微波射頻相關(guān)文章 ADI的第三次MEMS革命 熟悉ADI的人都知道，在車用MEMS領(lǐng)域，ADI有著經(jīng)典的成功案例，也曾被收錄進MBA教程。如今，借由正熱播的愛麗絲及鋼鐵俠，ADI高調(diào)宣布其MEMS技術(shù)已成功進入了好萊塢，標志著第三次MEMS革命的帷幕即將拉開。我們也很想聽聽ADI是如何解讀此次合作的。以下是EEWORLD專訪ADI MEMS市場應用經(jīng)理Howard Wisniowski的采訪實錄，通過Xsens，我們可以發(fā)現(xiàn)，iPhone 4用到的MEMS太“小兒科”了。 發(fā)表于：4/25/2011 恒定電流驅(qū)動的電橋式傳感器驅(qū)動/放大電路 應變儀、磁性電阻元件、半導體壓力傳感器等以電橋方式工作是很常見的。置方式有平衡驅(qū)動和方法又抱括恒壓驅(qū)動和恒流驅(qū)動。本電路用數(shù)MA的恒定電流使傳感器不平衡置偏，由儀表放大器接收。傳感器采用擴散式壓力傳感器P-3000S-102G，壓力范圍為0~1KG/CM2。 發(fā)表于：4/25/2011 電阻簡介以及電阻燒壞的原因 可以從電阻的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來解釋。電阻內(nèi)部其實是一圈一圈的線連起來的，電阻燒了就是里面的線燒斷了，相當于斷路。 發(fā)表于：4/25/2011 基于NAND閃存的自適應閃存映射層設(shè)計 閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦寫操作的最小單元，頁是讀寫操作的最小單元。由于閃存存儲器的硬件特性，閃存的更新操作有自己的特點，在對數(shù)據(jù)進行更新前需要先進行擦寫操作，然后才能將新數(shù)據(jù)寫入，并且擦寫操作是以塊為單位，讀寫操作是以頁為單位。 發(fā)表于：4/25/2011 NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析 目前市場上閃存芯片主要有兩類，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點，更適合于大批量數(shù)據(jù)存儲的嵌入式系統(tǒng)。如今Windows仍是桌面系統(tǒng)的主流，對FAT文件系統(tǒng)提供了天然的支持。然而就技術(shù)而言，F(xiàn)AT文件系統(tǒng)并不適合Flash，因為Flash設(shè)備并不是塊設(shè)備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應用FAT文件系統(tǒng)，國際上提出了閃存轉(zhuǎn)譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。 發(fā)表于：4/24/2011 分布式源場極板結(jié)構(gòu)射頻LDMOS器件的設(shè)計 為了減小射頻LDMOS器件中場極板寄生電容，提出一種具有分布式源場極板結(jié)構(gòu)的射頻LDMOS器件，給出了器件結(jié)構(gòu)及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對場極板進行了三維電磁仿真優(yōu)化設(shè)計。仿真及測試結(jié)果表明!所設(shè)計的分布式源場極板結(jié)構(gòu)在不影響器件擊穿電壓的條件下，能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。 發(fā)表于：4/24/2011 基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡(luò)攝像機設(shè)計 本文利用CMOS圖像傳感器設(shè)計了一款嵌入式網(wǎng)絡(luò)攝像機。經(jīng)測試，系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠、實時性好，圖像清晰度明顯好于同價位的產(chǎn)品，完全可滿足目前網(wǎng)絡(luò)攝像頭市場對中、低端產(chǎn)品的要求，具有良好的市場前景。 發(fā)表于：4/24/2011 物聯(lián)網(wǎng)的MEMS感知器件與應用 傳感網(wǎng)是以MEMS制造的傳感網(wǎng)，主要是應用于手機和汽車里的傳感。第二塊是比較高端的，就是慣性導航系統(tǒng)，主要是對飛機在飛行過程當中提供慣性導航。第三個是無線傳感網(wǎng)，大概在十年前公司創(chuàng)始人很早就把Xmesh引出來，開發(fā)了無線傳感網(wǎng)、自主網(wǎng)的應 發(fā)表于：4/23/2011 全光通信中的光開關(guān)技術(shù) 光開關(guān)是實現(xiàn)全光交換的核心器件，光開關(guān)的研究已成為全光通信領(lǐng)域研究的焦點。本文首先對光開關(guān)的原理進行歸納，總結(jié)光開關(guān)的應用范圍。對傳統(tǒng)機械式光開關(guān)、微電子機械式光開關(guān)、熱光開關(guān)進行了進一步地劃分，分析了它們的結(jié)構(gòu)形式和性能特點。設(shè)計了光開關(guān)性能評價指標體系，對常見的4種光開關(guān)進行了定性與定量對比，指出不同類型光開關(guān)的優(yōu)點和不足之處。最后依據(jù)全光通信網(wǎng)的發(fā)展趨勢，指出大容量、高速、透明、低損耗是光開關(guān)的重點發(fā)展方向。 發(fā)表于：4/23/2011 主流手機的芯 高通MSM8255芯片組簡析 高通作為現(xiàn)階段移動芯片組的巨頭，從前期的中低端芯片組MSM7227、MSM7200A等（詳見《主攻入門市場：高通中低端芯片組簡析》），已經(jīng)成功過渡到了后期的Snapdragon系列，并且Snapdragon系列也已從第一代順利過渡到了第二代，同時第三代成品機型HTC Pyramid（金字塔）也初露端倪。 發(fā)表于：4/23/2011 薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定 電子電路繼續(xù)小型化的趨勢對電阻設(shè)計提出了新挑戰(zhàn)。例如，車輛中電子功能的增加使得單位面積電子器件的數(shù)量提升。這反過來在多方面影響到了無源器件——特別是電阻。這些器件需要變得更小，同時提供更高的精度和更佳的穩(wěn)定度。更高的精度則需要通過更緊的容限和更低的溫度系數(shù)得以實現(xiàn)。 發(fā)表于：4/23/2011 移動DRAM何時能讓智能手機和平板電腦滿意 目前形式的移動DRAM可能不足以滿足智能手機和平板電腦的需求，因其在處理各種應用時涉及大量數(shù)據(jù)。其它形式的移動DRAM正在浮現(xiàn)，可能取代現(xiàn)有解決方案。 發(fā)表于：4/22/2011 全球電子供應鏈的亞洲“高?！钡貐^(qū) IHS iSuppli公司的研究顯示，日本地震對全球電子供應鏈的嚴重破壞，也可能在其它亞洲地區(qū)重現(xiàn)，因為科技產(chǎn)業(yè)在一些國家和地區(qū)高度集中。 發(fā)表于：4/22/2011 優(yōu)化MAX44007環(huán)境光傳感器，改善黑色玻璃的設(shè)計性能 黑色玻璃會改變照在環(huán)境光傳感器上的光線頻譜，這是環(huán)境光傳感器所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)。尤其是黑色玻璃增強了光譜中的紅外分量，而人眼看不到這部分光譜。本應用筆記介紹了幾種校準/補償方法，從而對光傳感器在不同光源條件下的流明讀數(shù)進行修正。本文探討了如何利用MAX44007光傳感器的高級模式調(diào)節(jié)其對可見光、IR通道的響應。利用MAX44007的寄存器可以優(yōu)化傳感器在黑色玻璃下的性能。 發(fā)表于：4/22/2011 電感和電感器的原理 電感是電子電路阻止電流改變的一種性質(zhì)。注意“改變”一詞的物理意義，這點非常重要，有點像力學中的慣性。一個電感器被用在磁場中儲存能量，你會發(fā)現(xiàn)這個現(xiàn)象非常重要。 發(fā)表于：4/22/2011 ?…119120121122123124125126127128…?
