功率半導(dǎo)體世界領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）進一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能" title="開關(guān)性能">開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻">導(dǎo)通電阻，確保晶體管具有更高的能效。此外，配合優(yōu)異的dv/dt" title="dv/dt">dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。?

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620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，隨后還將推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點，在620V電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到 1.28Ω；在525V電壓下，STD7N52K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到0.98Ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時間(Trr)、柵電荷量和本征電容，提高開關(guān)性能和工作頻率。?

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優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓撲的融合，為意法半導(dǎo)體" title="意法半導(dǎo)體">意法半導(dǎo)體的SuperMESH3技術(shù)增添了一個新的優(yōu)點：即同類產(chǎn)品中最出色的dv/dt特性。這個特性可以讓照明系統(tǒng)和消費電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實現(xiàn)全方位的強健性，SuperMESH3器件全部經(jīng)過了100%的雪崩測試，并集成了齊納二極管保護功能。?

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在可比的快速恢復(fù)高壓晶體管技術(shù)中，SuperMESH3的單位面積導(dǎo)通電阻最小，受益于這項技術(shù)， STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以使用比同級別產(chǎn)品尺寸更小的封裝，如DPAK。這可以節(jié)省晶體管的占位面積和電路板空間，同時，在開關(guān)和散熱性能方面，還能與尺寸更大的產(chǎn)品媲美。?

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STx6N62K3采用IPAK、DPAK、TO-220和TO-220FP封裝。 ?

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2.5Ω的STx3N62K3將采用IPAK、DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝。0.98Ω的STx7N52K3將采用DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝，1.2Ω的STx6N52K3將采用DPAK和TO-220FP封裝。這些產(chǎn)品將豐富SuperMESH3 620V和525V系列產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品將于2008年第四季度投產(chǎn)。?

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關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）?

意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網(wǎng)站 www.st.com 或 ST中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn。?