0.13μm射頻MOS場效應(yīng)晶體管特性及模擬
所屬分類：解決方案
上傳者：news
文檔大小：396 K
標(biāo)簽： ADI TI FPGA
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文檔介紹：采用0113μm CMOS 射頻和混合信號工藝進(jìn)行了射頻nMOS 場效應(yīng)晶體管版圖的優(yōu)化設(shè)計和芯片制作.對制作的射頻nMOS 器件進(jìn)行了直流特性和S 參數(shù)測試, 測試結(jié)果表明射頻nMOS 管的特征頻率f T 達(dá)到了93GHz , f max超過了90GHz . 采用小信號等效電路模型對該nMOS 管的交流特性進(jìn)行了模擬. 在100MHz 到30GHz 頻率范圍內(nèi)得到了與測試結(jié)果相吻合的仿真結(jié)果.
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