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一種可調(diào)延時(shí)超窄脈沖觸發(fā)序列產(chǎn)生技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)高頻信號(hào)在欠采樣條件下的波形重構(gòu)，遞進(jìn)延時(shí)超窄觸發(fā)信號(hào)的產(chǎn)生成為順序等效采樣技術(shù)用于觸發(fā)取樣系統(tǒng)進(jìn)行高頻信號(hào)采樣的關(guān)鍵。為此，設(shè)計(jì)了一種可編程延時(shí)觸發(fā)序列產(chǎn)生及調(diào)理電路，在FPGA數(shù)字電路的控制下，通過(guò)計(jì)數(shù)器與延時(shí)模塊產(chǎn)生可調(diào)延時(shí)觸發(fā)序列，利用階躍恢復(fù)二極管特性對(duì)產(chǎn)生的觸發(fā)序列進(jìn)行調(diào)理，產(chǎn)生一種延時(shí)步進(jìn)可調(diào)、邊沿極窄的脈沖信號(hào)。通過(guò)對(duì)該電路進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明，輸出脈沖信號(hào)步進(jìn)范圍0~-2.4 ns可調(diào)，分辨率可達(dá)1 ps，且邊沿跳變時(shí)間可以達(dá)到120 ps內(nèi)，幅度可達(dá)到8 V左右。該延遲脈沖和調(diào)理電路可應(yīng)用于通信、雷達(dá)等信號(hào)探測(cè)設(shè)備中，對(duì)于高頻信號(hào)的獲取與分析具有重要意義。

發(fā)表于：2/20/2024

地鐵車輛小型電器設(shè)備加速試驗(yàn)在線測(cè)試系統(tǒng)

為了滿足地鐵車輛使用的小型電器設(shè)備在加速試驗(yàn)過(guò)程中的在線電性能參數(shù)測(cè)試的需求，通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)的小型電器設(shè)備在線測(cè)試電源、測(cè)試設(shè)備及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)，提出了一種基于加速試驗(yàn)的地鐵車輛小型電器設(shè)備在線測(cè)試系統(tǒng)。針對(duì)地鐵車輛小型電器設(shè)備對(duì)電源系統(tǒng)的特殊要求提出了具有交直流轉(zhuǎn)換、電壓可調(diào)、大功率、高精度的電源設(shè)計(jì)方案。同時(shí)設(shè)計(jì)了信號(hào)采集、傳輸?shù)臏y(cè)試電路及可存儲(chǔ)、處理數(shù)據(jù)的軟件平臺(tái)，并應(yīng)用于實(shí)際的加速試驗(yàn)中證明該測(cè)試系統(tǒng)是可行的。這種應(yīng)用于加速試驗(yàn)的地鐵車輛小型電器設(shè)備在線測(cè)試系統(tǒng)可實(shí)時(shí)檢測(cè)小型電器設(shè)備的吸合時(shí)間、接觸電阻等數(shù)據(jù)，為小型電器設(shè)備的維修維護(hù)提供重要的參考數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：2/20/2024

一種基于芯片片內(nèi)總線的DMA控制器芯片的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

通過(guò)對(duì)片內(nèi)總線的研究和理解，為最大化發(fā)揮總線優(yōu)勢(shì)，將直接存儲(chǔ)訪問(wèn)技術(shù)和ICB總線結(jié)合，設(shè)計(jì)了一種基于ICB總線的DMA控制器。通過(guò)軟件仿真驗(yàn)證了該控制器的邏輯功能，仿真結(jié)果表明其能夠正常穩(wěn)定運(yùn)行。

發(fā)表于：2/20/2024

一種基于分布式計(jì)算的芯片仿真加速設(shè)計(jì)

隨著芯片設(shè)計(jì)規(guī)模和復(fù)雜度越來(lái)越大，傳統(tǒng)的芯片EDA（Electronic Design Automation）驗(yàn)證方法在子系統(tǒng)和SoC（System on Chip）全芯片級(jí)別越來(lái)越受限于仿真速度限制。如何高效收斂RTL（Register Transfer Level）設(shè)計(jì)，確保及時(shí)高質(zhì)量交付，成為芯片研發(fā)領(lǐng)域急需解決的重要問(wèn)題。介紹了一種自研的利用分布式計(jì)算方法來(lái)加速大型芯片仿真效率的DVA（Distributed Verification Acceleration）系統(tǒng)架構(gòu)和實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：2/20/2024

一種應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)的新型過(guò)溫保護(hù)電路

基于0.18 μm BCD工藝，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)的新型過(guò)溫保護(hù)電路。利用基于電流求和的Banba型帶隙基準(zhǔn)源來(lái)產(chǎn)生高低閾值電壓，從而消除芯片在過(guò)溫點(diǎn)附近的振蕩現(xiàn)象，同時(shí)帶隙基準(zhǔn)源加入了高階曲率補(bǔ)償，提高了過(guò)溫閾值點(diǎn)的精度。通過(guò)Cadence軟件對(duì)該電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。結(jié)果表明，在-40℃~150 ℃的溫度變化區(qū)間內(nèi)，高低閾值電壓的溫度特性好，溫度系數(shù)為2.9 ppm。當(dāng)溫度高于131.8 ℃時(shí)，能夠觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)；當(dāng)溫度低于109.4 ℃時(shí)，電路可恢復(fù)正常工作，遲滯量為22.4 ℃。該過(guò)溫保護(hù)電路精度高，穩(wěn)定性好，可應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)芯片中。

發(fā)表于：2/20/2024

格芯將獲得美芯片行業(yè)第三筆補(bǔ)貼15億美元資金

拜登政府周一(2月19日)宣布，將向半導(dǎo)體公司格芯(GlobalFoundries)提供15億美元的補(bǔ)貼，以擴(kuò)大其在紐約和佛蒙特州的生產(chǎn)項(xiàng)目。由于恰逢美股休市，該消息未能反應(yīng)在格芯股價(jià)上面。

發(fā)表于：2/20/2024

2023年我國(guó)累計(jì)進(jìn)口集成電路4795億顆

2023這一年里，作為全球電子產(chǎn)品制造流通的樞紐，全年我國(guó)累計(jì)進(jìn)口集成電路4795億顆，較2022年下降10.8%；進(jìn)口金額3494億美元，同比下降15.4%。

發(fā)表于：2/20/2024

西電郝躍院士在超陡垂直晶體管器件研究方面取得進(jìn)展

近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Steep-Slope Vertical-Transport Transistors Built from sub-5 nm Thin van der Waals Heterostructures”為題發(fā)表于《自然?通訊》。該工作報(bào)道一種新型晶體管器件技術(shù)，將電阻閾值開(kāi)關(guān)與垂直晶體管進(jìn)行集成，實(shí)現(xiàn)了兼具超陡亞閾值擺幅與高集成密度潛力的垂直溝道晶體管，電流開(kāi)關(guān)比超過(guò)8個(gè)數(shù)量級(jí)且室溫亞60mV/dec電流范圍超過(guò)6個(gè)數(shù)量級(jí)，為后摩爾時(shí)代高性能晶體管技術(shù)提供了一種新的器件方案。

發(fā)表于：2/20/2024

豐田因發(fā)動(dòng)機(jī)排放數(shù)據(jù)造假將被采取監(jiān)管

發(fā)表于：2/20/2024

中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值2024年可望突破5萬(wàn)億元新臺(tái)幣

中國(guó)臺(tái)灣工研院產(chǎn)科國(guó)際所預(yù)估，今年第一季度中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值將約1.14萬(wàn)億元新臺(tái)幣（單位下同），季減5.2%，年增13.1%。全年產(chǎn)值可望突破5萬(wàn)億元，將創(chuàng)新高，增加15.4%。產(chǎn)科國(guó)際所預(yù)估，在產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存問(wèn)題消除，AI（人工智能）需求強(qiáng)勁帶動(dòng)下，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣可望回溫，產(chǎn)科國(guó)際所預(yù)期，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值將突破5萬(wàn)億元關(guān)卡，達(dá)5.01萬(wàn)億元，增加15.4%。

發(fā)表于：2/20/2024

國(guó)產(chǎn)1英寸大底之王OV50X首度曝光

博主數(shù)碼閑聊站爆料，豪威新一代傳感器OV50X已在路上，采用22nm工藝，擁有1英寸超大底，是目前表現(xiàn)最好的國(guó)產(chǎn)傳感器，被稱之為“1英寸鏡皇”。據(jù)悉，OV50X采用LOFIC技術(shù)，全稱是“Lateral Overflow lntegration Capacitor”，中文名為“橫向溢出集合電容”。

發(fā)表于：2/20/2024

臺(tái)積電5納米以下先進(jìn)制程訂單已滿載

發(fā)表于：2/20/2024

英飛凌科技旗下Imagimob可視化Graph UX改變邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)建模

【2024年2月19日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）旗下公司Imagimob對(duì)其Imagimob Studio做出更新。用戶現(xiàn)在可以將他們的機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）建模流程可視化，并利用各種先進(jìn)功能更加高效、快速地開(kāi)發(fā)適用于邊緣設(shè)備的模型。

發(fā)表于：2/19/2024

ASML成全球最大晶圓設(shè)備制造商

分析師 Dan Nystedt 近日發(fā)布研究簡(jiǎn)報(bào)，表示 ASML 公司在 2023 年終結(jié)應(yīng)用材料公司（Applied Materials）長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年的霸主地位，成為全球最大的晶圓廠工具制造商。

發(fā)表于：2/19/2024

英特爾oneAPI DPC++ 編譯器優(yōu)化CPU跑分最高9%

SPEC 近日發(fā)布編譯器通知，表示近期發(fā)現(xiàn)英特爾 oneAPI DPC++ 編譯器存在特殊優(yōu)化問(wèn)題，宣布 2600 多項(xiàng)英特爾 SPEC CPU 2017 基準(zhǔn)測(cè)試成績(jī)無(wú)效。

發(fā)表于：2/19/2024