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日本地震使EMI濾波器和鋁電解電容的供應(yīng)趨緊

日本大地震將加劇EMI濾波器、鋁電解電容和MLCC的供應(yīng)緊缺狀況。據(jù)本刊了解到的最新信息，TDK關(guān)閉了一個(gè)生產(chǎn)廠，村田則關(guān)閉了宮城縣EMI靜噪濾波器和線圈產(chǎn)品的制造廠、仙臺(tái)壓電產(chǎn)品和高頻組件的制造廠、小山的機(jī)能性高分子電容器的制造廠。這三座工廠生產(chǎn)的產(chǎn)品包括EMI靜噪濾波器、MLCC、表面聲波濾波器等。

發(fā)表于：4/1/2011

熱電偶的結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用

常用熱電偶可分為標(biāo)準(zhǔn)熱電偶和非標(biāo)準(zhǔn)熱電偶兩大類。所調(diào)用標(biāo)準(zhǔn)熱電偶是指國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了其熱電勢(shì)與溫度的關(guān)系、允許誤差、并有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)分度表的熱電偶，它有與其配套的顯示儀表可供選用。

發(fā)表于：4/1/2011

Vishay Siliconix的新款N溝道功率MOSFET再次刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。

發(fā)表于：3/31/2011

物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)：無(wú)線傳感器及無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)應(yīng)用

物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)：無(wú)線傳感器及無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)應(yīng)用傳感器信息獲取技術(shù)已經(jīng)從過(guò)去的單一化漸漸向集成化、微型化和網(wǎng)絡(luò)化方向發(fā)展，并將會(huì)帶來(lái)一場(chǎng)信息革命。無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)（WirelessSensorNetwork）綜合了微電子技術(shù)、嵌入式計(jì)算技術(shù)、現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)及無(wú)線通信技術(shù)、分布式信息處理技術(shù)等先進(jìn)技術(shù)，能夠協(xié)同地實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、感知和采集網(wǎng)絡(luò)覆蓋區(qū)域中各種環(huán)境或監(jiān)測(cè)對(duì)象的信息，并對(duì)其進(jìn)行處理，處理后的信息通過(guò)無(wú)線方式發(fā)送，并以自組多跳的網(wǎng)絡(luò)方式傳送給觀察者。傳感器網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用前景十分廣闊，在軍事、工農(nóng)業(yè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)，醫(yī)療護(hù)理、搶險(xiǎn)救災(zāi)、危險(xiǎn)區(qū)域遠(yuǎn)程控制以及智能家居等領(lǐng)域都有潛在的使

發(fā)表于：3/31/2011

一種光傳感器高性能放大電路的設(shè)計(jì)研究

以物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用為背景，根據(jù)光傳感器放大電路的應(yīng)用場(chǎng)景和特點(diǎn)設(shè)計(jì)放大電路，得出了制作傳感器放大電路的理論依據(jù)、設(shè)計(jì)方法、電路改進(jìn)措施等。采用計(jì)算加實(shí)驗(yàn)的方法，在給出一系列設(shè)計(jì)技巧、注意事項(xiàng)和經(jīng)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，研究出了一種使用CMOS型集成運(yùn)算放大器等新型器件制作的光傳感器高性能放大器的實(shí)際電路?；谌?jí)級(jí)聯(lián)的方式，該放大器具有靈敏度高，波動(dòng)性好，低能耗，微型化等特點(diǎn)。

發(fā)表于：3/31/2011

電容式邊緣傳感器的設(shè)計(jì)

電容測(cè)微方法能夠檢測(cè)到微小的位移變化，在此利用電容測(cè)微法設(shè)計(jì)制作電容式邊緣傳感器，該傳感器可以用來(lái)檢測(cè)拼接在一起或者相互平行的兩平板之間的位置變化。給出了電容式邊緣傳感器的設(shè)計(jì)原理，傳感器的主要結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)過(guò)程中遇到的問(wèn)題和解決方案。并在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了驗(yàn)證，給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)結(jié)果換算到位移變化達(dá)到了檢測(cè)到小于5 nm的位置變化的科研目標(biāo)。該傳感器可以廣泛應(yīng)用于拼接望遠(yuǎn)鏡，法珀等天文儀器控制領(lǐng)域和其他工業(yè)控制領(lǐng)域。

發(fā)表于：3/31/2011

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用3232外形尺寸的電感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款I(lǐng)HLP®低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當(dāng)中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm，高度僅有4.0mm，低至1.35m?的最大DCR和從0.22µH至47.0µH的標(biāo)準(zhǔn)感值可提供系統(tǒng)所需的高效率。

發(fā)表于：3/30/2011

細(xì)品NS傳感器模擬前端電路特性

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體秉承“簡(jiǎn)易設(shè)計(jì)”理念，推出兩款可配置的傳感器模擬前端(AFE)集成電路LMP90100和LMP91000。兩款產(chǎn)品均采用美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的獨(dú)創(chuàng)技術(shù)，并獲得多款全新設(shè)計(jì)工具的支持，令系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師可以使用各大廠商生產(chǎn)的各類傳感器產(chǎn)品完成信號(hào)路徑設(shè)計(jì)，幫助他們將產(chǎn)品快速推向市場(chǎng)。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)經(jīng)理林偉山、精密信號(hào)路徑產(chǎn)品部副總裁James Ashe和精密系統(tǒng)業(yè)務(wù)部門應(yīng)用工程技術(shù)經(jīng)理Chuck Sins出席了產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，并接受記者采訪。

發(fā)表于：3/29/2011

2011年慕尼黑上海激光、光電展圓滿落幕，各項(xiàng)數(shù)據(jù)再創(chuàng)新高

2011年慕尼黑上海激光、光電展于2011年3月15至17日在上海新國(guó)際博覽中心隆重召開(kāi)，各項(xiàng)指標(biāo)再創(chuàng)歷屆新高，再次驗(yàn)證了展會(huì)在亞洲激光、光電市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

發(fā)表于：3/29/2011

分析顯示DRAM產(chǎn)業(yè)形勢(shì)大好

美光執(zhí)行長(zhǎng)SteveAppleton表示，看好3~5月的DRAM報(bào)價(jià)逐漸觸底反彈;再者，日前三星電子(SamsungElectronics)也開(kāi)始調(diào)漲DRAM合約價(jià)，南亞科也認(rèn)為4月合約價(jià)將會(huì)續(xù)漲，市場(chǎng)彌漫春燕將至的氣氛。

發(fā)表于：3/29/2011

基于無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的河流自動(dòng)監(jiān)測(cè)站設(shè)計(jì)

河流作為水資源的重要組成部分對(duì)日常生活、經(jīng)濟(jì)發(fā)展有著重要影響。因此建立完備的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，提高河流監(jiān)測(cè)效率對(duì)生產(chǎn)、生活都有著重要意義。針對(duì)現(xiàn)有河流監(jiān)測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)監(jiān)測(cè)站存在的監(jiān)測(cè)范圍小、靈活性差的問(wèn)題，提出基于無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的河流自動(dòng)監(jiān)測(cè)站。通過(guò)利用無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)部署容易、無(wú)線自組織網(wǎng)絡(luò)的特點(diǎn)，擴(kuò)充自動(dòng)監(jiān)測(cè)站，擴(kuò)大監(jiān)測(cè)范圍，提高監(jiān)測(cè)密度。

發(fā)表于：3/29/2011

Vishay的新款精密薄膜電阻，大幅擴(kuò)大工作溫度范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT。與傳統(tǒng)薄膜電阻相比，PLTT電阻的工作溫度范圍幾乎擴(kuò)大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR和低至±0.02%的容差。

發(fā)表于：3/28/2011

Vishay接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器和功率MOSFET榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其VCNL4000接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發(fā)的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)，該網(wǎng)站在為電子設(shè)計(jì)工程師提供信息來(lái)源方面走在業(yè)界前列。

發(fā)表于：3/28/2011

DDR2 SDRAM×32布局和布線經(jīng)驗(yàn)談

最近忙于一塊以CycloneIII為核心主控芯片的六層板設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)環(huán)境是Capture+Allegro+CAM350，從原理圖修改到PCB的布局、布線這整個(gè)過(guò)程中我遇到了相當(dāng)多的問(wèn)題，值得慶幸的是有一些問(wèn)題的解決倒是可以說(shuō)是一勞永逸，比較典型的就是DDR2的布局與布線。

發(fā)表于：3/28/2011

H.264視頻解碼芯片中與濾波相關(guān)的存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

本文對(duì)H.264解碼芯片中的濾波部分所需的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)的存取及芯片中所用到的存儲(chǔ)器做了深入的分析，同時(shí)涉及到DRAM及SRAM的設(shè)計(jì)，并支持宏塊級(jí)幀場(chǎng)自適應(yīng)。為了實(shí)現(xiàn)H.264解碼芯片中的數(shù)據(jù)的快速存取，本文提出了對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的一種優(yōu)化方法，通過(guò)此方法可完全達(dá)到濾波過(guò)程中對(duì)大量數(shù)據(jù)的處理。

發(fā)表于：3/28/2011