工業(yè)自動化最新文章 豐田七款車型測試數據存在錯誤違規(guī) 豐田七款車型測試數據存在錯誤違規(guī)！豐田汽車再次致歉 發(fā)表于：6/3/2024 比爾·蓋茨為何“癡心”長時儲能，這十大儲能技術或改變世界 比爾·蓋茨為何“癡心”長時儲能，這十大儲能技術或改變世界 發(fā)表于：6/3/2024 技術創(chuàng)新不斷突破 我國新型儲能產業(yè)發(fā)展步伐加快 技術創(chuàng)新不斷突破 我國新型儲能產業(yè)發(fā)展步伐加快 發(fā)表于：6/3/2024 中國科學院自動化所研發(fā)出低功耗類腦芯片 中科院自動化所研發(fā)出低功耗類腦芯片 發(fā)表于：6/3/2024 意法半導體新演示板幫助先進工業(yè)和消費電子廠商加快雙電機設計 2024年5月31日，中國- 意法半導體的EVSPIN32G4-DUAL演示板只用一個高集成度電機驅動器STSPIN32G4就能控制兩臺電機運轉，加快產品開發(fā)周期，簡化PCB電路板設計，降低物料成本。 發(fā)表于：5/31/2024 英飛凌攜手酷冷至尊打造業(yè)界首款高瓦數電源方案 近期，不論是高階電競或是AI應用的發(fā)展，對于系統(tǒng)運算能力和性能的要求都在不斷提升，因此，對電源的高轉換效率與散熱已成為未來市場的剛性需求。全球散熱及電源解決方案品牌酷冷至尊(上海)科技有限公司與全球功率系統(tǒng)半導體領導廠商英飛凌科技合作，結合雙方在散熱設計以及電源轉換的專業(yè)與優(yōu)勢，推出X series旗艦級850W - 2000W高功率電源系列， 發(fā)表于：5/31/2024 貿澤開售Microchip RNWF02搶先體驗版開發(fā)套件 2024年5月30日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Microchip Technology的RNWF02搶先體驗版開發(fā)工具。RNWF02開發(fā)套件簡化了Wi-Fi® 與主機MCU的集成，可實現無縫云連接，其高性價比、即插即用的設計，非常適合家庭和工業(yè)自動化、遠程設備監(jiān)控、健康和健身，以及物聯(lián)網 （IoT） 應用。 發(fā)表于：5/31/2024 貿澤電子開售Texas Instruments TX75E16變送器 2024年5月20日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Texas Instruments的TX75E16 16通道五級變送器。TX75E16專為超聲成像系統(tǒng)而設計，集成了片上浮動電源，可減少所需高壓電源的數量。TX75E16是一款高度集成的高性能變送器，適用于各種應用，包括無損檢測、聲納、激光雷達和海洋導航系統(tǒng)等。 發(fā)表于：5/31/2024 美國限制英偉達AMD在中東的AI芯片銷售 美國限制英偉達、AMD在中東的AI芯片銷售 發(fā)表于：5/31/2024 我國600瓦霍爾電推進系統(tǒng)完成3顆衛(wèi)星升軌任務 我國600瓦霍爾電推進系統(tǒng)完成3顆衛(wèi)星升軌任務 發(fā)表于：5/31/2024 英特爾AMD微軟博通等科技巨頭組建UALink 對抗英偉達NVLink？英特爾、AMD、微軟、博通等科技巨頭組建UALink 發(fā)表于：5/31/2024 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域：防止技術外漏 5月30日消息，據媒體報道，日本經濟產業(yè)省近日宣布，將在半導體、先進電子零部件、蓄電池、機床及工業(yè)機器人、飛機零部件等五大關鍵產業(yè)領域實施更為嚴格的監(jiān)管措施，以遏制技術外泄風險。 發(fā)表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產計劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產計劃提前至2026年 發(fā)表于：5/31/2024 三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用 5月30日消息，韓國核安全部門對三星電子展開了一項重要調查，調查起因是該公司在其一家芯片工廠內發(fā)生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。 這兩名工人因手指出現“異常”的輻射癥狀被緊急送往醫(yī)院接受專業(yè)治療，目前他們已入院并正在接受更為細致的醫(yī)學檢查。盡管他們的手指呈現輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規(guī)血液檢測結果顯示正常。 三星電子對此事件迅速作出反應，公開承認這兩名員工在位于韓國器興的半導體工廠中“手部意外受到X射線照射”。 發(fā)表于：5/31/2024 ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線寬 發(fā)表于：5/31/2024 ?…130131132133134135136137138139…?
