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怎樣利用實(shí)用的方法構(gòu)建C類功率放大器 .

寬帶C類功率放大器(PA)在某些通信頻帶中是有用的。雖然現(xiàn)已被集成進(jìn)Agilent-EEsof的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS)仿真軟件中，Touchstone曾一度是用于開發(fā)和優(yōu)化這種功率放大器阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的強(qiáng)有力工具。

發(fā)表于：4/30/2011

Vishay擴(kuò)大ORN薄膜模壓雙列直插式電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司擴(kuò)大了ORN系列薄膜模壓雙列直插式表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍。增強(qiáng)后的器件可提供49.9Ω～500kΩ范圍內(nèi)的13種標(biāo)準(zhǔn)阻值，使設(shè)計(jì)者在相同的標(biāo)準(zhǔn)窄體SOIC鷗翼型封裝內(nèi)可使用阻值更高或更低的電阻。

發(fā)表于：4/29/2011

凱悌集團(tuán)推出綠色節(jié)能應(yīng)用之主、被動(dòng)組件最佳解決方案

簡介 N79E83x 系列是8051內(nèi)核MCU，采用特殊的技術(shù)進(jìn)行專業(yè)的處理，使芯片具有很強(qiáng)的抗干擾特性、很好的溫度特性，同時(shí)具有良好的易用特性。適用于電動(dòng)自行控制器，并且在幾大電動(dòng)自行車控制器生產(chǎn)基地已經(jīng)行業(yè)內(nèi)部樹立起良好的形象，已經(jīng)建立起堅(jiān)實(shí)的客戶基礎(chǔ)。W79E83x有良好的易用性，Nuvoton 協(xié)助客戶在3個(gè)月的時(shí)間完成第一個(gè)方案設(shè)計(jì)，在一個(gè)半月的時(shí)間內(nèi)完成小PP 到100K 訂單的飛躍，這充分反映了Nuvoton MCU在該領(lǐng)域的優(yōu)勢。 Nuvoton MCU的電動(dòng)自行車控制器設(shè)計(jì)方案以其良好的適用性、穩(wěn)定性，電路簡單、性價(jià)比等特點(diǎn)和Nuvoton品牌優(yōu)勢正在成為電動(dòng)自行車控制器領(lǐng)域中的后起之秀。

發(fā)表于：4/29/2011

非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€(gè)簡單的介紹。

發(fā)表于：4/29/2011

大容量SD卡在海洋數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用

本文介紹了SD卡在海洋數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用，使用高性能的STM32F103xx系列處理器提高了SD卡的數(shù)據(jù)讀寫速率，很好地解決了海洋數(shù)據(jù)采集中的大容量存儲問題和SDl.x與SD2.0的識別問題，并給出了適用于SD卡的FAT32文件系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置及其實(shí)現(xiàn)方法。

發(fā)表于：4/29/2011

提高IO的緩存和RAID的方法

衡量性能的幾個(gè)指標(biāo)的計(jì)算中我們可以看到一個(gè)15k轉(zhuǎn)速的磁盤在隨機(jī)讀寫訪問的情況下IOPS竟然只有140左右，但在實(shí)際應(yīng)用中我們卻能看到很多標(biāo)有5000IOPS甚至更高的存儲系統(tǒng)，有這么大IOPS的存儲系統(tǒng)怎么來的呢?這就要?dú)w結(jié)于各種存儲技術(shù)的使用了，在這些存儲技術(shù)中使用最廣的就是高速緩存(Cache)和磁盤冗余陣列(RAID)了，本文就將探討緩存和磁盤陣列提高存儲IO性能的方法。

發(fā)表于：4/29/2011

基于C8051F040的存儲設(shè)備轉(zhuǎn)儲器設(shè)計(jì)

介紹一款單片機(jī)存儲設(shè)備轉(zhuǎn)儲器，以C8051F040為核心控制模塊，通過外接兩個(gè)CH375 U盤模塊、液晶顯示模塊及鍵盤模塊等實(shí)現(xiàn)兩個(gè)U盤之間數(shù)據(jù)的相互轉(zhuǎn)儲，很好地解決了U盤內(nèi)容轉(zhuǎn)儲離不開電腦而帶來的不便以及容易感染*等弊端。C8051F040通過CH375 按照相應(yīng)的USB協(xié)議與USB設(shè)備通訊，通過調(diào)用CH375提供的子程序庫來直接讀取U盤中的數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了普通單片機(jī)與U盤的通訊，支持常用的12 Mb/s 全速USB設(shè)備和1. 5 Mb/s低速設(shè)備。該設(shè)計(jì)方案具有低成本、低功耗、操作簡單等特點(diǎn)，將會有廣闊的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：4/29/2011

深度淺析固態(tài)存儲SSD的發(fā)展及應(yīng)用

SSD是摒棄傳統(tǒng)磁介質(zhì)，采用電子存儲介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲和讀取的一種技術(shù)，突破了傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的性能瓶頸，擁有極高的存儲性能，被認(rèn)為是存儲技術(shù)發(fā)展的未來新星。

發(fā)表于：4/29/2011

RFID自動(dòng)感應(yīng)式車位鎖方便停車場管理

在車位日益緊張的今天，如何避免私家車位被他人搶占，是令人頭痛的事。日前面市的一種新型車位鎖，不僅有效解決了這一問題，還可對車輛起到防盜作用，深受車主的喜愛。專用車位鎖可以有效而禮貌地防止其它車輛占用專用車位：當(dāng)車到達(dá)車位附近時(shí)，打開車位鎖即可將車停進(jìn)車位；當(dāng)車離開后，鎖上車位鎖，防止其它車輛占用車位；若車停放到車位后，將車位鎖...

發(fā)表于：4/29/2011

Vishay發(fā)布新的鋁電容器在線選擇工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，在公司網(wǎng)站(www.vishay.com)上推出新的鋁電容器在線選擇工具。這個(gè)工具能幫助設(shè)計(jì)者挑選適合其應(yīng)用的器件，從而節(jié)省工作時(shí)間。

發(fā)表于：4/28/2011

電子化學(xué)行業(yè)產(chǎn)能向國內(nèi)轉(zhuǎn)移是大勢所趨

不久前的日本大地震，顯然對日本及全球經(jīng)濟(jì)造成了一定的沖擊，重創(chuàng)了日本國內(nèi)的電子產(chǎn)業(yè)，同時(shí)影響擴(kuò)散到全球，國內(nèi)也受到一定的波及，一些關(guān)鍵電子材料面臨短缺或恐慌性抬價(jià)。然而，日本地震給國內(nèi)敲響了警鐘，原因在于它一直占據(jù)著產(chǎn)業(yè)鏈的高端，我國電子化學(xué)行業(yè)必須加強(qiáng)，但危機(jī)過后，讓更多國內(nèi)企業(yè)看到一絲希望，隨著國際產(chǎn)能的進(jìn)一步轉(zhuǎn)移，以及替代日本產(chǎn)能的市場機(jī)遇，使得國內(nèi)企業(yè)表現(xiàn)更為活躍。

發(fā)表于：4/28/2011

基于計(jì)算機(jī)控制的紅外監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

本文研究中，我們提出了一種基于計(jì)算機(jī)控制的出入口監(jiān)控系統(tǒng)，該監(jiān)控系統(tǒng)使用紅外傳感器作為探測器，可以實(shí)現(xiàn)對進(jìn)出室內(nèi)的人員和物品的數(shù)量進(jìn)行精確的控制。本文使用計(jì)算機(jī)作為監(jiān)控和控制設(shè)備，因?yàn)檫@對各種技術(shù)設(shè)備和工業(yè)用傳感器的使用來說都是一個(gè)可行的和有價(jià)值的解決方案。系統(tǒng)中的控制代理是一個(gè)直流電機(jī)控制的自動(dòng)門，它按照計(jì)算機(jī)發(fā)出的控制信號的界面。實(shí)驗(yàn)表明，該系統(tǒng)性能穩(wěn)定，操作簡便，能夠較好地完成預(yù)期的設(shè)計(jì)目標(biāo)。執(zhí)行開和關(guān)的動(dòng)作。用于監(jiān)控的軟件采用面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計(jì)模式，以期用戶容易使用。

發(fā)表于：4/28/2011

各類二極管的檢測方法介紹

普通二極管的檢測（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦?。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。

發(fā)表于：4/28/2011

32GU盤DIY

本文圖文并茂地詳細(xì)介紹了32GU盤點(diǎn)DIY制作過程。成本計(jì)算：FLASH2片，260元；PCBA套料，15元左右。因我的材料都是在網(wǎng)上采購，所以，包路費(fèi)總共300元，就可以完成制作這個(gè)32G的U盤。

發(fā)表于：4/28/2011

采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略

NAND閃存是一種高密度非易失性存儲器，基于電壓調(diào)制原理而操作。隨著技術(shù)開發(fā)和工藝改進(jìn)，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架構(gòu)正變得日益復(fù)雜化。今天，單個(gè)8Gb密度SLC NAND閃存芯片的MOSFET數(shù)量就超過70萬，這還未包括所有陣列器件在內(nèi)；MLC約是SLC的1.5-2倍。

發(fā)表于：4/27/2011