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RS簽署EAO分銷(xiāo)協(xié)議

RS Components于近日宣布與EAO集團(tuán)簽署一項(xiàng)新的戰(zhàn)略分銷(xiāo)協(xié)議。依照新協(xié)議規(guī)定，RS會(huì)在歐洲和亞太區(qū)各地為EAO人機(jī)界面和機(jī)電元件的銷(xiāo)售提供支持。　

發(fā)表于：4/26/2011

Diodes高速邏輯系列74AHC1Gxx提供完善性能升級(jí)

Diodes公司推出完整的先進(jìn)高速CMOS邏輯器件系列，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有同類(lèi)高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開(kāi)關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件。

發(fā)表于：4/26/2011

MEMS是否會(huì)走CMOS的演進(jìn)路線

MEMS市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手機(jī)市場(chǎng)，這些市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)25%。在消費(fèi)電子和手機(jī)市場(chǎng)，2011年MEMS營(yíng)業(yè)收入將從2010年的16億美元增長(zhǎng)到21億美元。IHS iSuppli公司預(yù)測(cè)，到2014年，消費(fèi)電子和手機(jī)領(lǐng)域的MEMS營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到37億美元。如此巨大的市場(chǎng)需求自然也引起了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)注。

發(fā)表于：4/26/2011

高Q積層電感可保持高頻電路不受干擾

手機(jī)設(shè)計(jì)得越來(lái)越小，然而功能也日益復(fù)雜，從而對(duì)所有元件的微型化和性能要求更高，當(dāng)然也包括電感的性能要求。尤其對(duì)積層電感，不僅要求尺寸更小，還應(yīng)達(dá)到高Q等級(jí)。TDK-EPC通過(guò)進(jìn)一步提高低溫共燒陶瓷（LTCC）多層基材的工藝技術(shù)已達(dá)到該要求。

發(fā)表于：4/26/2011

MEMS壓力傳感器原理與應(yīng)用

MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)。

發(fā)表于：4/26/2011

Maxim推出具有無(wú)痕存儲(chǔ)器的安全管理器

Maxim推出DS3660具有1024字節(jié)無(wú)痕存儲(chǔ)器的安全管理器，器件可安全存儲(chǔ)敏感數(shù)據(jù)。片上無(wú)痕存儲(chǔ)器包含8個(gè)128字節(jié)存儲(chǔ)區(qū)，基于用戶指定的篡改事件，這些存儲(chǔ)區(qū)可由終端用戶選擇清除。此外，DS3660還具有內(nèi)置1.8V偏置電源給外部低電壓SRAM(可用于儲(chǔ)存不太重要的數(shù)據(jù))供電，器件也可配置為與低電壓微處理器一起工作用于電池供電的設(shè)備。通過(guò)篡改檢測(cè)輸入(與外部傳感器接口)與內(nèi)部篡改監(jiān)視器的聯(lián)合工作，器件可提供最高等級(jí)的系統(tǒng)安全。DS3660特別適合用于超級(jí)安全的場(chǎng)合，比如政府和軍用系統(tǒng)，也適用于需要監(jiān)視超過(guò)一個(gè)篡改觸發(fā)器的其它場(chǎng)合。

發(fā)表于：4/25/2011

Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布日文、中文和韓文企業(yè)宣傳視頻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上推出日文、中文和韓文的企業(yè)宣傳視頻。該視頻展示了Vishay的系列產(chǎn)品、設(shè)計(jì)和制造資源、可信賴(lài)的高品質(zhì)元器件交付能力、廣泛的應(yīng)用支持，以及遍布全球的供應(yīng)鏈。

發(fā)表于：4/25/2011

傳感器與變送器的區(qū)別及聯(lián)系

傳感器是能夠受規(guī)定的被測(cè)量并按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的器件或裝置的總稱(chēng),通常由敏感元件和轉(zhuǎn)換元件組成。當(dāng)傳感器的輸出為規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)時(shí)，則稱(chēng)為變送器。變送器的概念是將非標(biāo)準(zhǔn)電信號(hào)轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)電信號(hào)的儀器，傳感器則是將物理信號(hào)轉(zhuǎn)換為

發(fā)表于：4/25/2011

壓力傳感器的工作原理及其應(yīng)用

壓力傳感器是工業(yè)實(shí)踐中最為常用的一種傳感器，其廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)自控環(huán)境，涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、軍工、石化、油井、電力、船舶、機(jī)床、管道等眾多行業(yè)，下面就簡(jiǎn)單介紹一些常用傳感器原理及其應(yīng)用。

發(fā)表于：4/25/2011

CMOS圖像傳感器的IP策略

CMOS圖像傳感器依然是半導(dǎo)體行業(yè)中成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)之一。手機(jī)、驅(qū)動(dòng)該市場(chǎng)不斷穩(wěn)固增長(zhǎng)，并且在可以預(yù)知的未來(lái)還將繼續(xù)蓬勃發(fā)展。CMOS圖像傳感器2004年總收入的年增長(zhǎng)率為65.9%，并有望在2007年達(dá)到46.4億美元。

發(fā)表于：4/25/2011

ADI的第三次MEMS革命

熟悉ADI的人都知道，在車(chē)用MEMS領(lǐng)域，ADI有著經(jīng)典的成功案例，也曾被收錄進(jìn)MBA教程。如今，借由正熱播的愛(ài)麗絲及鋼鐵俠，ADI高調(diào)宣布其MEMS技術(shù)已成功進(jìn)入了好萊塢，標(biāo)志著第三次MEMS革命的帷幕即將拉開(kāi)。我們也很想聽(tīng)聽(tīng)ADI是如何解讀此次合作的。以下是EEWORLD專(zhuān)訪ADI MEMS市場(chǎng)應(yīng)用經(jīng)理Howard Wisniowski的采訪實(shí)錄，通過(guò)Xsens，我們可以發(fā)現(xiàn)，iPhone 4用到的MEMS太“小兒科”了。

發(fā)表于：4/25/2011

恒定電流驅(qū)動(dòng)的電橋式傳感器驅(qū)動(dòng)/放大電路

應(yīng)變儀、磁性電阻元件、半導(dǎo)體壓力傳感器等以電橋方式工作是很常見(jiàn)的。置方式有平衡驅(qū)動(dòng)和方法又抱括恒壓驅(qū)動(dòng)和恒流驅(qū)動(dòng)。本電路用數(shù)MA的恒定電流使傳感器不平衡置偏，由儀表放大器接收。傳感器采用擴(kuò)散式壓力傳感器P-3000S-102G，壓力范圍為0~1KG/CM2。

發(fā)表于：4/25/2011

電阻簡(jiǎn)介以及電阻燒壞的原因

可以從電阻的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)解釋。電阻內(nèi)部其實(shí)是一圈一圈的線連起來(lái)的，電阻燒了就是里面的線燒斷了，相當(dāng)于斷路。

發(fā)表于：4/25/2011

基于NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦寫(xiě)操作的最小單元，頁(yè)是讀寫(xiě)操作的最小單元。由于閃存存儲(chǔ)器的硬件特性，閃存的更新操作有自己的特點(diǎn)，在對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行更新前需要先進(jìn)行擦寫(xiě)操作，然后才能將新數(shù)據(jù)寫(xiě)入，并且擦寫(xiě)操作是以塊為單位，讀寫(xiě)操作是以頁(yè)為單位。

發(fā)表于：4/25/2011

NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

目前市場(chǎng)上閃存芯片主要有兩類(lèi)，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫(xiě)速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn)，更適合于大批量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)。如今Windows仍是桌面系統(tǒng)的主流，對(duì)FAT文件系統(tǒng)提供了天然的支持。然而就技術(shù)而言，F(xiàn)AT文件系統(tǒng)并不適合Flash，因?yàn)镕lash設(shè)備并不是塊設(shè)備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應(yīng)用FAT文件系統(tǒng)，國(guó)際上提出了閃存轉(zhuǎn)譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。

發(fā)表于：4/24/2011