【2025年6月10日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將為Rivian的R2平臺提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺將使用英飛凌HybridPACK? Drive G2產(chǎn)品系列的碳化硅（SiC）和硅（Si）模塊。英飛凌預計將從2026年開始供貨。此外，英飛凌還將為該平臺提供其他產(chǎn)品，包括AURIX? TC3x微控制器和電源管理IC。

英飛凌科技汽車電子事業(yè)部高壓模塊產(chǎn)品線負責人Stefan Obersriebnig表示：“我們致力于與Rivian這樣的創(chuàng)新型汽車公司攜手合作，共同提升電動汽車的性能和續(xù)航能力。因為對創(chuàng)新和零缺陷質(zhì)量的不斷追求，英飛凌成為汽車行業(yè)的首選合作伙伴。我們憑借廣泛的產(chǎn)品組合、系統(tǒng)專業(yè)知識和制造能力，在塑造零排放、可持續(xù)發(fā)展的交通出行方面發(fā)揮著關鍵作用。” 

HybridPACK? Drive是英飛凌面向電動汽車的市場領先功率模塊系列。自2017年以來，該系列產(chǎn)品銷量已突破1050萬件，為電動化轉(zhuǎn)型作出了重要貢獻。這一轉(zhuǎn)型將推動功率半導體市場強勁增長，尤其是基于寬禁帶材料（如碳化硅SiC）的功率半導體。 

隨著居林晶圓廠擴建項目的推進，英飛凌正在打造全球最具競爭力的200毫米碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠，并進一步鞏固自身作為汽車行業(yè)高質(zhì)量、大規(guī)模供應商的領先地位。英飛凌居林和菲拉赫生產(chǎn)基地通過共享技術與工藝，實際上形成了一個高度專注于寬禁帶（WBG）技術創(chuàng)新的“虛擬協(xié)同工廠”。這種協(xié)作使得碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品制造能快速增產(chǎn)，同時實現(xiàn)了流暢、高效的運營，并鞏固了英飛凌在所有功率半導體材料（包括Si、SiC和GaN）領域的技術領導地位。