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五大趨勢,2011年DRAM市場走低

2011-01-13
關(guān)鍵詞: 存儲器 DRAM NAND市場 美光

2011年DRAM市場將會是什么景況?以下是投資銀行Barclays Capital分析師C.J. Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項發(fā)展趨勢:

 1. DRAM市場走下坡

 Muse表示,2011年NAND市場前景不錯,但DRAM市場可能相反;主要是因為平板電腦開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場,在這種情況下,原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量,平均每臺約2GB,卻被代換成平板電腦每臺僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量,意味著DRAM將供應(yīng)過剩。

 2. 轉(zhuǎn)向3x納米制程

 整體看來,所有的DRAM供貨商都開始轉(zhuǎn)向3x納米制程,包括三星(Samsung)與海力士(Hynix);日本爾必達(dá)(Elpida)也在試圖從65或6x納米直接跳到3x納米,期望能因此大幅縮減成本。

 3. 韓廠雙強獨大

 DRAM市場不同于NAND市場仍存在眾多一線廠商,已開始呈現(xiàn)韓國兩大廠商獨霸的狀況,目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場的一線供貨商(以技術(shù)水準(zhǔn)與獲利表現(xiàn)來看),美光(Micron)、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財務(wù)狀況與技術(shù)水準(zhǔn)稍遜),至于爾必達(dá)、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術(shù)水準(zhǔn)與財務(wù)狀況都有很大的進步空間)。

 三星是DRAM市場最受關(guān)注的焦點,目前該公司也壟斷了30納米制程DRAM生產(chǎn)所必需的NXT微影工具訂單;今年度,三星最成功之處在于提高了DRAM市場占有率,估計2010年全球DRAM市場成長率在45~50%之間,該公司的DRAM業(yè)務(wù)成長率可高達(dá)70%。

 緊追于三星之后的另一家一線廠商海力士,目前唯一的問題是負(fù)債與管理階層,而這些狀況可望在2011年獲得解決;海力士在中國無錫廠生產(chǎn)4x納米與3x納米的DRAM,在其產(chǎn)品架構(gòu)于明年由8F2轉(zhuǎn)進6F2之后,可望取得更進一步成長動力。

 4. 美光陣營面臨艱困時刻

 美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商,但其前景取決于溝槽式制程轉(zhuǎn)換至堆棧式制程的順利與否;雖然該公司在2010年初曾出現(xiàn)訂單量大增,但良率表現(xiàn)不太令人滿意,整年度的位成長率表現(xiàn)也不佳。

 由于制程轉(zhuǎn)換不順,美光的合作伙伴南亞科與華亞的50納米制程良率問題也未解決,因此美光要轉(zhuǎn)進40納米與30納米,恐怕會很艱難;但Muse預(yù)期,明年也許會有一些轉(zhuǎn)機。

 5. 爾必達(dá)的豪賭

 爾必達(dá)目前正盡全力想成為領(lǐng)導(dǎo)級廠商,在日本與臺灣兩地積極募資;此外在技術(shù)部分,該公司開發(fā)出65納米微縮制程65納米XS,搶在DRAM價格仍不錯的時候多賺一些利潤;同時也試圖躍進40納米與30納米制程。

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