1.DRAM市場走下坡

    Muse表示，2011年NAND市場前景不錯，但DRAM市場可能相反；主要是因為平板電腦開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺約2GB，卻被代換成平板電腦每臺僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應過剩。

    2.轉向3x納米制程

    整體看來，所有的DRAM供貨商都開始轉向3x納米制程，包括三星(Samsung)與海力士(Hynix)；日本爾必達(Elpida)也在試圖從65或6x納米直接跳到3x納米，期望能因此大幅縮減成本。

    3.韓廠雙強獨大

    DRAM市場不同于NAND市場仍存在眾多一線廠商，已開始呈現(xiàn)韓國兩大廠商獨霸的狀況，目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場的一線供貨商(以技術水準與獲利表現(xiàn)來看)，美光(Micron)、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財務狀況與技術水準稍遜)，至于爾必達、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術水準與財務狀況都有很大的進步空間)。

    三星是DRAM市場最受關注的焦點，目前該公司也壟斷了30納米制程DRAM生產(chǎn)所必需的NXT微影工具訂單；今年度，三星最成功之處在于提高了DRAM市場占有率，估計2010年全球DRAM市場成長率在45~50%之間，該公司的DRAM業(yè)務成長率可高達70%。

    緊追于三星之后的另一家一線廠商海力士，目前唯一的問題是負債與管理階層，而這些狀況可望在2011年獲得解決；海力士在中國無錫廠生產(chǎn)4x納米與3x納米的DRAM，在其產(chǎn)品架構于明年由8F2轉進6F2之后，可望取得更進一步成長動力。

    4.美光陣營面臨艱困時刻

    美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商，但其前景取決于溝槽式制程轉換至堆棧式制程的順利與否；雖然該公司在2010年初曾出現(xiàn)訂單量大增，但良率表現(xiàn)不太令人滿意，整年度的位成長率表現(xiàn)也不佳。

    由于制程轉換不順，美光的合作伙伴南亞科與華亞的50納米制程良率問題也未解決，因此美光要轉進40納米與30納米，恐怕會很艱難；但Muse預期，明年也許會有一些轉機。

    5.爾必達的豪賭

    爾必達目前正盡全力想成為領導級廠商，在日本與臺灣兩地積極募資；此外在技術部分，該公司開發(fā)出65納米微縮制程65納米XS，搶在DRAM價格仍不錯的時候多賺一些利潤；同時也試圖躍進40納米與30納米制程。