iCoupler®隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖考慮因素 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:ADI | |
文檔大?。?span>500 K | |
標(biāo)簽: 信號(hào)調(diào)理 | |
所需積分:0分積分不夠怎么辦? | |
文檔介紹:由于iCoupler采用CMOS技術(shù),因此在系統(tǒng)級(jí)ESD(靜電放電)、電涌電壓、快速瞬變或其它過(guò)壓條件下,它比光耦更容易受到閂鎖或ESD的破壞。本應(yīng)用筆記提供關(guān)于避免這些問(wèn)題的指南。針對(duì)各種系統(tǒng)級(jí)測(cè)試配置,本文舉例說(shuō)明了其可能影響性能的機(jī)制。針對(duì)每個(gè)示例,本文都給出了推薦解決方案。 | |
現(xiàn)在下載 | |
VIP會(huì)員,AET專家下載不扣分;重復(fù)下載不扣分,本人上傳資源不扣分。 |
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2