爭對手SK Hynix正牢牢占據(jù)著HBM市場超過70%的市場份額。目前SK海力士和美光都已經向GPU大廠英偉達提供了HBM，而三星電子的HBM3E尚未通過英偉達的質量測試。因此，三星電子正全力提升新一代的HBM4的質量競爭力。

由于從HBM4開始，晶圓代工制程開始被應用于在HBM底部的邏輯芯片制造上，這使得具備晶圓代工能力的三星電子能夠生產針對客戶要求的設計IP和應用程序進行定制化生產HBM產品，也使得HBM4成為下一代HBM市場的激烈戰(zhàn)場。

在日前舉行的三星電子年度股東大會上，三星電子半導體部門負責人、副會長全永鉉表示，將較2024年大幅增加HBM的供應量，進一步強化在HBM市場的地位。而且，在HBM4市場，我們將順利開發(fā)并量產，目標是在2025年下半年，以避免重蹈HBM3E的復轍。

對此，一位半導體業(yè)內人士表示，由于三星電子在晶圓代工市場難以獲得大型科技公司的訂單，使得三星電子必須調動人力。但內部有人擔心，隨著與臺積電的差距不斷擴大，三星的的晶圓代工業(yè)務的競爭力進一步下降，逐漸失去市場的競爭力。