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DRAM利空出盡族群持穩(wěn)撐盤

針對(duì)歐盟調(diào)查反托拉斯案，DRAM廠南科決付180萬(wàn)歐元(約臺(tái)幣7100萬(wàn)元)與歐盟和解，這項(xiàng)不利事件，終告解決，股價(jià)跌深反彈表態(tài)；另外，力晶董事長(zhǎng)黃崇仁公開(kāi)對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)信心喊話，對(duì)三星電子擴(kuò)產(chǎn)案，呼吁國(guó)內(nèi)業(yè)者不要自己嚇自己。

發(fā)表于：5/21/2010

基于DSP的MEMS陀螺儀信號(hào)處理平臺(tái)的設(shè)計(jì)

本文選用TI公司的TMS320VC33作為MEMS陀螺儀信號(hào)處理平臺(tái)的核心芯片，同時(shí)引入DSP／BIOS實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)提供的多任務(wù)處理機(jī)制，在對(duì)陀螺儀信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集的間隙同時(shí)對(duì)先采集來(lái)的信號(hào)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和傳輸，確保數(shù)據(jù)采集和處理的實(shí)時(shí)性，大大提高了信號(hào)處理平臺(tái)的工作效率，在高速實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和處理領(lǐng)域具有一定的應(yīng)用價(jià)值。

發(fā)表于：5/21/2010

Vishay通過(guò)新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器將被高能應(yīng)用領(lǐng)域廣泛采用

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過(guò)新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高達(dá)72,000µF的容值，采用A、B和C外形編碼。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，10011器件采用玻璃至金屬的密封結(jié)構(gòu)，可以在-55℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，1kHz時(shí)的最大ESR低至0.035Ω。　

發(fā)表于：5/20/2010

無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)微型節(jié)點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)

在總結(jié)歸納已有研究成果的基礎(chǔ)上，詳細(xì)闡述了基于ATmega128L結(jié)合外圍傳感器和2.4GHz無(wú)線收發(fā)模塊CC2420的無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)微型節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)在試驗(yàn)中應(yīng)用良好，能夠采集精度較高的溫度、濕度、光線、加速度和大氣壓力數(shù)據(jù)，并通過(guò)網(wǎng)絡(luò)暢通地傳回給主機(jī)，并實(shí)現(xiàn)了傳感器網(wǎng)絡(luò)必須的低功耗。為將來(lái)通信結(jié)構(gòu)和具體協(xié)議的設(shè)計(jì)提供了基礎(chǔ)。

發(fā)表于：5/20/2010

CCD還是CMOS？高清攝像機(jī)的成本博弈

CCD在數(shù)據(jù)傳送時(shí)不會(huì)失真，因此各個(gè)象素的數(shù)據(jù)可匯聚至邊緣再進(jìn)行放大處理；而CMOS工藝的數(shù)據(jù)在傳送距離較長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生噪聲，因此，必須先放大，再整合各個(gè)象素的數(shù)據(jù)。也正由于其數(shù)據(jù)傳輸方式不同，CCD與CMOS傳感器在效能與應(yīng)用上也有諸多差異。

發(fā)表于：5/20/2010

ADI MEMS運(yùn)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)走進(jìn)好萊塢：《鋼鐵俠2》和《愛(ài)麗絲漫游奇境》借助ADI公司和技術(shù)增強(qiáng)動(dòng)畫特效

利用ADI公司的iMEMS®高性能運(yùn)動(dòng)傳感器和Blackfin® DSP，Xsens MVN三維運(yùn)動(dòng)捕獲捕獲技術(shù)使電影和視頻游戲的計(jì)算機(jī)角色動(dòng)畫制作大變模樣

發(fā)表于：5/20/2010

閃存新技術(shù)終于接近量產(chǎn)！可變電阻式內(nèi)存可望取代NAND（一）

致力于新存儲(chǔ)器技術(shù)開(kāi)發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Unity Semiconductor公司，宣稱已開(kāi)發(fā)出一種可取代NAND快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)，為記憶卡和固態(tài)硬盤（SSD）提供了新的儲(chǔ)存媒介選擇。

發(fā)表于：5/20/2010

只買不賣　逢低布局DRAM產(chǎn)業(yè)鏈

臺(tái)股受到國(guó)際環(huán)境影響呈現(xiàn)震蕩向下修正走勢(shì)，當(dāng)然電子股淡季效應(yīng)也是拖累大盤上攻無(wú)力的主因，然而逢低布局正是好時(shí)機(jī)，尤其第1季電子業(yè)上游零組件缺料狀況，第3季有可能重演，DRAM在無(wú)新產(chǎn)能投入下，產(chǎn)業(yè)鏈賣相最佳。

發(fā)表于：5/20/2010

連接器：電子裝備中的隱形支柱

在武器裝備的各類電子系統(tǒng)中，連接器在器件與器件、組件與組件、系統(tǒng)與系統(tǒng)之間進(jìn)行電氣連接和信號(hào)傳遞，是構(gòu)成一個(gè)完整系統(tǒng)所必須的基礎(chǔ)元件，是軍用電子裝備中不可或缺的隱形支柱。

發(fā)表于：5/18/2010

基于AS3990/AS3991的超高頻RFID讀寫器的設(shè)計(jì)

介紹了超高頻RFID讀寫專用芯片AS3990/AS3991的主要功能與特點(diǎn)，以及采用這款芯片設(shè)計(jì)讀寫器的整體方案。分析了在兼容ISO18000-6A/B協(xié)議的工作模式下，對(duì)解碼、校驗(yàn)電路處理速度的最低要求；介紹了直接采用MCU進(jìn)行解碼、校驗(yàn)的方法，并為設(shè)計(jì)讀寫器選取合適的MCU提供了依據(jù)。

發(fā)表于：5/17/2010

應(yīng)用RFID技術(shù)實(shí)現(xiàn)醫(yī)用植入裝置的通信

典型的醫(yī)用植入裝置由體外部分和植入體兩部分組成，二者之間通過(guò)射頻載波傳輸能量和信息，這與廣泛應(yīng)用的射頻識(shí)別技術(shù)非常相似。本文分析研究了它們?cè)诩夹g(shù)和應(yīng)用層面的特點(diǎn)，提出了一種基于商用RFID技術(shù)及其器件實(shí)現(xiàn)的醫(yī)用植入裝置雙向通信的設(shè)計(jì)，對(duì)于具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)、必要的技術(shù)裁剪和技術(shù)擴(kuò)展進(jìn)行了較為詳細(xì)的介紹。

發(fā)表于：5/17/2010

泰科電子新型POLYZEN器件滿足USB掛起模式下的功耗要求

美國(guó)加利福尼亞州MENLO PARK，2010年5月17日 —泰科電子（Tyco Electronics）今天宣布推出PolyZen? ZEN059V130A24LS 器件。這款集成器件可為帶有USB接口的電子產(chǎn)品提供全面電路保護(hù)，同時(shí)滿足USB3.0掛起模式下的功耗要求。

發(fā)表于：5/17/2010

5月DRAM合約價(jià)出爐　DDR2持平　DDR3小漲

原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價(jià)終于開(kāi)出，一如市場(chǎng)預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價(jià)最后持平開(kāi)出，而DDR3合約價(jià)則是小漲2~3%；DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說(shuō)的太滿，對(duì)于能否有大幅漲價(jià)的空間？ DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價(jià)位。

發(fā)表于：5/17/2010

機(jī)臺(tái)遞延交貨 DRAM大廠40奈米戰(zhàn)局延后

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年！

發(fā)表于：5/12/2010

ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺儀支持惡劣工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用

ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是極其穩(wěn)定、抗振動(dòng)、低功耗的MEMS陀螺儀，具有0.03°/sec/g的線性加速度靈敏度，功耗僅為6mA。

發(fā)表于：5/12/2010