德國(guó)研究機(jī)構(gòu)開(kāi)發(fā)出晶體管開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)200GHz的3D芯片工藝
2008-08-05
作者：信息來(lái)源于：電子工程專(zhuān)輯
設(shè)在柏林的Ferdinand Braun超高頻（FBH）研究所已經(jīng)開(kāi)發(fā)了晶體管開(kāi)關(guān)頻率" title="開(kāi)關(guān)頻率">開(kāi)關(guān)頻率可以超過(guò)200GHz的半導(dǎo)體工藝" title="半導(dǎo)體工藝">半導(dǎo)體工藝。該工具還有可能吸引半導(dǎo)體工業(yè)" title="半導(dǎo)體工業(yè)">半導(dǎo)體工業(yè)的其他特點(diǎn)：該工藝具有實(shí)現(xiàn)三維集成電路的能力。
由FBH的研究人員開(kāi)發(fā)的轉(zhuǎn)移襯底工藝采用銦砷化鎵（InGaAs）作為晶體管有源區(qū)材料。首先，在襯底晶圓" title="晶圓">晶圓上生長(zhǎng)非常薄的磷化銦和InGaAs層。FBH微波技術(shù)部門(mén)的主管Wolfgang Heinrich解釋說(shuō)，這些層的厚度低于10納米。第二步，通過(guò)正常的刻蝕和金屬化工藝完成沉積層的圖形化。之后將該晶圓的正面鍵和到陶瓷載體；再采用標(biāo)準(zhǔn)的減薄工藝去除襯底晶圓。
去除襯底晶圓后，露出了背面的有源層，可以在上面再鍵和其他層，Heinrich這樣介紹。電路制作過(guò)程中，由于去除了襯底晶圓，因此將不會(huì)對(duì)晶體管的介電效率造成不良影響?！安粫?huì)再有硅引起的塵埃效應(yīng)了，”Heinrich說(shuō)?！斑@樣晶體管的截止頻率會(huì)超過(guò)200 GHz，”Heinrich解釋說(shuō)。根據(jù)該研究所發(fā)布的規(guī)范，fT為410 GHz；fmax高達(dá)480 GHz。
除了具有很高的工作頻率外，該工藝另一個(gè)引人注目的特征是：在有源層頂部還可以制作其他層，這樣就有了制作三維電路的可能，同目前的二維芯片相比這可以極大地提高芯片的集成程度。
根據(jù)Heinrich介紹，該研究所尚未決定是否以及如何將該技術(shù)商業(yè)化，因此何時(shí)能將該技術(shù)應(yīng)用到工業(yè)產(chǎn)品中還是個(gè)未知數(shù)。然而，他承認(rèn)，該研究所已經(jīng)在同至少一家機(jī)構(gòu)對(duì)工業(yè)化問(wèn)題進(jìn)行協(xié)商。
由FBH的研究人員開(kāi)發(fā)的轉(zhuǎn)移襯底工藝采用銦砷化鎵（InGaAs）作為晶體管有源區(qū)材料。首先，在襯底晶圓" title="晶圓">晶圓上生長(zhǎng)非常薄的磷化銦和InGaAs層。FBH微波技術(shù)部門(mén)的主管Wolfgang Heinrich解釋說(shuō)，這些層的厚度低于10納米。第二步，通過(guò)正常的刻蝕和金屬化工藝完成沉積層的圖形化。之后將該晶圓的正面鍵和到陶瓷載體；再采用標(biāo)準(zhǔn)的減薄工藝去除襯底晶圓。
去除襯底晶圓后，露出了背面的有源層，可以在上面再鍵和其他層，Heinrich這樣介紹。電路制作過(guò)程中，由于去除了襯底晶圓，因此將不會(huì)對(duì)晶體管的介電效率造成不良影響?！安粫?huì)再有硅引起的塵埃效應(yīng)了，”Heinrich說(shuō)?！斑@樣晶體管的截止頻率會(huì)超過(guò)200 GHz，”Heinrich解釋說(shuō)。根據(jù)該研究所發(fā)布的規(guī)范，fT為410 GHz；fmax高達(dá)480 GHz。
除了具有很高的工作頻率外，該工藝另一個(gè)引人注目的特征是：在有源層頂部還可以制作其他層，這樣就有了制作三維電路的可能，同目前的二維芯片相比這可以極大地提高芯片的集成程度。
根據(jù)Heinrich介紹，該研究所尚未決定是否以及如何將該技術(shù)商業(yè)化，因此何時(shí)能將該技術(shù)應(yīng)用到工業(yè)產(chǎn)品中還是個(gè)未知數(shù)。然而，他承認(rèn)，該研究所已經(jīng)在同至少一家機(jī)構(gòu)對(duì)工業(yè)化問(wèn)題進(jìn)行協(xié)商。
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