7 月 10 日消息，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) 7 月 9 日發(fā)布 JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6（LPDDR6）標(biāo)準(zhǔn)。JESD209-6 旨在顯著提升多種應(yīng)用場(chǎng)景（包括移動(dòng)設(shè)備和人工智能）的內(nèi)存速度與效率。JEDEC 稱，新版 JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

為支持人工智能應(yīng)用及其他高性能工作負(fù)載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，在保持 32 字節(jié)小訪問(wèn)粒度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)靈活操作。此外，LPDDR6 的主要特性還包括：

每顆芯片含 2 個(gè)子通道，每個(gè)子通道有 12 條數(shù)據(jù)信號(hào)線（DQs），以優(yōu)化通道性能

每個(gè)子通道包含 4 條命令 / 地址（CA）信號(hào)，經(jīng)優(yōu)化減少焊球數(shù)量并提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度

靜態(tài)效率模式，旨在支持大容量?jī)?nèi)存配置并最大化存儲(chǔ)體資源利用率

靈活的數(shù)據(jù)訪問(wèn)，支持實(shí)時(shí)突發(fā)長(zhǎng)度控制，可實(shí)現(xiàn) 32B 和 64B 訪問(wèn)

動(dòng)態(tài)寫入 NT-ODT（非目標(biāo)片上終端），使內(nèi)存能根據(jù)工作負(fù)載需求調(diào)整 ODT，提升信號(hào)完整性

能效

為滿足不斷增長(zhǎng)的能效需求，與 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強(qiáng)制要求 VDD2 采用雙電源設(shè)計(jì)。其他節(jié)能特性包括：

采用交替時(shí)鐘命令輸入，提升性能與效率

低功耗動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFSL），在低頻運(yùn)行時(shí)降低 VDD2 電壓，減少功耗

動(dòng)態(tài)效率模式，在低功耗、低帶寬場(chǎng)景下采用單子通道接口

支持部分自刷新和主動(dòng)刷新，降低刷新功耗

安全性與可靠性

相較于上一版本標(biāo)準(zhǔn)，安全性和可靠性方面的改進(jìn)包括：

每行激活計(jì)數(shù)（PRAC），支持 DRAM 數(shù)據(jù)完整性

定義隔離元模式，通過(guò)為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域，提升整體系統(tǒng)可靠性

支持可編程鏈路保護(hù)方案和片上糾錯(cuò)碼（ECC）

能夠支持命令 / 地址（CA）奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測(cè)試（MBIST），增強(qiáng)錯(cuò)誤檢測(cè)能力和系統(tǒng)可靠性