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日月光攜手封裝基板產(chǎn)業(yè)成立AI應(yīng)用聯(lián)盟

日月光攜手封裝基板產(chǎn)業(yè)開發(fā)AI檢測技術(shù)，成立AI應(yīng)用聯(lián)盟

發(fā)表于：1/2/2025

韓國2024年芯片出口飆升43.9%創(chuàng)新高

1月1日消息，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部公布的數(shù)據(jù)顯示，由于來自中國的需求增加且半導(dǎo)體銷售保持彈性，韓國12月出口保持增長勢頭。韓國12月份經(jīng)工作日差異調(diào)整后的出口額較上年同期增長4.3%，未經(jīng)調(diào)整的出口增長6.6%，整體進(jìn)口增長3.3%，貿(mào)易順差為65億美元，連續(xù)19個月保持順差。

發(fā)表于：1/2/2025

Imagination CEO被指控將關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)讓被迫離職

2025年1月1日消息，據(jù)英國媒體Telegraph報道，英國半導(dǎo)體IP公司Imagination Technologies的首席執(zhí)行官Simon Beresford-Wylie 因為被指控將關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)讓給中國而被迫辭職。

發(fā)表于：1/2/2025

韓國中小半導(dǎo)體企業(yè)正在轉(zhuǎn)向英偉達(dá)和臺積電

1月1日消息，據(jù)媒體報道，韓國的中小型半導(dǎo)體企業(yè)開始跟隨著英偉達(dá)、臺積電的腳步，進(jìn)行下一代產(chǎn)品量產(chǎn)的發(fā)展與生產(chǎn)。 ZDNet Korea報道稱，韓國中小型制造業(yè)正在配合英偉達(dá)和臺積電下一代技術(shù)的引進(jìn)，特別是在英偉達(dá)計劃于2025年正式發(fā)表的下一代B300 AI芯片。

發(fā)表于：1/2/2025

美光宣布投資21.7億美元提升美國特種DRAM產(chǎn)能

2025年1月1日消息，美光公司總裁Glenn Youngkin表示，美光公司計劃投資21.7億美元擴(kuò)建其在美國弗吉尼亞州馬納薩斯的半導(dǎo)體工廠，將提高其在美國的半導(dǎo)體產(chǎn)能。該項目將升級該設(shè)施，為工業(yè)、汽車、航空航天和國防應(yīng)用生產(chǎn)專用DRAM存儲器，預(yù)計將創(chuàng)造340個就業(yè)機(jī)會。

發(fā)表于：1/2/2025

授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件

　　2024年12月10日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商、專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創(chuàng)新解決方案的全球授權(quán)代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運(yùn)動、繼電器、傳感器和開關(guān)解決方案制造商。貿(mào)澤有9500多種Same Sky創(chuàng)新產(chǎn)品開放訂購，其中5500多種有現(xiàn)貨庫存。

發(fā)表于：12/31/2024

IAR C-SPY為VS Code社區(qū)樹立調(diào)試新標(biāo)準(zhǔn)

　　瑞典烏普薩拉，2024年12月5日 — 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應(yīng)商IAR宣布，對VS Code中的調(diào)試擴(kuò)展IAR C-SPY調(diào)試器進(jìn)行了重大升級。此次升級引入了IAR的Listwindow技術(shù)，進(jìn)一步提升了調(diào)試能力，使IAR C-SPY調(diào)試器在VS Code環(huán)境中成為嵌入式設(shè)備調(diào)試方面的全新標(biāo)桿。

發(fā)表于：12/31/2024

在校準(zhǔn)中使用埋入式齊納技術(shù)帶來極高精度優(yōu)勢

　　精密測試設(shè)備依靠精確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，確保所有測量結(jié)果都能準(zhǔn)確地反映受測器件的狀態(tài)。在測試和測量中，任何偏移誤差、增益誤差或有效位數(shù)減少都將對測量結(jié)果產(chǎn)生負(fù)面影響。然而，遺憾的是，在高精度系統(tǒng)中，所有這些誤差都無法完全避免。溫度漂移或長期漂移等問題最終會以增益誤差或偏移誤差的形式表現(xiàn)出來。因此必須進(jìn)行校準(zhǔn)，確保所有測量結(jié)果都是準(zhǔn)確的。

發(fā)表于：12/31/2024

Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠為工業(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。

發(fā)表于：12/31/2024

三星電子2nm制程初始良率優(yōu)于上代

12 月 31 日消息，韓媒 ChusunBiz 今日表示，三星電子正對下代 2nm 先進(jìn)制程進(jìn)行量產(chǎn)測試。報道指與上代開發(fā)進(jìn)程十分坎坷的 3nm 相比，2nm 制程的初始良率超出了預(yù)期。三星電子從本季度開始將 2nm 制造設(shè)備轉(zhuǎn)移至韓國京畿道華城市 S3 代工生產(chǎn)線，計劃于 2025 上半年啟動 2nm 的試生產(chǎn)，目標(biāo)在明年內(nèi)正式推出 2nm 工藝；此外根據(jù)同美國政府達(dá)成的《CHIPS》法案補(bǔ)貼正式協(xié)議，三星的美國得州泰勒晶圓廠也將聚焦 2nm 制程。

發(fā)表于：12/31/2024

傳安謀科技CPU部門將裁員

12月30日消息，近日，有網(wǎng)友在某社交平臺爆料稱，國內(nèi)半導(dǎo)體IP大廠安謀科技（Arm中國）的CPU部門將裁員，目前該部門約30-40人，補(bǔ)償方案為“n+3”，年終獎可正常發(fā)放，社保將會交到明年2月份。根據(jù)之前的資料顯示，安謀科技在深圳、上海、北京、成都等地共有員工約800人，研發(fā)團(tuán)隊占比85%，并累計申請?zhí)幚砥骱诵膶＠?00余項。研發(fā)產(chǎn)品覆蓋了SOC、HPC、CPU、AI、多媒體、ISP、VPU等。

發(fā)表于：12/31/2024

TrendForce預(yù)估2025年一季度一般型DRAM內(nèi)存合約價下跌

12 月 30 日消息，TrendForce 集邦咨詢表示，2025Q1 進(jìn)入 DRAM 內(nèi)存市場淡季階段。在智能手機(jī)等需求持續(xù)萎縮、部分產(chǎn)品提前備貨的背景下，明年不計入 HBM 的一般型 DRAM 內(nèi)存合約價整體將出現(xiàn) 8%~13% 下滑，較本季度降幅擴(kuò)大 5 個百分點。

發(fā)表于：12/31/2024

全球首片8.6代OLED玻璃基板產(chǎn)品在安徽蚌埠成功下線

據(jù)大皖新聞報道，12月29日，由中建材玻璃新材料研究院集團(tuán)有限公司和蚌埠中光電科技有限公司自主研發(fā)生產(chǎn)的世界首片8.6代OLED玻璃基板產(chǎn)品在安徽蚌埠成功下線，開創(chuàng)了高世代OLED玻璃基板“中國制造”的新紀(jì)元。

發(fā)表于：12/31/2024

全球首個半導(dǎo)體行業(yè)開源大模型SemiKong發(fā)布

12月29日消息，Aitomatic及其“AI聯(lián)盟”（AI Alliance）合作伙伴推出了全球首個專為半導(dǎo)體業(yè)需求而設(shè)計的開源大型語言模型（LLM）——SemiKong，旨在成為半導(dǎo)體設(shè)計公司工作流程的一部分，可以充當(dāng)老專家，加速新芯片的研發(fā)和上市進(jìn)程。負(fù)責(zé)開發(fā)SemiKong的Aitomatic公司指出，半導(dǎo)體業(yè)迫切需要收集專家信息，許多年邁的老專家陸續(xù)退休加劇了知識斷層，幾家公司正飽受專業(yè)知識嚴(yán)重不足之苦。針對產(chǎn)業(yè)需求量身打造的大語言模型SemiKong有望成為新晉工程師維持競爭力、快速獲得專業(yè)知識的可靠途徑。

發(fā)表于：12/31/2024

三星準(zhǔn)備開發(fā)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)1e nm DRAM

12 月 30 日消息，韓媒 the bell 當(dāng)?shù)貢r間 26 日報道稱，三星電子準(zhǔn)備啟動采用常規(guī)結(jié)構(gòu)的 1e nm制程 DRAM，實現(xiàn)先進(jìn)內(nèi)存開發(fā)多軌化，為未來可能的商業(yè)化提供更豐富技術(shù)儲備。

發(fā)表于：12/31/2024