消費電子最新文章 昆侖萬維發(fā)布獎勵模型Skywork-Reward 昆侖萬維發(fā)布獎勵模型 Skywork-Reward，登頂 RewardBench 排行榜 發(fā)表于：9/14/2024 谷歌明年或把Tensor G5生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到臺積電 因三星3納米良率低，谷歌明年或把Tensor G5生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到臺積電 發(fā)表于：9/14/2024 北京發(fā)出首張具身智能機器人食品經(jīng)營許可證 北京發(fā)出首張“具身智能機器人食品經(jīng)營許可證”：“AI 大廚”即將登場 發(fā)表于：9/14/2024 英特爾與京東方推出Winning Display 1Hz技術(shù) 顯示功耗降低 65%，英特爾與京東方推出 Winning Display 1Hz 技術(shù) 發(fā)表于：9/13/2024 戴爾宣布今年將繼續(xù)執(zhí)行裁員計劃 據(jù)外媒報導，因為擔心個人電腦（PC）需求尚未復蘇，且針對人工智能（AI）優(yōu)化的服務器銷售利潤不如其他產(chǎn)品的情況下，PC大廠戴爾于9月11日宣布，為控制成本，計劃在2024年繼續(xù)執(zhí)行裁員計劃。 戴爾表示，相關(guān)的裁員計劃內(nèi)容，包括限制外部招聘、職缺重組以及其他行動。執(zhí)行這些計劃后，將導致在截至2025年2月的財年期間，戴爾的總員工人數(shù)持續(xù)減少。成本?！?/a> 發(fā)表于：9/13/2024 Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模塊 2024年9月11日，美國北卡羅來納州達勒姆市、中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 無基板碳化硅模塊。這一碳化硅解決方案經(jīng)過優(yōu)化設計，可帶來效率、耐用性、可靠性、可擴展性的提升，將助力推動可再生能源、儲能、高容量快速充電等領(lǐng)域的變革。這款 2300 V 無基板碳化硅模塊針對 1500 V 直流母線應用開發(fā)，并采用了 Wolfspeed 前沿領(lǐng)先的 200 mm 碳化硅晶圓。 發(fā)表于：9/12/2024 e絡盟榮膺 TDK 2024 財年全球卓越表現(xiàn)獎 中國上海，2024年9月9日——安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟 榮獲 TDK 頒發(fā)的2024 財年全球卓越表現(xiàn)獎。e絡盟是一家為電子和工業(yè)系統(tǒng)設計、維護和維修提供相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)的分銷商，它響應速度快且值得信賴。 發(fā)表于：9/12/2024 三星電子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式開始量產(chǎn) 三星電子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式開始量產(chǎn) 發(fā)表于：9/12/2024 消息稱三星電子開啟全球裁員 消息稱三星電子開啟海外裁員，部分部門裁員幅度高達 30% 發(fā)表于：9/12/2024 高通第五代驍龍8將迎來雙代工廠 此前有報道稱，高通考慮未來驍龍8平臺采用雙代工廠策略，分別采用臺積電（TSMC）和三星的3nm工藝。高通原打算在2024年的第四代驍龍8開始執(zhí)行該計劃，不過由于三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終讓高通選擇延后執(zhí)行該計劃。 發(fā)表于：9/12/2024 谷歌Tensor G6將采用臺積電2nm制程代工 傳谷歌Tensor G6將采用臺積電2nm制程代工 發(fā)表于：9/12/2024 新思科技發(fā)布全球領(lǐng)先的40G UCIe IP 新思科技發(fā)布全球領(lǐng)先的40G UCIe IP，助力多芯片系統(tǒng)設計全面提速 發(fā)表于：9/11/2024 高通與聯(lián)發(fā)科下一代旗艦芯片決戰(zhàn)全大核時代 移動芯片步入全大核時代，高通、聯(lián)發(fā)科決戰(zhàn)下一代旗艦芯 發(fā)表于：9/11/2024 美光宣布單顆36GB HBM3E內(nèi)存 9月10日消息，美光官方宣布，已經(jīng)完成12-Hi堆棧的新一代HBM3E高帶寬內(nèi)存，單顆容量達36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。 它將用于頂尖的AI、HPC計算產(chǎn)品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，單卡就能輕松運行700億參數(shù)的Llama2等大模型，不再需要頻繁調(diào)用CPU，從而減少延遲、提高數(shù)據(jù)處理效率。 美光12-Hi 36GB HBM3E內(nèi)存還有著9.2Gbps的超高速率，單顆就能提供超過1.2TB/s的驚人帶寬，而且功耗比8-Hi版本更低。 臺積電CoWoS封裝技術(shù)制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技術(shù)，彼此可以輕松搭配。 支持完全可編程的MBIST(內(nèi)存內(nèi)置自測試)，可以模擬全速下的系統(tǒng)負載，方便快速完成測試驗證，加快上市。 美光表示，12-Hi HBM3E已經(jīng)提供給關(guān)鍵伙伴進行驗證。 發(fā)表于：9/11/2024 英特爾Arrow Lake處理器被爆推遲至10月24日發(fā)布 消息稱英特爾 Arrow Lake 處理器推遲至 10 月 24 日發(fā)布 發(fā)表于：9/11/2024 ?…37383940414243444546…?
