《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術 > 業(yè)界動態(tài) > 一種高頻高壓單片開關電源的設計

一種高頻高壓單片開關電源的設計

2008-07-09
作者:張慶華, 盧廣鋒, 龍興武

??? 摘 要: 介紹了IRIS4007芯片的結構,分析了其基本的工作原理,給出了開關電源" title="開關電源">開關電源" title="單片開關電源" title="單片開關電源">單片開關電源">單片開關電源的實用電路及主要單元電路的設計方法。對電路進行了實驗測試,驗證了該單片開關電源的穩(wěn)定性和可靠性。
??? 關鍵詞: IRIS4007? 單片開關電源? 反激式? 零電壓關斷

???

??? 隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電源模塊的小型化已成為主要研究課題。電源模塊小型化的實現(xiàn)主要從提高開關頻率和采用新的電路拓撲結構兩個方面考慮。本文采用國際整流器(International Rectifier)公司的IRIS4007芯片實現(xiàn)頻率為180kHz的單片開關電源的設計。
1 IRIS4007芯片簡介
??? IRIS4007是智能開關電源集成芯片。該芯片內(nèi)部集成了過流保護電路、過壓保護電路、熱關閉電路,并且把高壓場效應管MOSFET和PWM控制電路集成在一起,圖1為IRIS4007內(nèi)部結構原理圖。VCC為IRIS4007電源供電腳;OCP/FB為反饋腳,通過該引腳實現(xiàn)主電流控制和二次端電壓控制。IRIS4007芯片有兩種工作模式:準諧振模式(QR)和脈沖比率控制模式(PRC)。當反饋端的電壓在比較器" title="比較器">比較器1的門限電壓Vth(1)=0.73V和比較器2的門限電壓Vth(2)=1.45V(MAX:6.0V)之間時,內(nèi)部比較器1將使芯片工作在固定的Toff=50μs的PRC模式下,因此在PRC模式下開關電源的頻率在20kHz以下。當反饋端的電壓高于比較器2的門限電壓時,將使芯片轉(zhuǎn)換到QR模式下工作。在QR模式下工作時,通過外部的延遲電路可以在諧振電壓波形的谷點關斷場效應管,從而實現(xiàn)零電壓關斷,降低高頻損耗。因此選擇IRIS4007芯片設計電路,并使其工作在QR模式下,這樣既有利于開關電源的小型化,又有助于降低開關電源的高頻損耗。

????????????????????????????
2 電源電路的工作原理
??? 本文設計的單片開關電源參數(shù)為:直流輸入電壓為27V, 輸出為800V/4mA, 效率G=70%,頻率f=180kHz。其電路圖如圖2所示,輸入電壓為直流,只用了由L1、C1、C4構成的輸入濾波電路" title="濾波電路">濾波電路。如果是交流供電,還需要有整流電路。由于單片電源的輸入電壓為直流27V,因此可以通過電阻R4和電容C6(濾波電容)為IRIS4007提供偏置電壓,R4的值要根據(jù)IRIS4007的工作電流和電壓確定。R2、D3、C8構成延遲電路,延遲電路用來把準諧振信號從輔助繞組反饋到FB(反饋)引腳,從而實現(xiàn)零電壓關斷,降低高頻損耗以減小開關損耗,同時它也為IRIS4007(k)的內(nèi)部鎖定電路提供1.35mA的維持電流。R7、R8、C8構成電流傳感電路,R7是主初級電流傳感電阻。R8和C8濾掉了開關管上的電流沖擊,電流沖擊是諧振電容C7 的存儲電荷和變壓器的繞組間電容產(chǎn)生的。D2、C5構成反饋輸出整流濾波電路,為光耦供電。Opto1、R1、R3、2DW232、R5為電壓控制回路,D1、C2、L2、C3構成輸出整流濾波電路。

????????????????????????????
3 主要元器件的設計
3.1電源變壓器的設計
3.1.1 電源變壓器磁芯" title="磁芯">磁芯的選取
??? 為滿足開關電源提高效率、減小尺寸和重量的要求,需要一種具有高磁通密度、高頻低損耗的變壓器磁芯。本設計中選用TDK公司PC44材料的磁芯。按照輸出電壓Vo=800V、輸出電流I=4mA,以及高頻變壓器的余量為6%的要求,則輸出功率Po=800×0.004×1.06=3.392W,可選取EPC13的磁芯,該磁芯的有效截面積Ae=0.125m2。
3.1.2 變壓器線圈匝數(shù)的計算
??? 初級繞組匝數(shù)由下式?jīng)Q定:
???

式中,V為施加在繞阻上的電壓幅值,V=27V;B為工作磁通密度,取B=2000GS; Ae為磁芯面積, Ae=0.125m2; f為開關頻率, f=180000Hz。將數(shù)據(jù)代入上式可得:
??? NP=15匝
??? 次級繞組匝數(shù)可由下式確定:
????
式中,Vo為輸出電壓,Vo=800V;VD為整流二極管的導通壓降,取VD=3V;Vmin=27V;Dm為脈沖信號的最大占空比,此處選Dm=0.5。將數(shù)據(jù)代入上式可得:
??? NS≈446匝
??? 反饋繞阻為光耦提供供電電壓,取反饋繞組輸出電壓為VB=13V,V=27V,則反饋繞阻匝數(shù)由下式確定:
??? ??

??? 將數(shù)據(jù)代入可得:
??? NB≈9匝
??? 經(jīng)反復實踐,取NP=20匝、NS=400匝、NB=10匝時,電源效率較高。
3.2 主初級傳感電阻R7值的選擇
??? R7的計算:
???

??? 式中,Ip為初級峰值電流,峰值電流可由下式計算:
???
式中,Iav為初級均值電流,Dm為最大占空比。均值電流可由下式求出:
??? ???

式中,Po為輸出功率,η為所能達到的估計效率,Vmin為最小輸入電壓。
3.3 反饋穩(wěn)壓回路的設計
?? 由于主控芯片IRIS4007為電流控制芯片,本設計中選用線性光耦PC817A完成電流的反饋,其隔離電壓為5 000V,傳輸率CTR=80%~160%。電路中的電壓控制使用穩(wěn)壓二極管2DW232,輸出電壓的穩(wěn)定是通過反饋電流的變化(即負載電流的變化)來改變IRIS4007內(nèi)部PWM波占空比實現(xiàn)的。由于負載電流較小,為減小R3、R5支路的分流,R3+R5的阻值要遠大于負載阻抗。
3.4 輸出整流濾波電路的設計
???? 輸出整流二極管要選擇開關特性好、反向恢復時間短、耐壓高的快恢復二極管;電容的選取不僅要考慮其電容值,還要考慮其耐壓值要高,本設計中電容選用TDK公司的高壓貼片電容(型號為C4532X7R3A103KT),有利于減小電路板尺寸。
4 電源工作狀態(tài)測試結果及結論
??? 根據(jù)上述設計原則, 使用IRIS4007設計了單端反激式開關電源, 所設計的高壓電路板的尺寸為2.3cm×3.1cm。對所研制的電源進行了測試,圖3~圖5 給出了電路正常工作時的實測波形。

????????????????????????

?????????????????
??? 該開關電源已作為激光陀螺的電源獲得了應用,在實際工作中,性能穩(wěn)定、可靠性高、抗干擾能力強。
參考文獻
[1] ?IRIS4007 data sheet. International Rectifier, 2001.
[2] ?葉慧貞,楊興洲. 新穎開關穩(wěn)壓電源[M].北京:國防工業(yè)出版社,1999.
[3] ?沙占友.新型單片開關電源設計與應用技術[M].北京:電子工業(yè)出版社,2005.
[4] ?張占松,蔡宣三. 開關電源的原理與設計[M]. 北京:電子工業(yè)出版社,1998.
[5] ?Using the IRIS40xx series integrated switchers. International?Rectifier, 2001.
[6] ?Design a Power Supply Using the IRIS40xx Series. International Rectifier, 2001.

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內(nèi)容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。