《電子技術(shù)應(yīng)用》
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恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

采用Power-SO8封裝的NextPower技術(shù)MOSFET
2010-12-06
作者:恩智浦

  恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(Nasdaq: NXPI)今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,擁有業(yè)界最低RDSon,4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化,采用LFPAK封裝技術(shù),是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進行了優(yōu)化,例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。
 
技術(shù)要點:
  •特性和優(yōu)勢:
   o針對4.5V柵極驅(qū)動的低RDSon而專門優(yōu)化的先進NextPower技術(shù)
   oPower-SO8封裝確保高可靠性,溫度最高可達175?C
   o超低QG、QGD和QOSS確保了高系統(tǒng)效率
  •PSMN1R0-30YLC現(xiàn)已開始供貨。
  •PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款產(chǎn)品,全系列產(chǎn)品將在未來幾個月中陸續(xù)推出。
 
積極評論:
  •恩智浦半導(dǎo)體Power MOSFET營銷經(jīng)理Charles Limonard表示:“恩智浦NextPower系列MOSFET將幫助設(shè)計者實現(xiàn)高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新,并不斷改善導(dǎo)通電阻RDSon、開關(guān)速度和熱效率等關(guān)鍵參數(shù),從而推出具有業(yè)界領(lǐng)先水平的MOSFET器件。”
  •Limonard還表示,“PSMN1R0-30YLC具有領(lǐng)先于同類器件的超低RDSon,可顯著降低功耗;這反過來能提高新一代電子產(chǎn)品的能效,使能效等級更高,尺寸更小”。
 
鏈接
  •采用LFPAK封裝的N溝道30 V 1.15 mΩ 邏輯電平MOSFET-PSMN1R0-30YLC數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品信息:http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html
  •恩智浦MOSFET
 

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